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公开(公告)号：CN100347817C
公开(公告)日：2007-11-07
申请号：CN02823544.4
申请日：2002-11-26
申请人： 东京毅力科创株式会社 , 株式会社东芝
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/205 , H01L21/3065 , C23C16/50 , C23C14/34
CPC分类号： H01J37/32174 , H01J37/32082
摘要： 本发明提供一个允许降低花费，也允许降低发送功率的损耗的成本低的等离子体处理装置。等离子体处理装置(1)具有一个装置主体(2)和附带设备(3)。附带设备(3)包括一个给处理室(4)供应功率的供电设备(5)和多个干泵(6)和(7)等等。供电设备(5)包括一个匹配单元(9)，一个通过同轴电缆(24)连接到匹配单元(9)的RF放大器(13)，和一个其中具有DC放大器(14)的功率控制器(12)。RF放大器(13)对于DC放大器(14)而言，以一个独立部分形成，并被放置在远离DC放大器(14)且接近匹配单元(9)的位置，且通过普通电缆(25)连接到DC放大器(14)。
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公开(公告)号：CN1459125A
公开(公告)日：2003-11-26
申请号：CN01815651.7
申请日：2001-09-13
申请人： 东京毅力科创株式会社 , 株式会社东芝
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/32137 , H01J37/32082 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/3266 , H01J2237/3347 , H01L21/3065 , H01L21/3081
摘要： 本发明提供一种硅高速腐蚀方法，与可保持真空的处理室内的处理空间接触，来设置具有硅区域的被处理对象W，在该处理空间内导入腐蚀气体，产生气压为13～1333Pa(100mTorr～10Torr)的气体环境，通过施加高频电力产生等离子。在该等离子中，离子等带电粒子的个数与基团的个数之和变大，使硅区域的腐蚀比以前高速化。
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公开(公告)号：CN100539000C
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200510127554.9
申请日：2005-12-05
申请人： 东京毅力科创株式会社 , 株式会社东芝
IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/3065 , H01L21/31 , H01L21/20 , C23C16/50 , C23C14/34 , C23F4/00 , H01J37/32 , H05H1/46
摘要： 本发明提供一种电容耦合型的等离子体处理装置(100)，包括可设定为具有真空气氛的处理腔室和将处理气体供给腔室(1)内的处理气体供给部(15)。在腔室(1)内、第一电极(2)和第二电极(18)相对地配置。为了在第一和第二电极间的等离子体生成区域(R1)中形成高频电场，配置将高频电力供给至第一或第二电极的高频电源(10)。高频电场使处理气体变成等离子体。被处理基板(W)在第一和第二电极之间，由支撑部件(2)所支撑，使其被处理面与第二电极(18)相对。在等离子体生成区域(R1)周围的周围区域(R2)中，配置接地的导电性作用面AS，以扩展等离子体，进行调制，使得与等离子体实质上直流地结合。
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公开(公告)号：CN1284213C
公开(公告)日：2006-11-08
申请号：CN01815651.7
申请日：2001-09-13
申请人： 东京毅力科创株式会社 , 株式会社东芝
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/32137 , H01J37/32082 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/3266 , H01J2237/3347 , H01L21/3065 , H01L21/3081
摘要： 本发明提供一种硅高速腐蚀方法，与可保持真空的处理室内的处理空间接触，来设置具有硅区域的被处理对象W，在该处理空间内导入腐蚀气体，产生气压为13～1333Pa(100mTorr～10Torr)的气体环境，通过施加高频电力产生等离子。在该等离子中，离子等带电粒子的个数与基团的个数之和变大，使硅区域的腐蚀比以前高速化。
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公开(公告)号：CN101047140A
公开(公告)日：2007-10-03
申请号：CN200710091343.3
申请日：2007-03-30
申请人： 东京毅力科创株式会社 , 株式会社东芝
