-
公开(公告)号：CN102293065B
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201080005411.X
申请日：2010-01-25
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H05H1/46 , H01L21/304 , H01L21/3065 , H05H1/00
CPC classification number: H01J37/32935
Abstract: 一种等离子体处理装置，能够获得对确定在等离子体处理期间的异常放电的原因有用的数据。该等离子体处理装置在处理腔(3a)中持有基板(9)以使其经历等离子体处理。该等离子体处理装置被提供有：放电检测传感器(23)，检测处理腔(3a)内部的异常放电；以及照相机(26)，通过窗口部分(2a)拍摄处理腔(3a)内部的图像并输出运动图像数据。当检测到异常放电时，等离子体处理装置存储与提取目标时间段对应的运动图像数据作为历史数据，该提取目标时间段被设置为包括从异常放电的时间点往前一精确预定时间的在先时间点和异常放电的检测时间点，所述在先时间点例如是等离子体产生时间点或开始加载基板(9)的时间点。因此，可以获得对确定在等离子体处理期间的异常放电的原因有用的数据。
-
公开(公告)号：CN101978478A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN200980110019.9
申请日：2009-03-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/301 , H01L21/52
CPC classification number: H01L21/3086 , H01L21/0273 , H01L21/78 , H01L2224/83191
Abstract: 采用如下的方法，即、在将半导体晶片由采用等离子处理的蚀刻分割为单片的半导体芯片的等离子切割的掩模形成中，在作为背面的蚀刻对象的区域印刷防液性液体形成由防液膜构成的防液图案，向形成该防液图案的背面供给液状的树脂，在防液膜不存在的区域形成膜厚比该防液膜的厚度更厚的树脂膜，另外，使该树脂膜固化，形成覆盖除了在蚀刻中除去的区域以外的掩模。由此，可以不使用光刻法等高成本的方法而能以低成本形成用于蚀刻的掩模。
-
公开(公告)号：CN101083901A
公开(公告)日：2007-12-05
申请号：CN200710104228.5
申请日：2004-02-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 土师宏
Abstract: 本发明涉及电子元件安装设备和电子元件安装方法。电子元件安装设备包括：用于保持电路板的保持单元；安装头；电子元件供给装置；安装头传输机构；临时定位操作处理部分，该临时定位操作处理部分通过控制安装头传输机构，将被多个安装喷嘴吸住/保持的电子元件顺序地定位到电子元件安装部分的上部空间；观察装置，用于获得临时定位电子元件的图像和电子元件安装部分的图像；临时定位位置信息储存部分；相对位置关系计算处理部分，用于计算每组中的电子元件和电子元件安装部分之间的相对位置关系；相对位置关系储存部分；对齐信息计算部分，计算安装头定位的对齐信息；和安装操作处理部分，基于对齐信息控制安装头传输机构，顺序地定位电子元件。
-
公开(公告)号：CN101036224A
公开(公告)日：2007-09-12
申请号：CN200580033895.8
申请日：2005-10-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/78
CPC classification number: H01L21/78
Abstract: 在包括由在半导体晶片上分别网格状排列的假想分割线以及作为半导体晶片外边界轮廓的圆周线划分的多个假想分割区域的半导体晶片中，放置掩模来使得与各个去除区域相对应的全部晶片表面露出，其中去除区域是由晶片的圆周线和假想分割线划分的近似三角形区域以及一些假想分割区域，然后在掩模放置侧表面执行等离子体蚀刻，由此半导体晶片沿分割线被分割成单独的半导体器件，同时晶片中对应于去除区域的部分被去除。
-
公开(公告)号：CN1843069A
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN200580001002.1
申请日：2005-04-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H05K13/04
CPC classification number: H01L21/67144 , H01L21/67132 , H01L21/681 , H01L21/6838 , Y10T29/4913 , Y10T29/49131 , Y10T29/49144 , Y10T29/53039 , Y10T29/53174 , Y10T29/53178
Abstract: 本发明涉及一种电子部件安装装置以及安装电子部件的方法。在用于将电子部件(6)安装到基板(13)的电子部件安装工艺中，用设置有各加热器(49)的吸嘴(33a)拾取在将与基板(13)结合的表面上具有粘合层的每个电子部件(6)，分配安装操作所花费的时间，使得第一加热时间(T1)长于第二加热时间(T2)，所述第一加热时间即从吸嘴(33a)接触电子部件以拾取它的时刻到恰好在它开始向基板(13)的安装动作之前的另一时刻的持续时间，所述第二加热时间即从所述吸嘴(33a)开始安装动作的时刻到它离开安装到基板(13)的电子部件(6)的另一时刻的持续时间。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1248791C
公开(公告)日：2006-04-05
申请号：CN03106627.5
