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公开(公告)号：CN114420182B
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202210318852.X
申请日：2022-03-29
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 复旦大学
IPC分类号： G11C13/00
摘要： 本申请实施例提供一种非易失性存储单元的数据处理方法、装置及存储介质，属于半导体技术领域。方法包括：获取待处理数据；确定待处理数据对应的数据热度类别；向非易失性存储单元施加与待处理数据的数据热度类别对应的编程电压信号，以将待处理数据写入非易失性存储单元。本实施方式在对非易失性存储单元进行数据写操作时，基于考虑数据的数据热度类别，针对待处理数据的不同数据热度类别向非易失性存储单元施加不同大小的编程电压，从而使得不同数据热度类别的数据在非易失性存储单元中具有不同的数据保持时间，进而能够有效降低功耗。
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公开(公告)号：CN114420182A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202210318852.X
申请日：2022-03-29
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 复旦大学
IPC分类号： G11C13/00
摘要： 本申请实施例提供一种非易失性存储单元的数据处理方法、装置及存储介质，属于半导体技术领域。方法包括：获取待处理数据；确定待处理数据对应的数据热度类别；向非易失性存储单元施加与待处理数据的数据热度类别对应的编程电压信号，以将待处理数据写入非易失性存储单元。本实施方式在对非易失性存储单元进行数据写操作时，基于考虑数据的数据热度类别，针对待处理数据的不同数据热度类别向非易失性存储单元施加不同大小的编程电压，从而使得不同数据热度类别的数据在非易失性存储单元中具有不同的数据保持时间，进而能够有效降低功耗。
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公开(公告)号：CN112582526B
公开(公告)日：2023-02-07
申请号：CN202011379151.4
申请日：2020-11-30
申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
IPC分类号： H10N10/851 , H10N10/01
摘要： 本发明涉及材料领域，公开了制备ZrNiSn块体热电材料的方法和电池。该方法包括：(1)将Zr粉、Ni粉和Sn粉混合，以得到金属混合物；(2)将所述金属混合物装入导电模具中，并对所述导电模具通电，以电流诱发自蔓延反应；(3)进一步对所述导电模具通电，加热所述金属混合物，并加载轴向压力，以得到致密的ZrNiSn块体热电材料。该方法原料来源丰富、价格低廉，并且制备时间超短、工艺简单、能耗低及性能优越，适合规模化生产。
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公开(公告)号：CN112510143A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN202011455669.1
申请日：2020-12-10
申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
摘要： 本发明提供一种纵向结构柔性热电器件及其制造方法，属于热电应用领域。所述器件包括：上基板，具有基板电极；下基板，具有基板电极；p型热电粒子和n型热电粒子，所述p型热电粒子和所述n型热电粒子交替排布在所述上基板与所述下基板之间并与所述基板电极焊接固定，每一个p型热电粒子首尾各串接一个n型热电粒子；所述上基板沿其基板电极图案呈分割状态，且分割裂痕与其基板电极无交叉。通过上基板的分割线，使得热电器件具有一定的弯曲能力，解决了目前纵向结构热电器不具备柔性可弯曲性能的问题。
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公开(公告)号：CN112285412A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN202011024238.X
申请日：2020-09-25
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 国网思极紫光(青岛)微电子科技有限公司 , 北京大学
IPC分类号： G01R19/25
摘要： 本发明实施例提供一种带隙基准源测量装置及方法，其中测量装置包括：测量电容、控制开关、比较器、计数器和计算模块；控制开关与测量电容并联连接，且控制开关在测量电容充电过程中处于常开状态；测量电容的第一端连接比较器的同向输入端，测量电容的第二端接地，比较器的输出端连接计数器的计数输入端以及控制开关的控制端，用于在比较器输出高电平时，控制控制开关闭合；计算模块连接计数器的输出端，用于在将待测量带隙基准源接入带隙基准源测量装置进行测量的过程中，获取计数器的输出计数，并基于输出计数，获取对待测量带隙基准源的测量结果。本发明实施例能够更加准确、直观的显示测量结果。
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公开(公告)号：CN115360295B
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211292154.3
