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公开(公告)号：CN114121661B
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202111199880.6
申请日：2021-10-14
Applicant: 西安工业大学
Abstract: 本发明提供了一种TMO薄膜和TMO‑TFT的超低温制备方法。该超低温制备方法包括：S1：制备TMO前驱液；S2：基片的清洗及表面活化；S3：预沉积TMO湿膜的制备；S4：对S3中获得的预沉积TMO湿膜进行预退火，获得预退火TMO薄膜；S5：对S4中获得的预退火TMO薄膜进行N2等离子处理或进行N2等离子处理与后退火，获得TMO薄膜；S6：将S5获得的TMO薄膜作为有源层制备TFT，获得TMO‑TFT。本发明在保证TMO薄膜具有良好半导体特性以及TMO‑TFT展现优异电学特性的同时，实现了TMO薄膜及TMO‑TFT的超低温制备，从而增强了TMO‑TFT与柔性基板的兼容性。
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公开(公告)号：CN114121661A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111199880.6
申请日：2021-10-14
Applicant: 西安工业大学
IPC: H01L21/336 , H01L29/786
Abstract: 本发明提供了一种TMO薄膜和TMO‑TFT的超低温制备方法。该超低温制备方法包括：S1：制备TMO前驱液；S2：基片的清洗及表面活化；S3：预沉积TMO湿膜的制备；S4：对S3中获得的预沉积TMO湿膜进行预退火，获得预退火TMO薄膜；S5：对S4中获得的预退火TMO薄膜进行N2等离子处理或进行N2等离子处理与后退火，获得TMO薄膜；S6：将S5获得的TMO薄膜作为有源层制备TFT，获得TMO‑TFT。本发明在保证TMO薄膜具有良好半导体特性以及TMO‑TFT展现优异电学特性的同时，实现了TMO薄膜及TMO‑TFT的超低温制备，从而增强了TMO‑TFT与柔性基板的兼容性。
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公开(公告)号：CN111521112A
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN202010327645.1
申请日：2020-04-23
Applicant: 西安工业大学
Abstract: 本发明公开了一种傅里叶及窗口傅里叶变换的联合相位重构算法,其特征在于,针对单帧载频干涉条纹图，利用傅里叶空频分析法滤除背景光强及其他无关项的干扰，利用傅里叶逆变换处理将其转换到空域内；随后对其进行二维窗口傅里叶变换处理，将得到的窗口傅里叶频谱分布中的最大值进行提取，滑动窗口函数获得整幅干涉条纹的窗口傅里叶脊分布，包裹相位可对窗口傅里叶脊求相位角计算求取。随后对该包裹相位进行二维解包裹处理，获得所需连续相位。本发明与传统WFT相比，克服了背景光强干扰问题，并通过正一级频谱移中处理化简了载频条纹在面形拟合时存在的消倾斜等繁杂过程，显著提高了WFT相位重构技术的精度，可进一步应用于大口径光学元件测量中。
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公开(公告)号：CN105093376A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510562808.3
申请日：2015-09-07
Applicant: 西安工业大学
IPC: G02B5/20
Abstract: 本发明公开了一种中心波长渐变的带通滤光片制备方法，根据带通滤光片中心波长的位置与间隔层光学厚度成正比的关系在真空室中采用等离子体增强化学气相沉积完成第一高反射膜堆和间隔层的制备，然后在真空室中采用离子束刻蚀和掩模板组合技术对不同位置处的间隔层进行不同的厚度刻蚀，使对应不同中心波长的间隔层形成阶梯状台阶，最后再采用等离子体增强化学气相沉积完成第二高反射膜堆的制备，即获得中心波长渐变的带通滤光片。本发明所提供的中心波长渐变滤光片的制备方法只需经过一次第一高反射膜1和间隔层的镀制、离子束与掩模组合刻蚀、第二高反射膜堆的镀制就可完成n个中心波长渐变滤光片的制备，方法简单、效率高。
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公开(公告)号：CN102243328A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN201110197269.X
申请日：2011-07-14
Applicant: 西安工业大学
Abstract: 本发明涉及一种光伏电池组件太阳模拟器滤光片及其制造方法。现有技术存在在仅用几个脉冲氙灯作为光源时，因滤光片导致的角度效应，影响整个光伏电池组件性能测试的问题。为克服现有技术存在的问题，本发明提供的光伏电池组件太阳模拟器滤光片，其中心部分的中心波长小于周边部分的中心波长，和一种所述光伏电池组件太阳模拟器滤光片的制造方法，是将这两种中心波长不同的滤光片进行拼接，拼接时，将两种不同中心的波长滤光片胶合在一片未镀膜的基片上，基片的大小为100×100mm。本发明的优点是：可提高仅用一种中心波长滤光片情况下，光伏电池组件大面积模拟器测试面上各点的光谱匹配度；可操作性强，易于实现，且成本低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101359061A
