黄光室系统
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103975416B

    公开(公告)日:2016-05-18

    申请号:CN201280060033.4

    申请日:2012-10-03

    Inventor: 原史朗

    Abstract: 在将涂敷装置、曝光装置、显影装置等一起配置在较大的黄光室内的情况下,与方法变更相伴的布局的变更变得困难,并且配置面积等的效率化较为困难。本发明提供一种黄光室系统,该黄光室系统具有:多个可搬运的单位处理装置(50),其具有规格化的相同的外形,且内含用于遮挡向形成于工件上的感光材料照射的感光光线的黄光室;搬运容器(11、12),其本身形成为黄光室,并用于在单位处理装置之间搬运所述工件;以及遮光性的连结构造,其形成在设于单位处理装置(50)的前室(80)的上部的对接口(56),用于连结单位处理装置和搬运装置。

    器件制造装置及方法
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103081059A

    公开(公告)日:2013-05-01

    申请号:CN201180041935.9

    申请日:2011-08-30

    Abstract: 本发明的课题在于与器件制造的变种变量生产弹性对应。本发明是对0.5英寸的晶片进行单晶片处理方式的器件制造方法及装置,其配置多个密闭型的单位处理装置(1)而形成制造生产线,该单位处理装置(1)可搬且优选具有规格化的外形,并对制造工艺中的一个处理工艺进行处理,在该器件的制造单位数比单位处理装置的数量多的情况下,与该器件的处理工艺的顺序对应而将该单位处理装置以流水车间方式配置,在该器件的制造单位数与单位处理装置的数量同等的情况下,将该单位处理装置以按照工序的顺序的大分类而分类配置的分类车间方式配置,另外在制造单位数明显低于工序数的情况下,将该单位处理装置以多单元车间方式配置,该多单元车间方式是按照一个工艺种类而将一台左右的单位处理装置配置在一个单元内且由多个所述单元构成的方式。

    连结系统
    5.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102934212B

    公开(公告)日:2016-08-03

    申请号:CN201180028491.5

    申请日:2011-05-30

    Inventor: 原史朗

    Abstract: 在晶圆等的搬运系统中,预先在装置中设有前室,并且使被搬运物从容器经过前室从而将被搬运物搬运至装置区域。因此,容器与前室的连结需利用复杂的机构来完成。因而,本发明在将搬运容器内的被搬运物搬运至装置内时,通过使搬运容器与装置密接而首先形成相当于前室的连结室,且通过将被搬运物与该连结室一起搬运至装置内,从而简化搬运容器和装置的结构,并且确实地将被搬运物搬运至装置内。

    连结系统
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102934212A

    公开(公告)日:2013-02-13

    申请号:CN201180028491.5

    申请日:2011-05-30

    Inventor: 原史朗

    Abstract: 在晶圆等的搬运系统中,预先在装置中设有前室,并且使被搬运物从容器经过前室从而将被搬运物搬运至装置区域。因此,容器与前室的连结需利用复杂的机构来完成。因而,本发明在将搬运容器内的被搬运物搬运至装置内时,通过使搬运容器与装置密接而首先形成相当于前室的连结室,且通过将被搬运物与该连结室一起搬运至装置内,从而简化搬运容器和装置的结构,并且确实地将被搬运物搬运至装置内。

    自旋清洗装置及自旋清洗方法

    公开(公告)号:CN105814667B

    公开(公告)日:2019-03-15

    申请号:CN201480065794.8

    申请日:2014-12-01

    Abstract: 本发明提供一种能够用少量的清洗液高效地清洗晶片、高效地进行加热湿式清洗处理的晶片清洗机及其方法。本发明的晶片清洗机具有:载物台(34),其设置晶片(W);旋转驱动部(34b),其使载物台(34)周向旋转;喷液嘴(35),其与设置在载物台(34)的晶片(W)相向设置,向设置在载物台(34)的晶片(W)上供给清洗液(L);以及控制单元(4),其使喷液嘴(35)向设置在载物台(34)的晶片(W)和喷液嘴(35)之间的空间(S)供给填满该空间(S)的规定量的清洗液(L)。另外,具有设于与设置在载物台(34)的晶片(W)面对的位置,至少对晶片(W)和清洗液(L)的界面部分进行加热的灯(34e)。

    旋转显影方法及装置
    9.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103975276B

    公开(公告)日:2018-12-11

    申请号:CN201280060328.1

    申请日:2012-10-03

    Inventor: 耸嘛玩 原史朗

    CPC classification number: G03F7/162 B05C5/02 B05C11/08 B05C11/1005 G03F7/3021

    Abstract: 形成于半英寸尺寸的晶圆上的抗蚀剂的最佳的显影方法及装置。是在制作极小单位数的半导体器件的晶圆尺寸的晶圆上形成的抗蚀剂的旋转显影方法及其装置,所述旋转显影方法包括:第1步骤,在停止着的晶圆上滴下显影液直到显影液的厚度达到最大;第2步骤,一边使晶圆旋转一边进行显影;第3步骤,使晶圆的旋转停止向晶圆上供给约第1步骤中的显影液量的一半的显影液;第4步骤,一边使晶圆旋转一边以比第2步骤长的显影时间进行显影。

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