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公开(公告)号：CN113193037B
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202110354520.2
申请日：2021-04-01
申请人： 北京大学
摘要： 本发明公开了一种Ga2O3基共振隧穿二极管及其制备方法。本发明采用Ga2O3有源区双势垒结构，集电极势垒层的Al组分大于发射极势垒层的Al组分，使得具有超大的禁带宽度和击穿场强，在更高电压下会出现更多微分负阻现象，器件更适合高功率工作并提高了峰谷电流比值；利用Ga2O3材料具有无自发极化的特点，极大弱化发射极产生电荷积累区和集电极产生电荷耗尽区，提高器件的稳定性；采用(AlxGa1‑x)2O3/Ga2O3双势垒结构导带能量偏移大，有效减小越过势垒的热电子发射电流等非隧穿电流机制，提高器件的输出功率。
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公开(公告)号：CN109585269A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201811330967.0
申请日：2018-11-09
申请人： 北京大学
摘要： 本发明公开了一种利用二维晶体过渡层制备半导体单晶衬底的方法。本发明通过在半导体单晶厚膜结构与异质衬底之间引入二维晶体过渡层，利用原子层间分子力结合弱、易于破坏分离的特点，采用剥离方法实现半导体单晶厚膜结构与异质衬底的分离，得到大尺寸、高质量的自支撑半导体单晶衬底；能够根据二维晶体的厚度自主选择自剥离或机械剥离的方式，增加剥离工艺可控性，不会对半导体单晶厚膜结构造成损伤，成品率高，可重复性好；通过二维晶体层间弱分子力键合，部分释放异质衬底和半导体单晶厚膜结构间的失配应力，避免生长及降温时开裂；异质衬底可重复使用，工艺稳定，成本低廉；设备简单，易操作，适合产业化生产。
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公开(公告)号：CN105428448B
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201510751121.4
申请日：2015-11-06
申请人： 北京大学
IPC分类号： H01L31/065 , H01L31/18
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要： 本发明公开了一种双组分渐变结构太阳能电池及其制备方法。本发明的太阳能电池包括：衬底、底电极接触层、底组分渐变层、吸收增强层、顶组分渐变层、顶电极接触层、顶电极、底电极以及钝化层；其中，在衬底上生长底电极接触层；在底电极接触层的一部分上依次为底组分渐变层、吸收增强层、顶组分渐变层、顶电极接触层和顶电极；在底电极接触层的一部分上为底电极；在各个层的侧面覆盖有钝化层；顶组分渐变层对全太阳光谱均有吸收，可有效提升光电转换效率；部分透过顶组分渐变层的太阳光可进一步被吸收增强层吸收；底组分渐变层既可消除电子(空穴)输运势垒，又可调控晶格应力以提高材料生长质量。
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公开(公告)号：CN104409556B
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201410738690.0
申请日：2014-12-05
申请人： 北京大学
IPC分类号： H01L31/111 , H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明公开了一种氮化物复合势垒量子阱红外探测器及其制备方法。本发明的量子阱红外探测器的多量子阱为包含多个周期的复合势垒和势阱，其中，复合势垒为包括平带势垒和尖峰势垒的双层结构；通过极化调制的方法形成平带势垒，平带势垒以上的能级相互耦合形成准连续态，进而形成光电流的通路；通过增加平带势垒的厚度，可以在光电流信号强度基本不变的情况下，抑制暗电流的背景噪声，进而提高信噪比。本发明利用低温精细外延设备控制有源区界面以及各层厚度，可以获得高质量的外延晶片；多量子阱采用III族氮化物材料，可以实现全红外光谱窗口的光子探测；本发明的探测器在液氦温区成功探测到光电流信号，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN105428448A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201510751121.4
申请日：2015-11-06
申请人： 北京大学
IPC分类号： H01L31/065 , H01L31/18
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/065 , H01L31/1848
摘要： 本发明公开了一种双组分渐变结构太阳能电池及其制备方法。本发明的太阳能电池包括：衬底、底电极接触层、底组分渐变层、吸收增强层、顶组分渐变层、顶电极接触层、顶电极、底电极以及钝化层；其中，在衬底上生长底电极接触层；在底电极接触层的一部分上依次为底组分渐变层、吸收增强层、顶组分渐变层、顶电极接触层和顶电极；在底电极接触层的一部分上为底电极；在各个层的侧面覆盖有钝化层；顶组分渐变层对全太阳光谱均有吸收，可有效提升光电转换效率；部分透过顶组分渐变层的太阳光可进一步被吸收增强层吸收；底组分渐变层既可消除电子(空穴)输运势垒，又可调控晶格应力以提高材料生长质量。