申请日：1996-07-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 土师宏
CPC classification number: H01L24/85 , B23K1/20 , B23K20/004 , B23K2101/36 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/78 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/48227 , H01L2224/48644 , H01L2224/7865 , H01L2224/85013 , H01L2224/85444 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01007 , H01L2924/01018 , H01L2924/01019 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01072 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/12041 , H05K13/0061 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 公开了小型、具有较高处理能力、结构简单且成本低廉的表面处理设备和接线设备。表面处理设备包括：一基体，它带有用于传送物体的传送通路；一设置在上述基体上方的罩盖，它可移动成与前述基体相接触和不相接触；一接合和脱离装置，它用于使前述罩盖移动成与前述基体相接触和不相接触；一传送装置，它用于在罩盖不与前述基体接触时使所述物体移至和移出罩盖下方的位置；以及，一处理部分，它用于对前述物体的电极进行表面处理。
-
公开(公告)号：CN104105397A
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201280068399.6
申请日：2012-12-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: A01G7/045 , A01G7/00 , A01G9/00 , A01G9/26 , Y02A40/274
Abstract: 栽培系统(100)使容放用于栽培植物的栽培床的多个容器(200)在生长区域(301)和观察区域(302)之间移动，其具备：生长光照射单元(109)，对被配置在生长区域(301)的容器(200)中栽培的植物照射生长光，该生长光是植物的生长用光；摄像单元(142)，对被配置在观察区域(302)的容器(200)中栽培的植物进行拍摄；控制单元(105)，在摄像单元(142)进行拍摄时，该控制单元(105)控制生长光照射单元(109)，以停止生长光的照射。
-
公开(公告)号：CN101366113B
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN200780002145.3
申请日：2007-10-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/78
CPC classification number: H01L21/78 , B23K2103/42 , B23K2103/50 , H01L24/743 , H01L2224/743 , H01L2924/12042 , H01L2924/00
Abstract: 在由管芯附着膜4和UV带5形成的膜层6已经设置在半导体晶片1上作为掩模之后，用于分割形成于电路图案形成面1a上的半导体元件2的边界槽7形成于膜层6内，由此使半导体晶片1的表面露出。半导体晶片1的在边界槽7内的露出表面1c通过氟基气体的等离子体被蚀刻，且半导体晶片1沿着边界槽7划片成半导体芯片1’。
-
公开(公告)号：CN100589239C
公开(公告)日：2010-02-10
申请号：CN200580033895.8
申请日：2005-10-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/78
CPC classification number: H01L21/78
Abstract: 在包括由在半导体晶片上分别网格状排列的假想分割线以及作为半导体晶片外边界轮廓的圆周线划分的多个假想分割区域的半导体晶片中，放置掩模来使得与各个去除区域相对应的全部晶片表面露出，其中去除区域是由晶片的圆周线和假想分割线划分的近似三角形区域以及一些假想分割区域，然后在掩模放置侧表面执行等离子体蚀刻，由此半导体晶片沿分割线被分割成单独的半导体器件，同时晶片中对应于去除区域的部分被去除。
-
公开(公告)号：CN100576504C
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200580025755.6
申请日：2005-07-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L23/544 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68359 , H01L2223/54473 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 在其中形成有多个半导体器件的半导体晶片的掩膜放置侧表面上放置掩膜，同时限定用于将所述半导体晶片分割成为各个分开的半导体器件的分割线，并且，在各个半导体器件中，缺陷半导体器件的表面被局部暴露，且然后通过对所述半导体晶片的掩膜放置侧表面实施等离子蚀刻，从而沿着所限定的分割线将所述半导体晶片分割成为各个半导体器件，并将缺陷半导体器件的暴露部去除，以便形成去除部作为缺陷半导体器件区分标记。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
50
records
(took 0.034 seconds)
