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公开(公告)号：CN117578099B
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202311666931.0
申请日：2023-12-07
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H01Q21/06 , H01Q23/00 , H01Q3/00 , H01Q1/24 , H01Q1/00 , H01Q1/38 , H01Q21/00 , H01Q1/50 , H01Q1/48 , H01Q3/34
摘要： 本发明的目的在于提供一种具有高稳定增益的大角度方向图可重构天线，属于可重构天线技术领域。该天线基于惠更斯单元进行布阵，单个惠更斯元，不同电单极子和磁偶极子组合实现的方向图不同，通过控制PIN二极管的通断可以切换不同电单极子，可实现两种倾斜方向图和一种宽角端射方向图之间的切换。本发明天线等效为1×3惠更斯阵列，根据方向图叠加原理，通过对每个惠更斯元的方向图调控并进行组合，可以实现九种不同的倾斜方向图之间扫描，扫描范围为27°‑153°，最高增益高达10dBi，扫描增益损耗仅为0.8dB；同时该天线结构简单，尺寸小，成本低，具有较高的应用价值和创新。
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公开(公告)号：CN117715507A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311723060.1
申请日：2023-12-14
申请人： 西安电子科技大学
摘要： 本发明涉及一种基于结晶调控的α‑氧化镓阻变存储器及其制备方法，α‑氧化镓阻变存储器，包括自下而上依次设置的衬底层、底电极、功能层和顶电极；其中，功能层的材料包括(006)晶面的α‑氧化镓。本发明通过使用(006)晶面的α‑氧化镓作为阻变存储器的功能层，(006)晶面的α‑氧化镓在高温环境下具有良好的阻变特性，实现了阻变存储器在高温环境下的应用，解决了现有技术在高温环境下的工作适应性问题。
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公开(公告)号：CN116581552A
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202310352632.3
申请日：2023-04-04
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明属于吸透一体材料技术领域，具体提供一种具有极化选择性和高滚降特性的可切换吸透一体材料，用以实现在吸透一体、极化选择和吸波模式之间切换。本发明由两个阻抗层和频率选择表面组成；并且在有源阻抗层和FSS上加载的PIN二极管可以通过偏置信号在正交极化中独立控制，以实现极化选择性，FSS设计中引入了传输零点，以改善其传输频带的滚降特性；同时，FSS单元为对称结构，可选通任意线极化入射的电磁波，具有较强的实用性。综上，本发明具有吸透一体、极化选择和吸波模式三种工作模式，通过二极管实现工作模式的切换，具有性能优异、结构简单、制备成本低等优点。
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公开(公告)号：CN114038750B
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202111304770.1
申请日：2021-11-05
申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC分类号： H01L21/335 , H01L21/306 , H01L21/308 , H01L23/373 , H01L29/778
摘要： 本发明公开了一种氮化镓功率器件的制备方法，涉及半导体技术领域，通过上述方法获得了氮化镓功率器件，其结构组成为：包括衬底、低温氮化镓成核层、氮化镓缓冲层、氮化镓沟道层、氮化铝插入层、铝镓氮势垒层、漏电极、源电极、栅电极和介质层，其中在氮化镓缓冲层生长中间过程中选区插入多晶金刚石，本发明基于自身在氮化镓器件制备以及金刚石生长方面的基础，提出了一种在AlGaN/GaN异质结外延过程中穿插生长多晶金刚石的方案，可以有效的提高AlGaN/GaN HEMT功率器件散热能力，同时优化生长条件，改善AlGaN/GaN异质结生长质量。
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公开(公告)号：CN112713189A
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN202011600632.3
申请日：2020-12-29
申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/06 , H01L21/335
摘要： 本发明公开了一种具有氮化镓高阻层的HEMT器件的外延结构及其制备方法，属于微电子技术领域，包括从下至上依次层叠设置的衬底、成核层、缓冲层、GaN高阻层、GaN沟道层、AlN插入层、AlGaN势垒层以及GaN帽层，本发明提供一种具有氮化嫁系高阻层的HEMT，提供了一种新的结构及长法，实现在不牺牲晶格质量的同时获得自动掺杂C的氮化镓高阻层。
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公开(公告)号：CN108880544A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201810522695.8
申请日：2018-05-28
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H03M1/10
摘要： 本发明公开了一种多器件数据同步的自校正方法，通过在ADC测试模式下，在FPGA内部对BUFR复位信号的延迟调整，并对多核ADC输出的多路数据进行一致性判断，对其结果进行统计分析得到一个最佳延迟设置值，从而保证ADC多核数据之间的同步；在此基础上，不断调节ADC复位信号的延迟，通过对BUFR同步复位信号最佳延迟值的变化来判断ADC复位信号与采样时钟SCLK之间的关系，最终得到ADC复位信号的最佳延迟值，保证ADC复位的稳定；最后，通过在测试模式下对每片ADC采样数据的判断，调节ADC同步寄存器的值来保证多ADC之间的同步，从而实现多ADC之间数据的稳定拼合，提高采集系统的采样率。
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公开(公告)号：CN106876971A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201710102784.2
申请日：2017-02-24
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明提供一种小型化超宽带天线，包括介质基板，介质基板上下表面的金属贴片，上表面的金属贴片为天线贴片，下表面的金属贴片为微带馈线，天线贴片包括接地板、短枝节和长枝节，长、短枝节都包括内槽线和外槽线，接地板的中心设有一段竖直开槽的槽线，槽线的上方连接长枝节的内槽线，槽线的底部连接圆形槽，长、短枝节的外槽线和内槽线的边缘形状采用指数型过渡曲线，长枝节的外槽和短枝节的内槽之间形成一指数环形槽，本发明的整体空间结构紧凑，天线背板与馈线连接紧密，辐射单元依靠共面带线耦合供电的方式，满足相位要求的同时又节省尺寸，设计方便，天线增加指数环形槽来转移低频率点的辐射易于理解，小型化方案可复制性强。
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公开(公告)号：CN105490016A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201610039770.6
申请日：2016-01-21
申请人： 桂林电子科技大学
摘要： 本发明公开一种基于谐振式反射器的宽带定向天线，主要由宽带天线本体层、谐振式反射器层和引向器层组成；谐振式反射器层位于宽带天线本体层的正下方；引向器层位于宽带天线本体层的正上方。宽带天线本体层包括本体介质基板、以及覆贴于本体介质基板的上的主辐射贴片和金属加载环。谐振式反射器层包括谐振介质基板和覆贴于谐振介质基板的金属谐振环。引向器层包括引向介质基板和覆贴于引向介质基板金属引向环。由于本发明既克服了天线加载传统金属反射板所需的较高的剖面，又克服了天线加载AMC结构所需要的较大的面积以及较窄的频带，因此本发明具有双重优势。
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公开(公告)号：CN105226391A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201510700939.3
申请日：2015-10-26
申请人： 桂林电子科技大学
摘要： 本发明公开一种具有矩形阻带特性的超宽带带阻天线，且通过在超宽带天线的共面波导或微带波导的馈线上放置电磁带隙结构，使得一定频率范围的电磁能量不能通过，从而产生阻带。EBG结构为强谐振结构，具有陡峭的谐振曲线，从而两个EBG结构组合在一起能产生一个矩形的阻带。通过调整两个EBG结构的尺寸可方便地调整阻带频率和阻带宽度，使优化效率提高，节约了系统资源和涉及效率。此外，EBG结构置于馈线上，对辐射贴片的影响小。因而，本发明所设计的天线适用于存在窄带串扰的超宽带系统中。
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