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公开(公告)号：CN113145578A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202110084725.3
申请日：2021-01-21
Abstract: 本发明涉及反应管的清洗方法、半导体器件的制造方法及衬底处理装置。用含氟化合物的药液清洗也能抑制氟化合物残留在反应管内周面。该技术具有：将具有对反应管进行退火第1退火工序、用含第1浓度的氟化合物的液体对第1退火工序后的反应管的内周面进行清洗的第1清洗工序及用纯水冲洗第1清洗工序中使用的氟化合物进行的第1漂洗工序且将第1漂洗工序进行1次以上的循环作为1个循环并将其进行1次或多次；对反应管进行退火的第2退火工序；用含比第1浓度高的第2浓度的氟化合物的液体对第2退火工序后的反应管的内周面进行清洗的第2清洗工序；用纯水冲洗第2清洗工序中使用的氟化合物的第2漂洗工序，第2漂洗工序进行2次以上。
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公开(公告)号：CN113145578B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202110084725.3
申请日：2021-01-21
Abstract: 本发明涉及反应管的清洗方法、半导体器件的制造方法及衬底处理装置。用含氟化合物的药液清洗也能抑制氟化合物残留在反应管内周面。该技术具有：将具有对反应管进行退火第1退火工序、用含第1浓度的氟化合物的液体对第1退火工序后的反应管的内周面进行清洗的第1清洗工序及用纯水冲洗第1清洗工序中使用的氟化合物进行的第1漂洗工序且将第1漂洗工序进行1次以上的循环作为1个循环并将其进行1次或多次；对反应管进行退火的第2退火工序；用含比第1浓度高的第2浓度的氟化合物的液体对第2退火工序后的反应管的内周面进行清洗的第2清洗工序；用纯水冲洗第2清洗工序中使用的氟化合物的第2漂洗工序，第2漂洗工序进行2次以上。
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公开(公告)号：CN115841937B
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202210870323.0
申请日：2022-07-18
Applicant: 株式会社国际电气
Abstract: 本发明提供一种炉口部结构、基板处理装置以及半导体装置的制造方法，能够抑制以构成炉口部的部件为发生源的基板的金属污染。根据本公开的一方式，具备：上侧入口部，其经由第一密封部件与设置于反应管的下部的第一突部连接，并对所述反应管进行支撑；下侧入口部，其经由第二密封部件与该上侧入口部连接；以及固定环，其与该上侧入口部连结，并固定所述第一突部，并且构成为：所述上侧入口部配置在设置于所述反应管的下部的排气管的下方，使冷却介质在设置于所述上侧入口部和所述固定环各自的内部的流路中流通，从而能够对所述第一突部进行冷却。
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公开(公告)号：CN115777136A
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN202180048139.1
申请日：2021-09-13
Applicant: 株式会社国际电气
IPC: H01L21/31
Abstract: 本发明公开了一种能够防止喷嘴外周与喷嘴转接器直接接触、防止因直接接触而产生微粒的技术。具备：喷嘴，具有形成于一端的安装部，将供给到所述安装部的气体向处理室内喷出；喷嘴转接器，配置于所述处理室内，与所述安装部的外周面以规定的间隔间隙配合；以及多个环状缓冲部件，分别配置于所述安装部，与所述喷嘴转接器抵接，在所述喷嘴的所述安装部安装于所述喷嘴转接器的状态下，所述环状缓冲部件中的至少一个在对应的环状缓冲部件的半径方向上压缩变形。
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公开(公告)号：CN113265645B
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202011531133.3
申请日：2020-12-22
Applicant: 株式会社国际电气
IPC: C23C16/455 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供喷嘴设置夹具及使用了该喷嘴设置夹具的喷嘴安装方法，能够将喷嘴适当地安装于反应管。喷嘴设置夹具具备：下板，其具有与在内部配置喷嘴的处理容器的下端开口的周边部抵接的基准面；框架部，其固定于下板且相对于基准面向上方伸出；上板，其固定于框架部且具有检测处理容器内的喷嘴的位置的传感器；以及通知器，其固定于上板且根据传感器检测到的结果进行对作业者的通知。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116635568A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202080107985.1
申请日：2020-12-21
Applicant: 株式会社国际电气
IPC: C23C16/455
Abstract: 本发明一边维持或提高面内均匀性，一边提高处理气体的供给效率。本发明具备：基板保持件，其保持多个基板；反应管，其收纳基板保持件；气体供给机构，其具有与多个基板分别对应的多个供给孔，且对多个基板分别供给气体；以及多个板材，其至少一部分配置于气体供给机构与基板保持件之间，且与多个基板分别大致平行地设置。
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公开(公告)号：CN115938977A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202210931503.5
申请日：2022-08-04
Applicant: 株式会社国际电气
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种能够在防止喷管倒伏的同时将喷管连接于反应管并进行固定的基板处理装置、处理容器、半导体器件的制造方法及记录介质。提供一种技术，具备：非金属制的气体导入部，其将处理容器的侧壁贯穿且与上述侧壁一体地设置，具有向上述处理容器内突出的前端；非金属制的喷管，其具有插入在上述气体导入部的内侧且与上述气体导入部流体性连通的第1直线部、和与上述第1直线部流体性连通且沿着上述处理容器的内壁配置的第2直线部；以及固定块，其设在上述处理容器的上述侧壁的内侧且上述气体导入部的上方，具有能够使上述喷管在上述处理容器的半径方向上移动的槽。
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公开(公告)号：CN115841937A
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202210870323.0
申请日：2022-07-18
Applicant: 株式会社国际电气
Abstract: 本发明提供一种炉口部结构、基板处理装置以及半导体装置的制造方法，能够抑制以构成炉口部的部件为发生源的基板的金属汚染。根据本公开的一方式，具备：上侧入口部，其经由第一密封部件与设置于反应管的下部的第一突部连接，并对所述反应管进行支撑；下侧入口部，其经由第二密封部件与该上侧入口部连接；以及固定环，其与该上侧入口部连结，并固定所述第一突部，并且构成为：所述上侧入口部配置在设置于所述反应管的下部的排气管的下方，使冷却介质在设置于所述上侧入口部和所述固定环各自的内部的流路中流通，从而能够对所述第一突部进行冷却。
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公开(公告)号：CN115110062A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202210183980.8
申请日：2022-02-28
Applicant: 株式会社国际电气
IPC: C23C16/455 , C23C16/34 , C23C16/458 , C23C16/52 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供基板处理装置、喷嘴安装件、基板处理方法以及半导体装置的制造方法，能够降低喷嘴的倾度。该基板处理装置具备：处理容器，其由反应管和从下方支撑反应管的歧管构成，且在内部处理基板；喷嘴，其向基板供给处理气体；金属安装件，其使喷嘴竖立设置于处理容器内；支撑基座，其配置于金属安装件的下方，且固定于歧管；以及固定螺栓，其与支撑基座卡合，并且与金属安装件螺纹结合。
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公开(公告)号：CN113265645A
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN202011531133.3
申请日：2020-12-22
Applicant: 株式会社国际电气
IPC: C23C16/455 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供喷嘴设置夹具及使用了该喷嘴设置夹具的喷嘴安装方法，能够将喷嘴适当地安装于反应管。喷嘴设置夹具具备：下板，其具有与在内部配置喷嘴的处理容器的下端开口的周边部抵接的基准面；框架部，其固定于下板且相对于基准面向上方伸出；上板，其固定于框架部且具有检测处理容器内的喷嘴的位置的传感器；以及通知器，其固定于上板且根据传感器检测到的结果进行对作业者的通知。
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