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1.

发明授权
半导体器件有权

公开(公告)号：CN106158800B

公开(公告)日：2019-07-30

申请号：CN201610526261.6

申请日：2011-12-27

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 玉城朋宏 , 中泽芳人

IPC分类号： H01L23/488 , H01L29/06 , H01L29/40 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L23/31 , H01L23/495 , H01L29/08 , H01L29/417

CPC分类号： H01L29/7811 , H01L23/3107 , H01L23/49562 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L29/0615 , H01L29/0619 , H01L29/0634 , H01L29/0638 , H01L29/0696 , H01L29/0878 , H01L29/1095 , H01L29/402 , H01L29/404 , H01L29/41766 , H01L29/66727 , H01L29/7816 , H01L2224/02166 , H01L2224/04042 , H01L2224/05624 , H01L2224/0603 , H01L2224/32245 , H01L2224/45139 , H01L2224/48247 , H01L2224/48472 , H01L2224/4903 , H01L2224/49111 , H01L2924/00014 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01019 , H01L2924/01028 , H01L2924/01079 , H01L2924/10253 , H01L2924/12036 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H01L2924/18301 , H01L2924/3025 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2224/29099

摘要： 本发明涉及半导体器件。在功率MOSFET等的超结结构中，主体单元部分的浓度相对较高，所以针对使用现有技术的外围端接结构或降低表面场结构的外围部分难以确保击穿电压等于或高于单元部分的击穿电压。具体而言，问题出现在于，在芯片的外围拐角部分中，由于电场集中导致击穿电压的变化对于超结结构中的电荷失衡变得敏感。在本发明中，在诸如在有源单元区域和芯片外围区域中的每个区域中具有超结结构的功率MOSFET之类的半导体功率器件中，与第一导电类型的漂移区域的表面的第二导电类型的主结耦合并具有比主结浓度更低浓度的、第二导电类型的表面降低表面场区域的外端位于主结的外端与芯片外围区域中的超结结构的外端之间的中间区域中。

2.

发明授权
用于使半导体组合件中的焊料凸块自对准的双焊料半导体芯片、装置以及双焊料方法有权复审申请

公开(公告)号：CN103295991B

公开(公告)日：2019-07-09

申请号：CN201310067492.1

申请日：2013-03-04

申请人： 德州仪器公司

发明人： 马渡和明

IPC分类号： H01L23/488 , H01L21/60

CPC分类号： H01L24/81 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L2224/0401 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/0603 , H01L2224/13111 , H01L2224/1403 , H01L2224/14505 , H01L2224/16238 , H01L2224/16506 , H01L2224/17517 , H01L2224/81143 , H01L2224/81191 , H01L2224/81424 , H01L2224/81447 , H01L2224/8146 , H01L2224/81493 , H01L2224/81805 , H01L2224/81815 , H01L2224/81986 , H01L2924/01322 , H01L2924/00014 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029 , H01L2924/01028 , H01L2924/00012 , H01L2924/01083 , H01L2924/01049 , H01L2924/01082 , H01L2924/0103 , H01L2924/01079 , H01L2924/00

摘要： 本申请案涉及用于使半导体组合件中的焊料凸块自对准的双焊料半导体芯片、装置以及双焊料方法。一种半导体装置(100)包括通过焊接接点组装于衬底(130)上的半导体芯片(101)，所述芯片与所述衬底具有具第一面积的第一组接触焊垫(110，140)，相应焊垫垂直对准且通过由具有第一体积和第一熔融温度的第一焊料制成的接点(160)连接；且所述芯片与所述衬底具有具第二面积的第二组接触焊垫(122，150)，相应焊垫垂直对准且通过由具有第二体积和第二熔融温度的第二焊料制成的接点(170)连接，所述第一熔融温度低于所述第二熔融温度。

3.

