公开(公告)号：CN100490073C

公开(公告)日：2009-05-20

申请号：CN200380103808.2

申请日：2003-11-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 中西敏雄 ,  西田辰夫 ,  尾崎成则

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/31

CPC classification number: C23C8/36 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/3211

Abstract: 根据本发明，当氮化处理硅基板表面时，在等离子体产生部和硅基板之间配置具有开口部的隔板，控制为硅基板表面的电子密度是le+7(个·cm-3)～le+9(个·cm-3)。根据本发明，有效地抑制了硅基板和氮化膜的劣化。

公开(公告)号：CN1890785A

公开(公告)日：2007-01-03

申请号：CN200480035836.X

申请日：2004-12-03

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐佐木胜 ,  井出真司 ,  尾崎成则

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/02063 ,  H01J2237/335 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76838

Abstract: 本发明提供一种可以充分地除去残渣有机物和自然氧化物，并且不对通孔的侧壁绝缘膜造成损伤，不对k值造成不良影响的半导体基板导电层表面的净化方法。将在半导体基板的导电层(1)的表面上形成绝缘膜(2、3)、并在绝缘膜(3)中形成将导电层(1)的一部分露出的通孔(4)的半导体装置搬入到反应容器内，在反应容器内产生含氢的等离子体、以将通孔(4)底部的导电层(1)上净化，利用灰化将残渣有机物(6)分解除去并将导电层(1)表面上的铜氧化膜(7)还原成铜。

公开(公告)号：CN102776491A

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN201210147817.2

申请日：2012-05-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 加藤寿 ,  菱谷克幸 ,  菊地宏之 ,  牛窪繁博 ,  尾崎成则

IPC: C23C16/50 ,  C23C16/455

Abstract: 本发明提供成膜装置和成膜方法。该成膜装置包括：真空容器，按顺序向其内部多次供给第一处理气体和第二处理气体；旋转台，其具有包括基板载置区域在内的一个表面，使基板载置区域在真空容器内旋转；第一处理气体供给部，向第一区域供给第一处理气体；第二处理气体供给部，向在上述旋转台的周向上隔着分离区域与第一区域分开的第二区域供给第二处理气体；等离子体产生气体供给部，向上述真空容器内供给等离子体产生用气体；天线，其与上述旋转台的上述一个表面相对，利用电感耦合使上述等离子体产生用气体在等离子体空间内产生等离子体；法拉第屏蔽件，其接地，设在上述天线与上述等离子体空间之间，具有在与上述天线正交的方向上排列的多个狭缝。

公开(公告)号：CN1926670B

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：CN200580006865.8

申请日：2005-03-02

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 松山征嗣 ,  中西敏雄 ,  尾崎成则 ,  足立光 ,  高槻浩一 ,  佐藤吉宏

IPC: H01L21/318 ,  H01L29/78

CPC classification number: C23C8/36 ,  H01J37/32192 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/3144 ,  H01L29/518

Abstract: 在本发明中，在利用由微波产生的等离子体对形成氧化膜后的基板进行氮化处理以形成氧氮化膜时，断续地进行微波的供给。通过断续地供给微波，与电子温度下降相伴的离子冲击降低，氧化膜中的氮化种的扩散速度降低，其结果，氮集中在氧氮化膜的基板侧界面上从而能够抑制其浓度增高。由此，能够提高氧氮化膜的膜质，从而能够降低漏电流、提高动作速度、并提高NBTI耐性。

公开(公告)号：CN1757101A

公开(公告)日：2006-04-05

申请号：CN200480005496.6

申请日：2004-02-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 中西敏雄 ,  尾崎成则 ,  佐佐木胜

IPC: H01L21/314 ,  H01L21/302 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/02046 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/3145 ,  H01L21/31654 ,  H01L21/3185

Abstract: 本发明提供一种基板处理方法，由下述过程构成，即，将硅基板表面暴露于惰性气体和氢气的混合气体等离子体中的第一处理过程；以及在所述第一处理过程之后，通过等离子体处理，对所述硅基板表面进行氧化处理、氮化处理以及氮氧化处理的任一处理的第二处理过程，其中，在第一处理过程中，除去残留在基板表面的有机物。

公开(公告)号：CN102383109B

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201110249999.X

申请日：2011-08-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 尾崎成则 ,  加藤寿 ,  熊谷武司

