公开(公告)号：CN105556416B

公开(公告)日：2018-07-06

申请号：CN201480041884.3

申请日：2014-07-22

申请人： 西部数据技术公司

发明人： M·S·阿立森 ,  S·J·席尔瓦 ,  J·A·拉姆 ,  M·考尔

IPC分类号： G06F1/26

CPC分类号： G11C5/005 ,  G11C5/141 ,  G11C5/143 ,  G11C5/148 ,  G11C11/1697 ,  G11C11/2297 ,  G11C14/00 ,  G11C16/30

摘要： 公开了固态存储驱动器中用于电力损失早期警告的系统和方法。可以使用早期的电力损失警告，以在使用备份功率源(如备份电容器)内的能量之前，激励驱动器使其进入低功率状态。该低功率状态可以允许降低驱动器所使用的功率，其可以提供成本节省，并且降低如下风险：驱动器将被渲染为可由停电事件重配置。

公开(公告)号：CN103514945B

公开(公告)日：2018-06-01

申请号：CN201310237345.4

申请日：2013-06-14

申请人： 德克萨斯仪器股份有限公司

发明人： R·C·鲍曼

IPC分类号： G11C11/413

CPC分类号： G11C5/005 ,  G11C11/4125

摘要： 本发明公开了集成电路以及制造和操作方法，其中响应感测电路内单个事件锁定条件的检测，选择性地禁用IC的用户电路，其中感测电路易于响应在具体线性能量传递水平的离子辐射而锁定。

公开(公告)号：CN104662545A

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201280068862.7

申请日：2012-12-21

申请人： 埃尔瓦有限公司

发明人： 罗德里克·A·海德 ,  小洛厄尔·L·伍德

IPC分类号： G06F21/00

CPC分类号： G06F12/1408 ,  G06F3/0623 ,  G06F3/0629 ,  G06F3/0673 ,  G06F21/00 ,  G06F21/60 ,  G06F21/6218 ,  G06F21/79 ,  G06F2212/1052 ,  G06F2221/2143 ,  G11C5/005 ,  H04L9/0822

摘要： 在此提供了一种用于防止存储器中的数据剩磁的系统。该系统包括：一个计算装置，一个耦合至该计算装置并包括存储器的存储器芯片，以及一个加热器，该加热器被配置成用于通过向一个存储器的至少一部分提供热量来防止该存储器中的数据剩磁。该存储器包括多个被配置成用于电子地存储数据的比特。

公开(公告)号：CN102737700A

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN201210068609.3

申请日：2012-03-12

申请人： ARM有限公司

发明人： 米赫·拉伽尼坎特·乔德瑞 ,  维卡斯·钱德拉

IPC分类号： G11C7/10

CPC分类号： G11C11/4125 ,  G11C5/005

摘要： 本发明涉及增加对单事件翻转的抵抗力的储存电路及方法。该储存电路具有第一储存区块，被配置为在至少一种操作模式下执行第一储存功能；以及第二储存区块，被配置为在至少一种操作模式下执行与第一储存功能不同的第二储存功能。配置电路响应于第二储存功能未被使用的预定操作模式，将第二储存区块配置为与第一储存区块并行操作。通过在两个储存区块之一未以其它方式正执行有用功能时并联地布置这两个储存区块，这实际上增加了仍正在执行有用储存功能的储存区块的大小，且因而增加了其对单事件翻转的抵抗力。此种做法有最小的面积及功耗开销，且提供了一种容易用于各种不同的顺序单元设计的小型储存电路。

公开(公告)号：CN102130103A

公开(公告)日：2011-07-20

申请号：CN201010597887.9

申请日：2010-12-15

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 中柴康隆 ,  小川健太

IPC分类号： H01L25/00 ,  H01L23/31 ,  H01L23/485 ,  H01L23/498 ,  H01L21/48 ,  H01L21/60 ,  H01L21/98 ,  H01L23/00

CPC分类号： H01L28/10 ,  G11C5/005 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/48 ,  H01L23/49855 ,  H01L23/5227 ,  H01L23/562 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/97 ,  H01L27/0688 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48228 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/15183 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H05K1/117 ,  H05K3/0052 ,  H05K3/284 ,  H05K2201/0949 ,  H05K2201/09845 ,  H05K2203/0228 ,  H05K2203/1316 ,  H05K2203/1572 ,  Y10T29/4902 ,  Y10T29/4913 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： 本发明涉及外部存储装置和制造外部存储装置的方法。存储元件被提供在半导体芯片中，并且电感器和驱动器电路被提供在另一半导体芯片中。外部端子是接触型端子，并且至少一些外部端子是电源端子和接地端子。密封树脂层形成在互连基板的第一表面上方并且密封半导体芯片但是没有覆盖外部端子。电感器形成在没有面对互连基板的半导体芯片的表面处。