IPC分类号： H01L21/677 , H01L21/683 , H01L21/67 , H01L21/3065 , H01L21/00
CPC分类号： H01L21/67748 , H01L21/6831 , H01L21/6875
摘要： 一种能够限制颗粒产生的基板传送装置。该基板传送装置(1)包括容纳晶片(W)的处理腔(12)、用于将晶片传送到处理腔中的传送臂(17)，和置于处理腔中并安装传送晶片的基座(45)。带有多个突起(55a)的静电夹盘(55)置于基座的上部内。带有多个用于保持晶片的突起(25a)的传送叉(25)置于传送臂的末端上。这些突起(25a)设置在传送叉(25)中以使突起(25a)的晶片保持部(81)与静电夹盘的突起(55a)的晶片保持部分(80)不同。
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公开(公告)号：CN1783430A
公开(公告)日：2006-06-07
申请号：CN200510127554.9
申请日：2005-12-05
申请人： 东京毅力科创株式会社 , 株式会社东芝
IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/3065 , H01L21/31 , H01L21/20 , C23C16/50 , C23C14/34 , C23F4/00 , H01J37/32 , H05H1/46
摘要： 本发明提供一种电容耦合型的等离子体处理装置(100)，包括可设定为具有真空气氛的处理腔室和将处理气体供给腔室(1)内的处理气体供给部(15)。在腔室(1)内、第一电极(2)和第二电极(18)相对地配置。为了在第一和第二电极间的等离子体生成区域(R1)中形成高频电场，配置将高频电力供给至第一或第二电极的高频电源(10)。高频电场使处理气体变成等离子体。被处理基板(W)在第一和第二电极之间，由支撑部件(2)所支撑，使其被处理面与第二电极(18)相对。在等离子体生成区域(R1)周围的周围区域(R2)中，配置接地的导电性作用面AS，以扩展等离子体，进行调制，使得与等离子体实质上直流地结合。
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公开(公告)号：CN1596458A
公开(公告)日：2005-03-16
申请号：CN02823544.4
申请日：2002-11-26
申请人： 东京毅力科创株式会社 , 株式会社东芝
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/205 , H01L21/3065 , C23C16/50 , C23C14/34
CPC分类号： H01J37/32174 , H01J37/32082
摘要： 本发明提供一个允许降低花费，也允许降低发送功率的损耗的成本低的等离子体处理装置。等离子体处理装置(1)具有一个装置主体(2)和附带设备(3)。附带设备(3)包括一个给处理室(4)供应功率的供电设备(5)和多个干泵(6)和(7)等等。供电设备(5)包括一个匹配单元(9)，一个通过同轴电缆(24)连接到匹配单元(9)的RF放大器(13)，和一个其中具有DC放大器(14)的功率控制器(12)。RF放大器(13)对于DC放大器(14)而言，以一个独立部分形成，并被放置在远离DC放大器(14)且接近匹配单元(9)的位置，且通过普通电缆(25)连接到DC放大器(14)。
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公开(公告)号：CN1290200C
公开(公告)日：2006-12-13
申请号：CN200410000178.2
申请日：2004-01-08
申请人： 株式会社东芝
IPC分类号： H01L27/108 , H01L21/82 , H01L21/8242
CPC分类号： H01L27/1087 , H01L27/10829 , H01L29/66181 , H01L29/945
摘要： 一种包括沟槽电容器的半导体器件包括半导体衬底，包括窄部分和主部分的沟槽，窄部分的直径同轴地小于主部分处的沟槽直径，提供在半导体衬底中环绕包括窄部分的沟槽的第一电容器电极，沿第一电容器电极的表面提供的电容器绝缘膜，以及提供在沟槽内部的第二电容器电极。
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公开(公告)号：CN1518113A
公开(公告)日：2004-08-04
申请号：CN200410000178.2
申请日：2004-01-08
申请人： 株式会社东芝
IPC分类号： H01L27/108 , H01L21/82 , H01L21/8242
CPC分类号： H01L27/1087 , H01L27/10829 , H01L29/66181 , H01L29/945
摘要： 一种包括沟槽电容器的半导体器件包括半导体衬底，包括窄部分和主部分的沟槽，窄部分的直径同轴地小于主部分处的沟槽直径，提供在半导体衬底中环绕包括窄部分的沟槽的第一电容器电极，沿第一电容器电极的表面提供的电容器绝缘膜，以及提供在沟槽内部的第二电容器电极。
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