申请日：2022-10-21
申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 西安交通大学
摘要： 本申请涉及磁传感器领域，提供一种基于长方体硅基通孔的三维磁传感器及其制造方法。所述基于长方体硅基通孔的三维磁传感器，包括长方体硅基底和三个薄膜磁阻单元，三个薄膜磁阻单元分别形成于长方体硅基底的三个相邻面的表面，三个薄膜磁阻单元通过长方体硅基底内部的硅通孔导线相互连接，所述硅通孔导线从长方体硅基底的三个相邻面垂直延伸到长方体硅基底内部进行连通；三个薄膜磁阻单元均设置有金属电极，所述硅通孔导线与三个薄膜磁阻单元的金属电极形成为一体。本申请本申请通过硅通孔导线实现三个薄膜磁阻单元的电气互联，集成度高、可靠性强，同时充分利用垂直空间实现高密度三维磁传感器的集成，体积小、功耗低。
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公开(公告)号：CN114689955A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202011566708.5
申请日：2020-12-25
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 西安电子科技大学 , 北京芯可鉴科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种用于测试MCU静电放电防护性能的电路及方法，该电路通过在MCU的外围电路中加入ESD干扰信号源，并接入待测试的MCU；然后利用直流电压信号驱动待测试MCU产生无ESD干扰信号的输出波形；获取ESD干扰信号源的参数，并得到ESD干扰信号；将直流电压信号和ESD干扰信号进行共同作用于待测试的MCU，得到有ESD干扰信号的输出波形；将无ESD干扰信号的输出波形和有ESD干扰信号的输出波形进行对比分析，以完成待测试MCU的静电放电防护性能测试评估。本发明提供的测试MCU静电放电防护性能的电路，克服了现有技术中在MCU启动后外围电路无法测试MCU在启动后的ESD干扰的问题，可用于对具有稳定静电放电防护性能的MCU的测试筛选，从而提高集成电路的稳定性。
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公开(公告)号：CN113866690A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202111453598.6
申请日：2021-12-01
申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 北京航空航天大学青岛研究院
摘要： 本发明涉及磁传感器领域，提供一种三轴隧穿磁电阻传感器及其制备方法、使用方法。所述三轴隧穿磁电阻传感器，包括上电极、下电极以及所述上电极与所述下电极之间的垂直磁各向异性隧道结；所述垂直磁各向异性隧道结用于在电场调控效应下，感应不同方向的磁矩矢量。本发明基于TMR效应，利用垂直磁各向异性隧道结在电场调控效应下，感应不同方向的磁矩矢量，相较于现有的基于霍尔效应或巨磁阻效应的磁电阻传感器，灵敏度更高，易于集成。
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公开(公告)号：CN113866690B
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202111453598.6
申请日：2021-12-01
申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 北京航空航天大学青岛研究院
摘要： 本发明涉及磁传感器领域，提供一种三轴隧穿磁电阻传感器及其制备方法、使用方法。所述三轴隧穿磁电阻传感器，包括上电极、下电极以及所述上电极与所述下电极之间的垂直磁各向异性隧道结；所述垂直磁各向异性隧道结用于在电场调控效应下，感应不同方向的磁矩矢量。本发明基于TMR效应，利用垂直磁各向异性隧道结在电场调控效应下，感应不同方向的磁矩矢量，相较于现有的基于霍尔效应或巨磁阻效应的磁电阻传感器，灵敏度更高，易于集成。
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公开(公告)号：CN112614536A
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN202011452068.5
申请日：2020-12-09
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 国网思极紫光(青岛)微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 北京航空航天大学
摘要： 本发明提供一种MRAM存储阵列温度自检测方法、存储控制方法和系统，属于存储器领域。所述方法包括：为第一存储阵列分区分配对应的写错误检测区域地址和读错误检测区域地址；生成多个随机数组，将多个随机数组中的每一个随机数组分别在写错误检测区域地址对应的第一存储阵列中执行一次读写操作，得到第一存储阵列的写错误率测量值；生成固定数组，将固定数组写入读错误检测区域地址对应的第二存储阵列中，执行多次读操作，得到第二存储阵列的读错误率测量值；根据写错误率基础值、读错误率基础值、写错误率测量值和读错误率测量值，判断第一存储阵列和第二存储阵列所属的第一存储阵列分区当前的温度范围。
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