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公开(公告)号:CN103975416B
公开(公告)日:2016-05-18
申请号:CN201280060033.4
申请日:2012-10-03
Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所
Inventor: 原史朗
IPC: H01L21/02 , B65G49/07 , H01L21/027 , H01L21/677
CPC classification number: G03F7/7075 , G21F7/00 , H01L21/6719 , H01L21/67751 , H01L21/67772 , H01L21/67775
Abstract: 在将涂敷装置、曝光装置、显影装置等一起配置在较大的黄光室内的情况下,与方法变更相伴的布局的变更变得困难,并且配置面积等的效率化较为困难。本发明提供一种黄光室系统,该黄光室系统具有:多个可搬运的单位处理装置(50),其具有规格化的相同的外形,且内含用于遮挡向形成于工件上的感光材料照射的感光光线的黄光室;搬运容器(11、12),其本身形成为黄光室,并用于在单位处理装置之间搬运所述工件;以及遮光性的连结构造,其形成在设于单位处理装置(50)的前室(80)的上部的对接口(56),用于连结单位处理装置和搬运装置。
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公开(公告)号:CN105374724A
公开(公告)日:2016-03-02
申请号:CN201510790429.X
申请日:2011-08-30
Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC: H01L21/677 , H01L21/02 , G05B19/00
CPC classification number: H01L21/67703 , G05B19/4188 , G05B2219/32395 , G05B2219/32396 , H01L21/02 , H01L21/67727 , Y02P90/04 , Y02P90/24 , Y02P90/28 , Y02P90/86 , Y10T29/41
Abstract: 本发明的课题在于与器件制造的变种变量生产弹性对应。本发明的器件制造系统具有:能够移动的多个单位处理装置,其担任器件制造工艺中的规定的处理工艺且具有密闭型的工艺处理部;密闭型的搬运容器,其收纳晶片;密闭型的晶片进出前室,其安装在各个所述单位处理装置的相同位置,在所述工艺处理部与所述搬运容器之间交接所述晶片,所述器件制造系统的特征在于,所述单位处理装置分别具有相同的外形形状,并且所述晶片进出前室分别具有相同的晶片交接机构和外形形状。
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公开(公告)号:CN103846781A
公开(公告)日:2014-06-11
申请号:CN201310641959.9
申请日:2013-12-03
Applicant: 不二越机械工业株式会社 , 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC: B24B37/10
CPC classification number: B24B7/228 , B24B37/105 , B24B37/16 , B24B37/26 , B24B37/30 , B24B37/345 , B24B53/017 , H01L21/02041
Abstract: 晶圆研磨设备包括研磨板、能够保持晶圆的研磨头和研磨液供给部。该研磨板包括:多个同心的研磨区,各研磨区均具有用于研磨晶圆的规定宽度并且在各研磨区上均贴附研磨布;以及用于排出研磨液的槽,该槽形成在研磨区之间。用于清洁研磨头的头清洁部或用于清洁研磨后的晶圆的晶圆清洁部设置到研磨板的中心部分并且位于最内侧研磨区的内侧。
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公开(公告)号:CN103081059A
公开(公告)日:2013-05-01
申请号:CN201180041935.9
申请日:2011-08-30
Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC: H01L21/02 , H01L21/027 , H01L21/677
CPC classification number: H01L21/67703 , G05B19/4188 , G05B2219/32395 , G05B2219/32396 , H01L21/02 , H01L21/67727 , Y02P90/04 , Y02P90/24 , Y02P90/28 , Y02P90/86 , Y10T29/41
Abstract: 本发明的课题在于与器件制造的变种变量生产弹性对应。本发明是对0.5英寸的晶片进行单晶片处理方式的器件制造方法及装置,其配置多个密闭型的单位处理装置(1)而形成制造生产线,该单位处理装置(1)可搬且优选具有规格化的外形,并对制造工艺中的一个处理工艺进行处理,在该器件的制造单位数比单位处理装置的数量多的情况下,与该器件的处理工艺的顺序对应而将该单位处理装置以流水车间方式配置,在该器件的制造单位数与单位处理装置的数量同等的情况下,将该单位处理装置以按照工序的顺序的大分类而分类配置的分类车间方式配置,另外在制造单位数明显低于工序数的情况下,将该单位处理装置以多单元车间方式配置,该多单元车间方式是按照一个工艺种类而将一台左右的单位处理装置配置在一个单元内且由多个所述单元构成的方式。
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公开(公告)号:CN102934212B
公开(公告)日:2016-08-03
申请号:CN201180028491.5
申请日:2011-05-30
Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所
Inventor: 原史朗
IPC: H01L21/673
CPC classification number: H01L21/673 , H01L21/67353 , H01L21/67379 , H01L21/67386 , H01L21/67751 , H01L21/67772
