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公开(公告)号:CN114720923A
公开(公告)日:2022-07-08
申请号:CN202210532932.5
申请日:2022-05-17
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 西安交通大学
Abstract: 本申请涉及磁传感器领域,提供一种镂空立方体封装的三维磁传感器及其制作方法。所述镂空立方体封装的三维磁传感器,包括:镂空立方体构件和三个磁阻单元,三个所述磁阻单元分别粘接于所述镂空立方体构件的三个相邻的表面,三个所述磁阻单元在所述镂空立方体构件的内部电气互联。本申请充分利用垂直空间实现高密度的三维磁传感器集成,体积小,功耗低。本申请借助镂空立方体构件的固定作用,其相邻平面的磁阻单元的角度相互垂直,形状稳定性好,灵敏度高,可实现优良的三维磁传感能力。
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公开(公告)号:CN116299082A
公开(公告)日:2023-06-23
申请号:CN202310203775.8
申请日:2023-03-02
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 西安交通大学
Abstract: 本发明提供一种3D混叠结构的三维磁场传感器及其制备方法,属于传感器封装技术领域。所述三维磁场传感器包括:外围集成电路单元和三个磁敏感单元,所述外围集成电路单元与三个磁敏感单元在垂直方向上堆叠设置;三个磁敏感单元包括基于霍尔(Hall)效应的Z轴磁敏感单元和基于各向异性磁阻(AMR)效应的X轴磁敏感单元及Y轴磁敏感单元;三个磁敏感单元与外围集成电路单元通过硅通孔导线相互电连接。采用硅通孔技术及3D堆叠技术,可以有效克服传统键合引线互联法带来的面积和体积消耗大、集成度低的缺点,为AMR/Hall混合三轴磁场传感器的微小型化和商业化应用带来可能。
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公开(公告)号:CN115360295B
公开(公告)日:2023-01-31
申请号:CN202211292154.3
申请日:2022-10-21
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 西安交通大学
Abstract: 本申请涉及磁传感器领域,提供一种基于长方体硅基通孔的三维磁传感器及其制造方法。所述基于长方体硅基通孔的三维磁传感器,包括长方体硅基底和三个薄膜磁阻单元,三个薄膜磁阻单元分别形成于长方体硅基底的三个相邻面的表面,三个薄膜磁阻单元通过长方体硅基底内部的硅通孔导线相互连接,所述硅通孔导线从长方体硅基底的三个相邻面垂直延伸到长方体硅基底内部进行连通;三个薄膜磁阻单元均设置有金属电极,所述硅通孔导线与三个薄膜磁阻单元的金属电极形成为一体。本申请本申请通过硅通孔导线实现三个薄膜磁阻单元的电气互联,集成度高、可靠性强,同时充分利用垂直空间实现高密度三维磁传感器的集成,体积小、功耗低。
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公开(公告)号:CN115360295A
公开(公告)日:2022-11-18
申请号:CN202211292154.3
申请日:2022-10-21
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 西安交通大学
Abstract: 本申请涉及磁传感器领域,提供一种基于长方体硅基通孔的三维磁传感器及其制造方法。所述基于长方体硅基通孔的三维磁传感器,包括长方体硅基底和三个薄膜磁阻单元,三个薄膜磁阻单元分别形成于长方体硅基底的三个相邻面的表面,三个薄膜磁阻单元通过长方体硅基底内部的硅通孔导线相互连接,所述硅通孔导线从长方体硅基底的三个相邻面垂直延伸到长方体硅基底内部进行连通;三个薄膜磁阻单元均设置有金属电极,所述硅通孔导线与三个薄膜磁阻单元的金属电极形成为一体。本申请本申请通过硅通孔导线实现三个薄膜磁阻单元的电气互联,集成度高、可靠性强,同时充分利用垂直空间实现高密度三维磁传感器的集成,体积小、功耗低。
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公开(公告)号:CN119986170A
公开(公告)日:2025-05-13
申请号:CN202510410427.7
申请日:2025-04-02
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 一种电场传感器、制备方法及应用,包括压电材料层、阻变材料层和电极,阻变材料层设置在压电材料层表面,电极设置在阻变材料层表面;在施加外加电场时,压电材料层带动阻变材料层发生形变,改变阻变材料层自身的表面电阻。本发明通过融合压电‑阻变双模传感机制突破传统传感技术局限。基于微纳制造工艺构建的异质结构器件,实现了应变‑电荷协同耦合的电场响应模型,有效克服了传统装置在高精度、高灵敏度方面的技术短板。区别于常规机械耦合式传感器,采用脉冲激光沉积工艺在压电基板表面异质外延镍基氧化物功能层,构建具有宽动态响应范围和强场检测能力的微结构传感器,为高压输变电系统提供全时域电压状态感知解决方案。
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公开(公告)号:CN119623285A