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/52 ,  C23C16/50

CPC classification number: C23C16/45548 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45536

Abstract: 本发明提供一种成膜装置和成膜方法。该成膜方法通过使旋转台旋转，多次进行由使用含Si气体和O3气体在晶圆(W)上形成反应生成物的成膜步骤、利用等离子体对上述反应生成物进行改性的改性步骤构成的成膜-改性处理，并且在薄膜的形成途中对等离子体的强度进行变更。具体而言，在反应生成物的层叠膜厚较薄时(开始成膜-改性处理的初期)，使等离子体的强度较小，并且反应生成物的层叠膜厚越增加(成膜步骤的次数越增加)，越使向晶圆(W)供给的等离子体的强度逐步增大。或者，在反应生成物的膜厚较薄时，使等离子体的强度增加，然后减弱。

公开(公告)号：CN102396053A

公开(公告)日：2012-03-28

申请号：CN201080016868.0

申请日：2010-09-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 尾崎成则 ,  太田龙作 ,  足立光 ,  石坪诚

IPC: H01L21/31 ,  C23C16/511 ,  H01L21/205 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/3222 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32238 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02252

Abstract: 本发明的等离子体处理装置具备：将由电磁波发生装置产生的电磁波导入所述处理容器内的平面天线部件；向平面天线部件供给电磁波的波导管；重叠设置在平面天线部件之上，改变从波导管供给的电磁波的波长的滞波板；和从上方覆盖滞波板和平面天线部件的罩部件，其中，滞波板由电介质构成，并且平面天线部件与罩部件之间的区域的介电常数，在与平面天线部件的上表面平行的截面中是非均匀的。

公开(公告)号：CN102383109A

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN201110249999.X

申请日：2011-08-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 尾崎成则 ,  加藤寿 ,  熊谷武司

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/52 ,  C23C16/50

CPC classification number: C23C16/45548 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45536

Abstract: 本发明提供一种成膜装置和成膜方法。该成膜方法通过使旋转台旋转，多次进行由使用含Si气体和O3气体在晶圆(W)上形成反应生成物的成膜步骤、利用等离子体对上述反应生成物进行改性的改性步骤构成的成膜-改性处理，并且在薄膜的形成途中对等离子体的强度进行变更。具体而言，在反应生成物的层叠膜厚较薄时(开始成膜-改性处理的初期)，使等离子体的强度较小，并且反应生成物的层叠膜厚越增加(成膜步骤的次数越增加)，越使向晶圆(W)供给的等离子体的强度逐步增大。或者，在反应生成物的膜厚较薄时，使等离子体的强度增加，然后减弱。

公开(公告)号：CN102181819A

公开(公告)日：2011-09-14

申请号：CN201110075945.6

申请日：2005-03-02

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 松山征嗣 ,  中西敏雄 ,  尾崎成则 ,  足立光 ,  高槻浩一 ,  佐藤吉宏

IPC: C23C8/36 ,  H01L21/28 ,  H01L21/314

CPC classification number: C23C8/36 ,  H01J37/32192 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/3144 ,  H01L29/518

Abstract: 本发明提供一种等离子体氮化处理方法。在本发明中，在利用由微波产生的等离子体对形成氧化膜后的基板进行氮化处理以形成氧氮化膜时，断续地进行微波的供给。通过断续地供给微波，与电子温度下降相伴的离子冲击降低，氧化膜中的氮化种的扩散速度降低，其结果，氮集中在氧氮化膜的基板侧界面上从而能够抑制其浓度增高。由此，能够提高氧氮化膜的膜质，从而能够降低漏电流、提高动作速度、并提高NBTI耐性。

公开(公告)号：CN100514573C

公开(公告)日：2009-07-15

申请号：CN200480005496.6

申请日：2004-02-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 中西敏雄 ,  尾崎成则 ,  佐佐木胜

IPC: H01L21/314 ,  H01L21/302 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/02046 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/3145 ,  H01L21/31654 ,  H01L21/3185

Abstract: 本发明提供一种基板处理方法，由下述过程构成，即，将硅基板表面暴露于惰性气体和氢气的混合气体等离子体中的第一处理过程；以及在所述第一处理过程之后，通过等离子体处理，对所述硅基板表面进行氧化处理、氮化处理以及氮氧化处理的任一处理的第二处理过程，其中，在第一处理过程中，除去残留在基板表面的有机物。