发明授权
铜接合导线以及其制造方法有权

公开(公告)号：CN105393352B

公开(公告)日：2018-11-16

申请号：CN201480037851.1

申请日：2014-04-04

申请人： 贺利氏材料新加坡私人有限公司

发明人： 杨平熹 , M.萨兰加帕尼 , E.米尔克

IPC分类号： H01L23/49 , C22C9/00

CPC分类号： H01B5/02 , C22C9/00 , H01L24/43 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/745 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/4321 , H01L2224/43985 , H01L2224/45014 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45565 , H01L2224/45639 , H01L2224/45644 , H01L2224/45664 , H01L2224/45669 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/48463 , H01L2224/48624 , H01L2224/48644 , H01L2224/48824 , H01L2224/48844 , H01L2224/85205 , H01L2224/859 , H01L2924/00011 , H01L2924/12041 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H05K1/0213 , H05K1/111 , H01L2924/01047 , H01L2924/00015 , H01L2924/2075 , H01L2924/20751 , H01L2924/20752 , H01L2924/20753 , H01L2924/20754 , H01L2924/20755 , H01L2924/20756 , H01L2924/20757 , H01L2924/01028 , H01L2924/01046 , H01L2924/01079 , H01L2924/01078 , H01L2924/01024 , H01L2924/0102 , H01L2924/01058 , H01L2924/01012 , H01L2924/01057 , H01L2924/01013 , H01L2924/01005 , H01L2924/0104 , H01L2924/01022 , H01L2924/01015 , H01L2924/01016 , H01L2924/01026 , H01L2924/01025 , H01L2924/00014 , H01L2224/43848 , H01L2924/01204 , H01L2924/01203 , H01L2924/01029 , H01L2924/01014 , H01L2924/013 , H01L2924/00 , H01L2924/00013 , H01L2924/01004 , H01L2924/00012 , H01L2924/01033

摘要： 本发明涉及包括具有表面的芯的接合导线，其中所述芯包括铜作为主要成分，其中所述芯包括铜作为主要成分，其中在所述芯中的晶体颗粒的平均大小是在2.5μm与30μm之间，并且其中所述接合导线的屈服强度小于120 MPa。

4.

发明授权
半导体装置用接合线有权转让

公开(公告)号：CN107041160B

公开(公告)日：2018-10-02

申请号：CN201580002609.5

申请日：2015-06-05

申请人： 日铁住金新材料股份有限公司 , 新日铁住金高新材料株式会社

发明人： 小田大造 , 江藤基稀 , 山田隆 , 榛原照男 , 大石良 , 宇野智裕 , 小山田哲哉

IPC分类号： H01L21/60 , C22C9/00 , C22F1/08

CPC分类号： H01L24/45 , C22C9/00 , C22F1/08 , H01L24/05 , H01L24/43 , H01L24/48 , H01L24/85 , H01L2224/05624 , H01L2224/4312 , H01L2224/43125 , H01L2224/4321 , H01L2224/43848 , H01L2224/45 , H01L2224/45005 , H01L2224/45015 , H01L2224/45109 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45565 , H01L2224/45572 , H01L2224/45609 , H01L2224/45644 , H01L2224/45664 , H01L2224/48011 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/48507 , H01L2224/48824 , H01L2224/85045 , H01L2224/85054 , H01L2224/85065 , H01L2224/85075 , H01L2224/8509 , H01L2224/85203 , H01L2224/85439 , H01L2924/00011 , H01L2924/01005 , H01L2924/01012 , H01L2924/01015 , H01L2924/01028 , H01L2924/01031 , H01L2924/01032 , H01L2924/01045 , H01L2924/01046 , H01L2924/01078 , H01L2924/10253 , H01L2924/1576 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/20106 , H01L2924/20107 , H01L2924/20108 , H01L2924/20109 , H01L2924/20111 , H01L2924/20752 , H01L2924/01204 , H01L2924/01049 , H01L2924/01014 , H01L2924/01029 , H01L2924/013 , H01L2924/00013 , H01L2924/01001 , H01L2924/01007 , H01L2924/20105 , H01L2924/20656 , H01L2924/00 , H01L2924/2011 , H01L2924/01004 , H01L2924/01033

摘要： 本发明提供一种适合车载用装置的接合线，其是在表面具有Pd被覆层的Cu接合线，改善了高温高湿环境下的球接合部的接合可靠性。一种半导体装置用接合线，具有Cu合金芯材、和在所述Cu合金芯材的表面形成的Pd被覆层，该接合线包含0.011～1.2质量％的In，Pd被覆层的厚度为0.015～0.150μm。因此，能够提高高温高湿环境下的球接合部的接合寿命并改善接合可靠性。当Cu合金芯材含有分别为0.05～1.2质量％的Pt、Pd、Rh、Ni中的1种以上时，能够提高在175℃以上的高温环境下的球接合部可靠性。另外，当在Pd被覆层的表面进一步形成Au表皮层时，楔接合性改善。

5.

