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公开(公告)号：CN101859773B
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：CN201010155579.0
申请日：2010-04-02
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC分类号： G11C5/005 , G11C11/4125 , G11C11/417 , G11C29/52 , H01L23/5223 , H01L23/556 , H01L27/0629 , H01L27/101 , H01L27/105 , H01L27/1104 , H01L28/40 , H01L28/60 , H01L2924/0002 , Y10T29/43 , H01L2924/00
摘要： 本发明公开了一种电路及方法，该电路包括：电容器，具有包括彼此大体平行的多个条状物的至少一导体层；多个条状物中的两相邻条状物形成第一电容值；两相邻条状物的第一和第二条状物分别形成第一端和第二端；从第一端与第二端看进电容器的电容值包括多个第一电容值合成的电容值；存储器元件，具有耦接第一端的输入端及耦接第二端的输出端；电容器将电荷提供给输入端与输出端以改善存储器元件的辐射加固程度。本发明关于可改善SER FIT率的网状电容器。在一实施例中，电容器连接于一正反器中一闩锁器的输入端与输出端之间，使正反器难以因辐射(例如中子或α粒子)而翻转。在某些实施例中，电容器位于正反器的正上方以节省芯片布局面积。
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公开(公告)号：CN100395890C
公开(公告)日：2008-06-18
申请号：CN200510067848.7
申请日：2005-04-28
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L27/00
CPC分类号： G06F1/189 , G11C5/063 , G11C5/14 , H01L23/5286 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明是有关于集成电路结构与提供电源电压至集成电路的方法，所述供应电压至集成电路的方法。一高电压VddH以及/或一低电压VddL可被供应至一注入单元并被导引至其余单元。电压VddH与VddL当中的每一电压是经由一第一电压供应线与一第二电压线当中之一传达。一电压选择线路导引所需电压至一注入单元。该第一与第二电压供应线较佳上是平行于该电压选择线路互相平行，而且其边缘与该电压选择线路的边缘大体上校准。形成通孔以导引该所需电压。并且较佳上，第一电压供应线是一形成于该注入单元范围外的M1导线，而该第二电压供应线是一形成于该注入单元范围内的M2导线。
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公开(公告)号：CN101859773A
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN201010155579.0
申请日：2010-04-02
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC分类号： G11C5/005 , G11C11/4125 , G11C11/417 , G11C29/52 , H01L23/5223 , H01L23/556 , H01L27/0629 , H01L27/101 , H01L27/105 , H01L27/1104 , H01L28/40 , H01L28/60 , H01L2924/0002 , Y10T29/43 , H01L2924/00
摘要： 本发明公开了一种电路及方法，该电路包括：电容器，具有包括彼此大体平行的多个条状物的至少一导体层；多个条状物中的两相邻条状物形成第一电容值；两相邻条状物的第一和第二条状物分别形成第一端和第二端；从第一端与第二端看进电容器的电容值包括多个第一电容值合成的电容值；存储器元件，具有耦接第一端的输入端及耦接第二端的输出端；电容器将电荷提供给输入端与输出端以改善存储器元件的辐射加固程度。本发明关于可改善SER FIT率的网状电容器。在一实施例中，电容器连接于一正反器中一闩锁器的输入端与输出端之间，使正反器难以因辐射(例如中子或α粒子)而翻转。在某些实施例中，电容器位于正反器的正上方以节省芯片布局面积。
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公开(公告)号：CN101771400A
公开(公告)日：2010-07-07
申请号：CN200910143856.3
申请日：2009-05-31
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC分类号： H03K3/0315 , G01R31/31725
摘要： 本发明提供了一种片上逻辑单元时序表征(characterization)电路，以及一种导出顺序单元上的建立(setup)/保持表征的方法和一种表征逻辑单元的传播时延的方法。要被表征建立/保持时间的连续单元彼此靠近地复制形成。第一时钟信号在第一连续单元的第二时钟信号的转换时被采样，建立时间通过第一时序的输出信号中的状态转换来确定。第二时钟信号在另一个连续单元的第一时钟信号的转换时被采样，保持时间通过第二连续单元的输出信号中的状态转换来确定。
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公开(公告)号：CN101771400B