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公开(公告)号：CN115728287B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202211434099.7
申请日：2022-11-16
申请人： 北京大学
发明人： 荣新
摘要： 本发明公开了一种低波数拉曼光谱测试系统及其测量方法。本发明采用小孔光阑和长波通滤光片，能够实现10波数以下的低波数拉曼光谱信号测试；通过小孔光阑AP的限束作用结合长波通滤光片LPF等配置，低波数拉曼光谱系统的光路调节简便，解决了的低波数拉曼光谱系统的信号难于捕捉及优化的问题，使低波数拉曼光谱系统的调节难度降低同时信号的信噪比提高；本发明能够集成变温拉曼光谱、扫描成像系统、电学参数和热学参数测试系统等模块；本发明能够同时测试光致发光光谱，并且兼容高波数拉曼光谱测试。
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公开(公告)号：CN110346321A
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201910694389.7
申请日：2019-07-30
申请人： 北京大学
发明人： 荣新
IPC分类号： G01N21/3563 , G01N21/35 , G01N21/552 , G01N21/01
摘要： 本发明公开了一种用于红外光谱仪的衰减全反射及变角测试附件及方法。本发明通过入射角调整镜和与之联动等高的出射角调整镜实现精确可控的变角测试，通过入射角刻度盘显示读取入射角；在变角测试光路基础上，通过切换载物台及加装预置扭力夹紧装置实现衰减全反射测试，两种模式共用一套光路，系统集成度高；衰减全反射模式中，通过切换三角或梯形ATR晶体载物台实现被测的样品的局部和大范围均匀性对比的红外光谱测试；主光路在各镜片的入射面满足共面条件，通过在入口光处加入偏振片实现偏振测试，通过加入斩波器可实现振幅调制测试；光路中样品的入射角可采用平行光模式，入射角单值性好，红外光谱不产生额外展宽；本发明具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN110323308A
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201910491149.7
申请日：2019-06-06
申请人： 北京大学
摘要： 本发明公开了一种利用石墨烯阻挡层制备氮化物垂直结构LED的方法。本发明通过在单晶金属衬底上表面引入高晶体质量的、具有六方晶体结构对称性的石墨烯阻挡层，利用石墨烯阻挡层的层内强共价键阻挡单晶金属衬底与氮化物LED的界面反应和金属原子的扩散，利用石墨烯阻挡层的层间弱分子力结合弛豫金属衬底和氮化物LED结构的晶格失配和热失配，通过表面活化处理石墨烯阻挡层提供氮化物LED的成核位点，进而得到高晶体质量、高发光效率的大功率氮化物垂直结构LED；本发明具有简化氮化物垂直结构LED制备工艺、提高氮化物LED的晶体质量和发光效率、提高氮化物LED散热能力、成本低、成品率高、设备简单易操作、适合产业化生产等优点。
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公开(公告)号：CN110172732A
公开(公告)日：2019-08-27
申请号：CN201910468538.8
申请日：2019-05-31
申请人： 北京大学
摘要： 本发明公开了一种利用过渡金属氮化物牺牲层制备氮化物单晶衬底的方法。本发明通过在氮化物单晶厚膜与氮化物模板之间引入六方晶体结构对称性的β相过渡金属氮化物牺牲层，利用过渡金属氮化物牺牲层与氮化物单晶厚膜的晶向匹配、晶格失配小、能够选择性刻蚀的特点，采用选择性刻蚀方法实现氮化物单晶厚膜与氮化物模板的分离，得到大尺寸、高质量的自支撑氮化物单晶衬底；本发明易于在过渡金属氮化物牺牲层上直接成核生长高质量氮化物单晶厚膜，无需引入额外工序辅助氮化物单晶厚膜成核，简化工艺流程；无需采用复杂的激光剥离技术，氮化物模板可重复使用，降低剥离工艺难度及成本，提高成品率；设备简单，能耗低，易操作，适合产业化生产。
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公开(公告)号：CN105846310B
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201610246740.2
申请日：2016-04-20
申请人： 北京大学
摘要： 本发明公开了一种出光增强型电子束泵浦紫外光源及其制备方法。本发明的外延层的多量子阱作为有源区，势阱采用单原子层或亚原子层的数字合金，可以提高载流子局域化，抑制非辐射复合过程，进而提高内量子效率；利用周期性网格状划痕并蒸镀高反射金属薄膜，形成具有凹面的网格状反射层，可增强紫外光的反射，提高光提取效率；电子束泵浦源采用场发射电子束，场发射电子束的小型化和成本低廉使其易于商业化；同时，电子束泵浦源均配有金属栅极，更易于阴极加速的电流的控制、可有效解决发射电子均匀性。
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