Abstract: 在晶圆等的搬运系统中,预先在装置中设有前室,并且使被搬运物从容器经过前室从而将被搬运物搬运至装置区域。因此,容器与前室的连结需利用复杂的机构来完成。因而,本发明在将搬运容器内的被搬运物搬运至装置内时,通过使搬运容器与装置密接而首先形成相当于前室的连结室,且通过将被搬运物与该连结室一起搬运至装置内,从而简化搬运容器和装置的结构,并且确实地将被搬运物搬运至装置内。
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公开(公告)号:CN104011491A
公开(公告)日:2014-08-27
申请号:CN201280059406.6
申请日:2012-11-30
Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC: F27D11/02
CPC classification number: C23C16/482 , C30B13/24 , F27B17/0025 , F27D2099/0026 , H01L21/67115 , Y10T117/108
Abstract: 本发明提供一种用于加热被加热物的聚光镜方式加热炉,是通过反射镜装置反射从光源放射的光而照射于被加热物,用于加热被加热物的聚光镜方式加热炉,其特征在于,反射镜装置由一次反射镜及二次反射镜构成,使从光源放射的光依次被一次反射镜及二次反射镜反射而照射于被加热物,由该二次反射镜反射而照射于被加热物表面的光并未相对于该被加热物表面垂直地进行照射。由此,在通过聚光的红外线进行加热的装置中,即便是使用旋转椭圆面的装置也能保持加热性能并进行小型化。
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公开(公告)号:CN102934212A
公开(公告)日:2013-02-13
申请号:CN201180028491.5
申请日:2011-05-30
Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所
Inventor: 原史朗
IPC: H01L21/673
CPC classification number: H01L21/673 , H01L21/67353 , H01L21/67379 , H01L21/67386 , H01L21/67751 , H01L21/67772
Abstract: 在晶圆等的搬运系统中,预先在装置中设有前室,并且使被搬运物从容器经过前室从而将被搬运物搬运至装置区域。因此,容器与前室的连结需利用复杂的机构来完成。因而,本发明在将搬运容器内的被搬运物搬运至装置内时,通过使搬运容器与装置密接而首先形成相当于前室的连结室,且通过将被搬运物与该连结室一起搬运至装置内,从而简化搬运容器和装置的结构,并且确实地将被搬运物搬运至装置内。
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公开(公告)号:CN105814667B
公开(公告)日:2019-03-15
申请号:CN201480065794.8
申请日:2014-12-01
Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC: H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种能够用少量的清洗液高效地清洗晶片、高效地进行加热湿式清洗处理的晶片清洗机及其方法。本发明的晶片清洗机具有:载物台(34),其设置晶片(W);旋转驱动部(34b),其使载物台(34)周向旋转;喷液嘴(35),其与设置在载物台(34)的晶片(W)相向设置,向设置在载物台(34)的晶片(W)上供给清洗液(L);以及控制单元(4),其使喷液嘴(35)向设置在载物台(34)的晶片(W)和喷液嘴(35)之间的空间(S)供给填满该空间(S)的规定量的清洗液(L)。另外,具有设于与设置在载物台(34)的晶片(W)面对的位置,至少对晶片(W)和清洗液(L)的界面部分进行加热的灯(34e)。
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公开(公告)号:CN103975276B
公开(公告)日:2018-12-11
申请号:CN201280060328.1
申请日:2012-10-03
Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC: G03F7/30 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/162 , B05C5/02 , B05C11/08 , B05C11/1005 , G03F7/3021
Abstract: 形成于半英寸尺寸的晶圆上的抗蚀剂的最佳的显影方法及装置。是在制作极小单位数的半导体器件的晶圆尺寸的晶圆上形成的抗蚀剂的旋转显影方法及其装置,所述旋转显影方法包括:第1步骤,在停止着的晶圆上滴下显影液直到显影液的厚度达到最大;第2步骤,一边使晶圆旋转一边进行显影;第3步骤,使晶圆的旋转停止向晶圆上供给约第1步骤中的显影液量的一半的显影液;第4步骤,一边使晶圆旋转一边以比第2步骤长的显影时间进行显影。
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公开(公告)号:CN103846781B
公开(公告)日:2017-09-22
申请号:CN201310641959.9
申请日:2013-12-03
Applicant: 不二越机械工业株式会社 , 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC: B24B37/10
CPC classification number: B24B7/228 , B24B37/105 , B24B37/16 , B24B37/26 , B24B37/30 , B24B37/345 , B24B53/017
Abstract: 晶圆研磨设备包括研磨板、能够保持晶圆的研磨头和研磨液供给部。该研磨板包括:多个同心的研磨区,各研磨区均具有用于研磨晶圆的规定宽度并且在各研磨区上均贴附研磨布;以及用于排出研磨液的槽,该槽形成在研磨区之间。用于清洁研磨头的头清洁部或用于清洁研磨后的晶圆的晶圆清洁部设置到研磨板的中心部分并且位于最内侧研磨区的内侧。
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