-
公开(公告)号：CN107651958A
公开(公告)日：2018-02-02
申请号：CN201710898077.9
申请日：2017-09-28
Applicant: 华中科技大学 , 武汉华陶创新科技有限公司 , 深圳华中科技大学研究院
IPC: C04B35/475 , C04B35/622
CPC classification number: C04B35/475 , C04B35/622 , C04B2235/3201 , C04B2235/3251 , C04B2235/3272 , C04B2235/96
Abstract: 本发明属于无铅压电材料相关技术领域，其公开了一种大应变小迟滞的钛酸铋钠基无铅陶瓷，其化学式为Bi1/2(Na0.82K0.18)1/2Ti1-x(Fe0.5Nb0.5)xO3，其中，x＝0.01～0.05。本发明还涉及上述大应变小迟滞的钛酸铋钠基无铅陶瓷的制备方法。本发明采用(Fe0.5Nb0.5)4+离子替换了BNT-BKT中部分Ti4+离子，在提高了BNT-BKT基无铅陶瓷场致应变的同时，还有效减小了应变迟滞。
-
公开(公告)号：CN108046797A
公开(公告)日：2018-05-18
申请号：CN201711233740.X
申请日：2017-11-30
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
IPC: C04B35/48 , C04B35/81 , C04B35/622 , C04B35/626 , B28B1/29
Abstract: 本发明属于氧化锆陶瓷材料领域，并公开了一种利用晶须增韧氧化锆薄板的制备方法及其产品。包括以下步骤：(a)将氧化锆粉体与有机溶剂、分散剂和着色剂混合后第一次球磨；(b)加入增塑剂、粘结剂和晶须粉体再次混合，然后第二次球磨；(c)除泡处理后流延，获得生坯膜带片段，将其切割后一层层叠片放置，叠片放置过程中不同的生坯膜带按照其流延方向朝相互错开；(d)温等静压处理，然后将处理后的生坯膜带切割成所需的形状并加热脱脂，然后烧结，由此获得所需的氧化锆薄板。本发明还公开了按照该方法制备的氧化锆薄板产品。通过本发明，实现了彩色氧化锆薄板的制备过程中力学性能不下降，同时工艺兼容，方法简单，成本低，市场前景巨大。
-
公开(公告)号：CN207170128U
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201721073809.2
申请日：2017-08-25
Applicant: 武汉华陶创新科技有限公司
Abstract: 本实用新型涉及的是一种涂膜装置，包括刮膜台，刮膜台上设有与刮膜台活动连接且可沿刮膜台台面纵向移动的涂膜机构，所述涂膜机构包括刮膜板和与刮膜板垂直的二块可沿刮膜台台面横向移动的限位板。采用此装置涂出来的膜厚薄均匀，宽度及厚度均可调节，涂膜重现性强。
-
公开(公告)号：CN117070039A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202310287477.1
申请日：2023-03-23
Applicant: 广东华中科技大学工业技术研究院 , 华中科技大学温州先进制造技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种高储能二元铁电共混介电薄膜及其制备方法，属于介电薄膜材料技术领域。该介电薄膜由聚偏氟乙烯‑氯氟乙烯共聚物和聚偏氟乙烯‑六氟丙烯共聚物共混、流延、干燥制成；所述聚偏氟乙烯‑氯氟乙烯共聚物和聚偏氟乙烯‑六氟丙烯共聚物的质量比为x∶1‑x；其中，0.4≤x≤0.6。该介电薄膜获得了560kV/mm的高击穿强度，相比原材料P(VDF‑CTFE)和P(VDF‑HFP)分别提升了75％和56％，最高达到了32J/cm3的储能能量。
-
公开(公告)号：CN118522566A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202410662849.9
申请日：2024-05-27
Applicant: 华中科技大学 , 广东华中科技大学工业技术研究院
Abstract: 本发明公开一种铅基异质结构的铁电薄膜电容器及制备方法，铁电薄膜电容器从下往上依次由硅基底、下电极、中间铁电电介质和上电极组成，其中，硅基底采用的是Si(100)，下电极采用的是Pt电极，中间铁电电介质由Pb(Zr0.52Ti0.48)O3薄膜和Pb0.8La0.1Ca0.1Ti0.975O3底层上下组成，上电极采用的是Au电极。本发明可以实现有效储能密度为41J/cm3，储能效率50％，保持良好频率、温度稳定性。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119551996A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202411456420.0