发明公开
半导体装置及其制造方法无效

公开(公告)号：CN108447859A

公开(公告)日：2018-08-24

申请号：CN201710616913.X

申请日：2017-07-26

申请人： 南亚科技股份有限公司

发明人： 林柏均 , 朱金龙

IPC分类号： H01L25/18 , H01L23/488 , H01L21/60

CPC分类号： H01L25/18 , H01L21/4853 , H01L21/486 , H01L21/565 , H01L21/568 , H01L23/3128 , H01L23/481 , H01L23/49838 , H01L24/17 , H01L24/81 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/16145 , H01L2224/81005 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2225/06548 , H01L2225/06586 , H01L2924/01013 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0665 , H01L2924/1431 , H01L2924/1432 , H01L2924/1434 , H01L2924/1436 , H01L2924/15311 , H01L2924/186 , H01L2924/40251

摘要： 本公开涉及一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置具有以面对面方式堆迭的多个半导体晶粒。通过面对面方式垂直堆迭不同功能的晶粒，在不同功能的所述晶粒之间实施一面对面通信(face-to-face communication)。此外，相较于具有以横向相邻方式配置的不同功能晶粒的半导体装置，本公开的技术以面对面方式垂直堆迭不同功能的晶粒，因而降低半导体装置的面积。再者，相较于具有以横向相邻方式配置的不同功能晶粒的信号路径，本公开的技术以面对面方式垂直堆迭的不同功能晶粒的信号路径较短；因此，本公开的技术以面对面方式垂直堆迭的不同功能晶粒可应用于高速电子装置。

6.

发明公开
具有薄的焊料阻止层的电元器件和用于制造的方法无效

公开(公告)号：CN108369935A

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201680062169.7

申请日：2016-09-06

申请人： 追踪有限公司

发明人： 亚历山大·施马朱

IPC分类号： H01L23/498 , H01L23/485 , H01L21/60 , H01L21/56 , B81C3/00

CPC分类号： H01L23/3121 , B81C3/00 , H01L21/4846 , H01L21/56 , H01L23/498 , H01L23/49894 , H01L24/02 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L2224/02375 , H01L2224/0239 , H01L2224/0401 , H01L2224/10145 , H01L2224/10175 , H01L2224/1132 , H01L2224/1148 , H01L2224/11849 , H01L2224/131 , H01L2224/13294 , H01L2224/133 , H01L2224/16058 , H01L2224/16059 , H01L2224/16145 , H01L2224/16238 , H01L2224/81192 , H01L2224/81815 , H01L2924/181 , H01L2924/3841 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01079 , H01L2924/01047 , H01L2924/00012

摘要： 本发明涉及一种电气模块(EB)以及用于制备电气模块(EB)的方法。所述模块(EB)具有基底(TR)，所述基底具有布置在其上的上层(O)和金属接触表面(MK)以及覆盖所述上侧(O)的一部分但不覆盖所述接触表面(MK)的阻焊层(LSS)。所述模块(EB)还包括电气部件(EK)，所述电气部件具有位于所述下侧上的接触表面(KF)和连接所述两个接触表面(MK,KF)的焊料凸块连接(BU)。所述阻焊层(O)具有200nm的最大厚度并且从而简化了用于通过模具模块(MM)封装所述模块(EB)的后续方法步骤。

7.

发明授权
半导体装置有权

公开(公告)号：CN104681541B

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201410709725.8

申请日：2014-11-28

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 小山英寿

IPC分类号： H01L23/532

CPC分类号： H01L23/4827 , H01L23/481 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/29 , H01L2224/0345 , H01L2224/03462 , H01L2224/03464 , H01L2224/0361 , H01L2224/039 , H01L2224/04026 , H01L2224/05005 , H01L2224/0508 , H01L2224/05082 , H01L2224/05083 , H01L2224/05084 , H01L2224/05116 , H01L2224/05124 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05157 , H01L2224/05166 , H01L2224/05169 , H01L2224/05179 , H01L2224/05187 , H01L2224/05561 , H01L2224/05564 , H01L2224/05644 , H01L2224/29022 , H01L2224/291 , H01L2224/29144 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/014 , H01L2924/054 , H01L2924/01028 , H01L2924/01078 , H01L2924/0544 , H01L2924/01082 , H01L2924/05341 , H01L2924/0539 , H01L2924/01027 , H01L2924/0105 , H01L2224/034

摘要： 本发明提供一种半导体装置，其能够抑制在通路孔内产生空隙。半导体装置(100)具备半导体衬底(12)。半导体衬底具备表面(12a)和背面(12b)，在表面设置有晶体管(26)的源极电极(20)、栅极电极(22)及漏极电极(24)。源极电极具有上表面(20a)及下表面(20b)。到达下表面(20b)的开口设置于背面(12b)。Au层(14)覆盖开口的侧面及底面。Ni层(16)设置为在开口内覆盖Au层(14)。Au层(19)由与Ni层的材料相比对焊料的密接性更高的材料形成，以在开口内覆盖Ni层的至少一部分的方式层叠于Ni层。焊料层(32)设置为填埋开口内部，与Ni层的一部分及Au层(19)接触。