公开(公告)号：CN101859773A

公开(公告)日：2010-10-13

申请号：CN201010155579.0

申请日：2010-04-02

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 萧庆和 ,  苏布拉马尼·肯基瑞

IPC分类号： H01L27/10 ,  H01L21/82 ,  G11C29/00

CPC分类号： G11C5/005 ,  G11C11/4125 ,  G11C11/417 ,  G11C29/52 ,  H01L23/5223 ,  H01L23/556 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/101 ,  H01L27/105 ,  H01L27/1104 ,  H01L28/40 ,  H01L28/60 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T29/43 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明公开了一种电路及方法，该电路包括：电容器，具有包括彼此大体平行的多个条状物的至少一导体层；多个条状物中的两相邻条状物形成第一电容值；两相邻条状物的第一和第二条状物分别形成第一端和第二端；从第一端与第二端看进电容器的电容值包括多个第一电容值合成的电容值；存储器元件，具有耦接第一端的输入端及耦接第二端的输出端；电容器将电荷提供给输入端与输出端以改善存储器元件的辐射加固程度。本发明关于可改善SER FIT率的网状电容器。在一实施例中，电容器连接于一正反器中一闩锁器的输入端与输出端之间，使正反器难以因辐射(例如中子或α粒子)而翻转。在某些实施例中，电容器位于正反器的正上方以节省芯片布局面积。

公开(公告)号：CN101800073A

公开(公告)日：2010-08-11

申请号：CN200910137300.3

申请日：2009-05-05

申请人： 旺宏电子股份有限公司

发明人： 罗俊元 ,  易成名 ,  吕文彬

IPC分类号： G11C8/14 ,  G11C16/08 ,  H01L27/115 ,  H01L23/52

CPC分类号： H01L27/11519 ,  G11C5/005 ,  G11C5/025 ,  G11C5/063 ,  G11C8/14 ,  H01L27/11565

摘要： 本发明是有关于一种记忆体阵列以及记忆体装置。该记忆体装置，包括：一基底、多个字线、多个导电区以及至少一遮蔽插塞。基底上配置字线，且配置至少一虚拟字线邻近该些字线。导电区则位于基底中且分别介于该些字线之间。遮蔽插塞位于基底上并且邻近虚拟字线，并介于虚拟字线与该些字线之间，并且在虚拟字线周围并未配置任何自行对准源极区。

公开(公告)号：CN101297451A

公开(公告)日：2008-10-29

申请号：CN200680039543.8

申请日：2006-08-28

申请人： 德克萨斯仪器股份有限公司

发明人： H·J·比亚吉

IPC分类号： H02H9/00

CPC分类号： H02H9/046 ,  G11C5/005

摘要： 一个实施例提供用于保护集成电路(IC)(100)中至少一个组件的系统。该系统(102)包括串行电连接在所述IC的输入终端和所述至少一个组件(108)之间的断开元件(104)。所述断开元件被配置为具有第一状态以电连接所述终端到所述至少一个组件以及对应于高阻抗条件的第二状态，该高阻抗条件使所述终端相对于所述至少一个组件被电隔离开。控制系统(110)被配置为响应于所述终端处的输入信号变化率超过预定变化率而促使所述断开元件从所述第一状态转换到所述第二状态。

公开(公告)号：CN106847318A

公开(公告)日：2017-06-13

申请号：CN201710059400.3

申请日：2017-01-24

申请人： 上海麦歌恩微电子股份有限公司

发明人： 朱剑宇

IPC分类号： G11C5/00 ,  G11C5/14 ,  G11C16/30

CPC分类号： G11C5/005 ,  G11C5/148 ,  G11C16/30

摘要： 本发明揭示了一种基于电容的非易失性存储器，包括：磁感应元件，用于检测磁场；信号处理电路，用于放大、滤波和做判断；寄存器，用于存储信号处理电路的输出SOUT；电源检测电路，用于通过产生的复位信号POR将寄存器的状态在芯片上电时固定地置为低电平，之后由系统时钟CLK定期根据SOUT的状态刷新；当芯片掉电后重新上电时，由于内部没有可以保持寄存器状态的NVM，芯片的寄存器和输出将总是被重置为低电平；电容，用于保存芯片内部寄存器的状态。本发明提出的基于电容的非易失性存储器，可降低芯片结构复杂度，降低成本。本发明存储器结构简单、使用方便、成本低廉；不需要像EEPROM或Flash中的特殊工艺层次，也不占用大量芯片面积，更不需要定期更换电池。

公开(公告)号：CN106708650A

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201511035882.6

申请日：2015-11-17

申请人： 飞思卡尔半导体公司

发明人： 程志宏 ,  郭胤

IPC分类号： G06F11/10 ,  G11C29/42 ,  G11C16/34

CPC分类号： G06F11/1068 ,  G06F3/0619 ,  G06F3/0659 ,  G06F3/0679 ,  G11C5/005 ,  G11C29/52 ,  G11C2029/0409 ,  G11C2029/0411 ,  G06F11/1012 ,  G11C16/3431 ,  G11C29/42

摘要： 本公开涉及保护嵌入式非易失性存储器免受干扰。在总线(例如，SoC内部的总线)上从控制器发送控制信号给嵌入式非易失性存储器(NVM)之前，通过编码所述控制信号的至少一个子集来提高片上系统(SoC)的电磁兼容性(EMC)。所用的检错码使EMC事件以相对高的概率将错误引入传送的码字。响应于在所传送的码字中检测到错误，执行一组安全防护操作以防止所述NVM中存储的数据被不可控地改变。