申请日：2024-10-17
Applicant: 广东华中科技大学工业技术研究院 , 华中科技大学
IPC: C04B35/80 , C04B35/48 , C04B35/622 , C04B35/63
Abstract: 本发明提供了一种氧化锆材料及其制备方法和应用，属于陶瓷材料技术领域。本发明加入氧化铝晶须，利用氧化铝晶须对裂纹的偏转作用，氧化铝晶须会改变裂纹的扩展方向，提高裂纹扩展能量，有效抑制裂纹扩展，从而提高韧性；加入分散剂并控制分散剂的种类，特定种类的分散剂可以将氧化铝晶须和氧化锆粉体均匀包裹，减少团聚，提高均匀性，充分发挥晶须的裂纹偏转作用；将悬浊液进行超声分散可以在不破坏氧化铝晶须结构的情况下将氧化铝晶须均匀的分散在氧化锆粉体基体中，充分发挥氧化铝晶须的裂纹偏转作用；采用放电等离子烧结可以在烧结过程中提高材料致密度、减少晶粒尺寸，提高韧性，并极大缩短制备时间。
-
公开(公告)号：CN116813334B
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202310170537.1
申请日：2023-02-27
Applicant: 广东华中科技大学工业技术研究院 , 华中科技大学温州先进制造技术研究院
Abstract: 本发明公开了多孔无铅压电陶瓷元件、空气耦合多孔无铅超声换能器及其制备方法，属于超声换能器技术领域。所述元件中孔隙均匀分布，孔隙率为55％‑75％，孔结构为Gyroid；其制备方法包括：无铅陶瓷粉经光固化3D打印成多孔压电陶瓷元件。本发明公开的空气耦合多孔无铅超声换能器包含多孔压电陶瓷元件。本发明提供的多孔无铅压电陶瓷元件，通过孔隙的设计，使得声阻抗降低到5.95MRayl，利于与空气实现声阻抗。本发明提供的空气耦合多孔无铅超声换能器，检测灵敏度达到‑27dB以下。
-
公开(公告)号：CN116813334A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202310170537.1
申请日：2023-02-27
Applicant: 广东华中科技大学工业技术研究院 , 华中科技大学温州先进制造技术研究院
Abstract: 本发明公开了多孔无铅压电陶瓷元件、空气耦合多孔无铅超声换能器及其制备方法，属于超声换能器技术领域。所述元件中孔隙均匀分布，孔隙率为55％‑75％，孔结构为Gyroid；其制备方法包括：无铅陶瓷粉经光固化3D打印成多孔压电陶瓷元件。本发明公开的空气耦合多孔无铅超声换能器包含多孔压电陶瓷元件。本发明提供的多孔无铅压电陶瓷元件，通过孔隙的设计，使得声阻抗降低到5.95MRayl，利于与空气实现声阻抗。本发明提供的空气耦合多孔无铅超声换能器，检测灵敏度达到‑27dB以下。
-
公开(公告)号：CN118574498A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410653060.7
申请日：2024-05-24
Applicant: 华中科技大学
IPC: H10N30/20 , H10N30/00 , H10N30/072 , H10N30/03 , H10N30/853 , B64D15/12
Abstract: 本发明提供压电致动器及其在对飞机表面进行除冰的应用，包括铝合金基底，以及通过环氧树脂粘合剂粘结在所述铝合金基底一侧的多个陶瓷纤维复合柔性压电材料片，所述陶瓷纤维复合柔性压电材料片用于与飞机表面随形接触。本发明的压电致动器除冰能耗更低，功耗降低了80％以上，满足低能耗的要求，并且除冰效率更高，可以用于多种复杂环境下的飞机表面，对大面积翼型高效、快速除冰的技术发展具有重要意义。
-
公开(公告)号：CN117585998A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311613009.5
申请日：2023-11-27
Applicant: 深圳陕煤高新技术研究院有限公司 , 华中科技大学
IPC: C04B35/26 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开一种高性能铁酸铋钛酸钡基无铅高温压电陶瓷制备方法，包括以下步骤：S1、制备0.7BiFeO3‑0.3BaTiO3(BF‑BT)粉体；S2、制备(Ba0.85Ca0.15Zr0.1Ti0.9)O3(BCZT)粉末；S3、制备0.7BF‑0.3BT‑x％BCZT‑y％MnO2粉末；S4、在0.7BF‑0.3BT‑x％BCZT‑y％MnO2粉体种加入3wt％～7wt％的聚乙烯醇(PVA)溶液进行造粒，然后压制成圆片；S5、烧结得到大应变压电陶瓷材料。本发明利用BCZT复合，构件准同型相界，同时改善晶体微观组织结构，从而获得高性能BF‑BT基高温无铅压电陶瓷。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
93
records
(took 0.165 seconds)