公开(公告)日:2025-03-14
申请号:CN202411728803.9
申请日:2024-11-28
Applicant: 西安交通大学 , 中国电力科学研究院有限公司
IPC: G06F30/27 , G06N3/0442 , G06N3/0985 , G06N5/01 , G06F119/04
Abstract: 本发明属于传感器寿命预测技术领域,公开一种基于融合算法的传感器寿命预测方法及相关装置,包括:获取传感器在工况下对应的灵敏度数据,预处理后得到电压电流和温度分别引起的灵敏度下降数据;基于电压电流引起的灵敏度下降数据,构建电压电流引起传感器老化的模型;基于温度引起的灵敏度下降数据,结合算法融合得到温度引起的传感器寿命消耗模型;将温度引起的传感器寿命消耗模型和电压电流引起传感器老化的模型合并得到复合预估模型,进行传感器寿命预测。本发明针对电压电流和温度引起的传感器灵敏度下降,分别采用极端梯度提升树和长短时记忆算法进行建模。通过网格搜索算法获取最佳参数组合,确保模型的高精度。
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公开(公告)号:CN111257803B
公开(公告)日:2025-01-24
申请号:CN202010202234.X
申请日:2020-03-20
Applicant: 西安交通大学
IPC: G01R33/032 , G01R33/00
Abstract: 一种用于声表面波磁传感器的信号采集系统,包括第一振荡电路、第二振荡电路、混频电路、放大整形电路和单片机频率测量电路;混频电路的第一输入端连接第一振荡电路,混频电路3的第二输入端连接第二振荡电路;放大整形电路与混频电路的信号输出端IF相连接;频率测量电路主连接放大整形电路的信号输出端;第一振荡电路和第二振荡电路均用于输出SAW传感器测量频率信号。本发明采用Pierce型振荡电路,SAW传感器易自激振荡输出特定频率的正弦信号。进一步通过单一差值即测量支路信号频率的改变可以测出磁场强度大小。精度高,检测范围宽,无测试盲区。
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公开(公告)号:CN118519078A
公开(公告)日:2024-08-20
申请号:CN202410849819.9
申请日:2024-06-27
Applicant: 西安交通大学 , 国网智能电网研究院有限公司 , 国网江苏省电力有限公司南京供电分公司
Abstract: 本发明属于传感器技术领域,公开了电驱动双机制协同式磁电传感器、探测器及磁场探测方法,传感器包括非对称磁电复合异质结、夹具和永磁体;夹具固定夹持在非对称磁电复合异质结的一端,永磁体设置在非对称磁电复合异质结的另一端,形成悬臂梁结构;非对称磁电复合异质结包括两层压电层和磁致伸缩功能层,两层压电层分别复合在磁致伸缩功能层的两侧以构成的非对称结构。本发明单端加持、末端附磁铁的双压电片式磁机电传感器构型,电激励工作模式下通过电驱动电读出,实现“非磁攻磁”,突破传统通过线圈加磁驱动带来的难以小型化和功耗高的难题。
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公开(公告)号:CN115996164A
公开(公告)日:2023-04-21
申请号:CN202211582216.4
申请日:2022-12-08
Applicant: 西安交通大学
IPC: H04L27/00 , H01Q1/24 , H01Q3/34 , H04L27/20 , H04L27/233
Abstract: 一种基于磁电天线的高速PSK信号调制系统及方法,包括上位机、下位机和磁电天线;上位机对待发射信号进行缓存和编码,下位机将编码后的信号转换成调制信号同时产生载波信号,两列信号分别通过数模转换和功率放大器放大,由磁电天线发射出去;该方案利用了磁电天线在方向相反的偏置磁场下磁畴翻转引起的辐射磁场幅度相同而相位180°偏移的特点,消除了机械天线调制过程中的机械弛豫,并提供了一种实现机械天线理论极限通信速率的方法。实验结果表明这一系统能实现18kbps(载波频率为27.75kHz)的高速率通信,比传统相位调制高了8倍。
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公开(公告)号:CN115808647A
公开(公告)日:2023-03-17
申请号:CN202211591165.1
申请日:2022-12-12
Applicant: 国网四川省电力公司 , 国网四川省电力公司营销服务中心 , 西安交通大学
IPC: G01R33/038 , G01R33/06
Abstract: 本发明涉及磁传感器技术领域,公开了一种交直流两用磁场传感器,包括,磁致伸缩层,所述磁致伸缩层呈长条状,且所述磁致伸缩层的其中一端通过夹具夹持;第一压电片,通过界面连接固定贴合在所述磁致伸缩层的上表面;第二压电片,通过界面连接固定贴合在所述磁致伸缩层的下表面;第一柔性电极分别贴合在所述第一压电片的上、下表面;第二柔性电极,分别贴合在所述第二压电片的上、下表面;第一柔性电极和第二柔性电极用于电压的输入或输出;永磁体,粘接于所述磁致伸缩层远离所述夹具的一端的上表面。本发明通过电压驱动开关可以集成分别针对特定频带交流磁场和准静态磁场传感的无源/有源双模式,制作工艺简单,更易于实现工业化生产。
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