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200810150923.X
申请日：2008-09-11
Applicant: 西安工业大学
Abstract: 本发明涉及光学制造和光电元器件生产设备技术领域，具体涉及一种光学镀膜方法以及使用该方法的光学镀膜机。本发明要解决现有技术存在的无法满足各种光学薄膜和光电功能多层薄膜以及光电微系统制备的需求，且设备投入成本高的问题。为解决现有技术存在的问题，所提供的技术方案是，一种光学镀膜方法，是将真空阴极电弧镀膜技术、磁控溅射镀膜技术和热蒸发镀膜技术根据薄膜种类进行组合使用，使用中被镀件始终保持在真空状态下，实时进行蒸发源的快速转换。同时提供一种光学镀膜机，包括真空镀膜室，温度控制系统，膜厚控制系统，气体流量提供、控制系统和薄膜蒸发系统，所述薄膜蒸发系统包括阴极真空电弧发生装置、磁控溅射装置和热蒸发装置。
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公开(公告)号：CN111796501B
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202010597987.5
申请日：2020-06-28
Applicant: 西安工业大学
Abstract: 本发明公开了一种共光路相移数字全息显微测量装置，包括沿光路方向依次固定设置的光纤激光器(1)、光纤准直器(2)、可调衰减器(3)、显微物镜(5)、平面平晶I(6)、平面平晶II(7)、压电陶瓷驱动器(8)、会聚透镜(9)、滤波器(10)和成像探测器件(11)，所述成像探测器(11)通过电缆与计算机(12)连接。本发明利用紧邻的两平面平晶，实现参考光和测试光间的相位差变化，获得被测目标的相移数字全息显微成像。该装置不但消除了非共光路中系统噪声的影响，而且易于实现高精度相移全息，有效地提高了数字全息的相位重建精度。
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公开(公告)号：CN109015393A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810898314.6
申请日：2018-08-08
Applicant: 西安工业大学
Abstract: 本发明涉及光学元件超光滑表面抛光技术领域，具体涉及一种光学元件超光滑表面的抛光装置及抛光方法。来克服现有技术存在的抛光效率低，需高精度数控机床控制，以及大面积去除出现波度误差的情况。本抛光装置为轴对称结构，包括管道和中间供液的磨头，磨头下端的抛光面为平面，沿圆心在抛光面上等间距设置有数个环状沟槽，环状沟槽分布于抛光面的外圆处；管道将抛光液输送到磨头中心,抛光液为牛顿流体，在压力的作用下抛光液从磨头中心向四周流动，在磨头的抛光面与工件之间形成液膜将磨头与工件隔离开，磨头漂浮在工件表面上，流体流经抛光区域，在抛光面的凹槽处形成涡流，斜入射到工件表面，对工件表面产生剪切力，实现材料的去除。
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公开(公告)号：CN102896855B
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201210342168.1
申请日：2012-09-17
Applicant: 西安工业大学
Abstract: 本发明涉及一种玻璃微珠型防伪薄膜及其制备方法。本发明提供的一种玻璃微珠型防伪薄膜，由下至上依次包括基材、粘结层、一侧镀有介质分光膜的玻璃微珠层和保护层。提供的两种制备方法：一是先对柔性基底上的玻璃微珠制作出图文信息；再在玻璃微珠露出一侧沉积分光膜；然后将玻璃微珠转移到基材上，在露出的玻璃微珠的表面上喷保护层。二是先在柔性基底上玻璃微珠一侧沉积分光膜；再对基材上的粘结层进行图文化处理后将玻璃微珠的镀膜面镶嵌到图文化后的粘结层中，在玻璃微珠上喷保护层。本发明透明、技术壁垒高、防伪力度大，光角变色明显，易于识别，既可广泛应用于各类商品标识、证件，也可用于柔性基材的防伪，如各类服装等。
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公开(公告)号：CN102896855A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201210342168.1
申请日：2012-09-17
Applicant: 西安工业大学
Abstract: 本发明涉及一种玻璃微珠型防伪薄膜及其制备方法。本发明提供的一种玻璃微珠型防伪薄膜，由下至上依次包括基材、粘结层、一侧镀有介质分光膜的玻璃微珠层和保护层。提供的两种制备方法：一是先对柔性基底上的玻璃微珠制作出图文信息；再在玻璃微珠露出一侧沉积分光膜；然后将玻璃微珠转移到基材上，在露出的玻璃微珠的表面上喷保护层。二是先在柔性基底上玻璃微珠一侧沉积分光膜；再对基材上的粘结层进行图文化处理后将玻璃微珠的镀膜面镶嵌到图文化后的粘结层中，在玻璃微珠上喷保护层。本发明透明、技术壁垒高、防伪力度大，光角变色明显，易于识别，既可广泛应用于各类商品标识、证件，也可用于柔性基材的防伪，如各类服装等。
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