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN200910143856.3
申请日：2009-05-31
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC分类号： H03K3/0315 , G01R31/31725
摘要： 本发明提供了一种片上逻辑单元时序表征(characterization)电路，以及一种导出顺序单元上的建立(setup)/保持表征的方法和一种表征逻辑单元的传播时延的方法。要被表征建立/保持时间的连续单元彼此靠近地复制形成。第一时钟信号在第一连续单元的第二时钟信号的转换时被采样，建立时间通过第一时序的输出信号中的状态转换来确定。第二时钟信号在另一个连续单元的第一时钟信号的转换时被采样，保持时间通过第二连续单元的输出信号中的状态转换来确定。
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公开(公告)号：CN100353554C
公开(公告)日：2007-12-05
申请号：CN200410074148.6
申请日：2004-09-03
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L27/092 , H01L21/82
CPC分类号： H01L27/11807
摘要： 本发明提供一种标准元件单元反偏压架构。该结构包括一个CMOS元件单元，该CMOS元件单元至少包括第一和第二CMOS晶体管，该第一和第二CMOS晶体管分别有位于第一和第二阱中的第一和第二晶体管掺杂区。其中，每个晶体管掺杂区分别用一个对应的电源电位或接地电位施以偏压。本发明的一个实施例中还包括一个分接单元，该分接单元分别有位于第一和第二阱中的第一和第二分接单元掺杂区。其中，每个分接单元掺杂区分别用一个不同于电源电位和接地电位的电位施以偏压。本发明提供的标准元件单元反偏压架构，能够有效降低待命漏电功耗，从而提高元件的性能。
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公开(公告)号：CN1700469A
公开(公告)日：2005-11-23
申请号：CN200510067848.7
申请日：2005-04-28
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L27/00
CPC分类号： G06F1/189 , G11C5/063 , G11C5/14 , H01L23/5286 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明是有关于集成电路结构与提供电源电压至集成电路的方法，所述供应电压至集成电路的方法。一高电压VddH以及/或一低电压VddL可被供应至一注入单元并被导引至其余单元。电压VddH与VddL当中的每一电压是经由一第一电压供应线与一第二电压供应线当中之一传达。一电压选路线导引所需电压至一注入单元。该第一与第二电压供应线较佳上是平行于该电压选路线互相平行，而且其边缘与该电压选路线的边缘大体上校准。形成通孔以导引该所需电压。并且较佳上，第一电压供应线是一形成于该注入单元范围外的M1导线，而该第二电压供应线是一形成于该注入单元范围内的M2导线。
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公开(公告)号：CN1591869A
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：CN200410074148.6
申请日：2004-09-03
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L27/092 , H01L21/82
CPC分类号： H01L27/11807
摘要： 本发明提供一种标准元件单元反偏压架构。该结构包括一个CMOS元件单元，该CMOS元件单元至少包括第一和第二CMOS晶体管，该第一和第二CMOS晶体管分别有位于第一和第二阱中的第一和第二晶体管掺杂区。其中，每个晶体管掺杂区分别用一个对应的电源电位或接地电位施以偏压。本发明的一个实施例中还包括一个分接单元，该分接单元分别有位于第一和第二阱中的第一和第二分接单元掺杂区。其中，每个分接单元掺杂区分别用一个不同于电源电位和接地电位的电位施以偏压。本发明提供的标准元件单元反偏压架构，能够有效降低待命漏电功耗，从而提高元件的性能。
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公开(公告)号：CN2736921Y
公开(公告)日：2005-10-26
申请号：CN200420093326.5
申请日：2004-09-03
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L21/82 , H01L21/8238 , H01L27/092
CPC分类号： H01L27/11807
摘要： 本实用新型提供一种标准元件单元反偏压架构。该结构包括一个CMOS元件单元，该CMOS元件单元至少包括第一和第二CMOS晶体管，该第一和第二CMOS晶体管分别有位于第一和第二阱中的第一和第二晶体管掺杂区。其中，每个晶体管掺杂区分别用一个对应的电源电位或接地电位施以偏压。本实用新型的一个实施例中还包括一个分接单元，该分接单元分别有位于第一和第二阱中的第一和第二分接单元掺杂区。其中，每个分接单元掺杂区分别用一个不同于电源电位和接地电位的电位施以偏压。本实用新型提供的标准元件单元反偏压架构，能够有效降低待命漏电功耗，从而提高元件的性能。
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