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公开(公告)号：CN119562544A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202410375302.0
申请日：2024-03-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本申请公开了调谐晶体管阈值电压的处理。一种方法包括：基于半导体区域的第一部分形成源极/漏极区域，基于半导体区域的第二部分形成高k电介质层，在高k电介质层上形成偶极子膜，使用包含氮气和氢气的工艺气体对偶极子膜执行处理工艺，执行驱入工艺以将偶极子膜中的偶极子掺杂剂驱入高k电介质层，以及在高k电介质层上沉积功函数层。
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公开(公告)号：CN119560376A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202411401739.3
申请日：2024-10-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种形成半导体装置的方法。此方法包括在一基板的一通道区上方形成一高介电常数栅极介电层；在高介电常数栅极介电层上方沉积一功函数金属层；在功函数金属层上方形成一氮化钛盖体，其中氮化钛盖体包括一个或多个充氧区域；在氮化钛盖体上沉积一硅盖层；在硅盖层上沉积一导电粘合层；以及在导电粘合层的上方沉积一栅极填充金属层，以形成一栅极结构。
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公开(公告)号：CN112750828B
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202011188822.9
申请日：2020-10-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种具有不同栅极结构构造的半导体器件及其制造方法。半导体器件包括设置在衬底上的第一对源极/漏极区和第二延源极/漏极区，第一纳米结构沟道区和第二纳米结构沟道区，以及具有彼此不同的有效功函值的第一栅极结构和第二栅极结构。第一栅极结构和第二栅极结构包括第一高K栅极介电层和第二高K栅极介电层，具有彼此不同的厚度的第一阻挡金属层和第二阻挡金属层，分别设置在第一阻挡金属层和第二阻挡金属层上的具有彼此基本相等的厚度的第一功函金属(WFM)氧化物层和第二功函金属氧化物层，设置在第一功函金属氧化物层和第一阻挡金属层之间的第一偶极层，以及设置在第二功函金属氧化物层和第二阻挡金属层之间的第二偶极层。
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公开(公告)号：CN110967917B
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN201910909214.3
申请日：2019-09-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种用于极紫外线微影术的光罩包括基板，基板具有前表面及与该前表面相对的后表面；多层Mo/Si堆叠，多层Mo/Si堆叠安置在基板的前表面上；封盖层，封盖层安置在多层Mo/Si堆叠上；吸收层，吸收层安置在封盖层上；以及背侧导电层，背侧导电层安置在基板的后表面上。背侧导电层由硼化钽制成。
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公开(公告)号：CN115437208B
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202210553811.9
申请日：2022-05-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F1/24 , H01L21/033
Abstract: 用于EUV光掩模的薄膜包括：第一层；第二层；以及主层，设置在第一层和第二层之间并且包括多个纳米管。第一层或第二层中的至少一个包括其中堆叠有一个或多个二维层的二维材料。在以上和以下的一个或多个实施例中，第一层包括第一二维材料并且第二层包括第二二维材料。本申请的实施例还涉及用于极紫外(EUV)反射掩模的薄膜及其制造方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113809046B
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202110734479.1
申请日：2021-06-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/528 , H01L21/768
Abstract: 本公开提供了一种互连结构、半导体结构及其形成方法，该半导体结构包括：衬底；第一金属线，位于所述衬底上方并且沿第一方向延伸；保护层，衬垫所述第一金属线的侧壁；第二金属线，位于所述第一金属线上并且沿所述第一方向延伸；第三金属线，位于所述第二金属线上方并且沿垂直于所述第一方向的第二方向延伸。
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公开(公告)号：CN113131903B
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202011607324.3
申请日：2020-12-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H03K3/037
Abstract: 一种包括多位触发器的电路，包括：多位触发器；连接到多位触发器的集成时钟门控电路；以及连接到集成时钟门控电路和多位触发器的控制电路。控制电路将对应于输入数据的多位触发器的输出数据与输入数据进行比较。控制电路基于将对应于输入数据的多位触发器的输出数据与多位触发器的输入数据进行比较来生成使能信号。控制电路将使能信号提供给集成时钟门控电路，其中，集成时钟门控电路基于使能信号向多位触发器提供时钟信号，从而使多位触发器触发。本发明的实施例还涉及操作多位触发器的方法。
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公开(公告)号：CN119521817A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411532105.1
申请日：2024-10-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H10F39/18
Abstract: 本公开实施例提供了图像传感器及其制造方法。图像传感器包括衬底和栅电极。栅电极靠近衬底的第一侧设置。栅电极包括第一栅极部分、第二栅极部分和第三栅极部分。第一栅极部分设置在衬底的第一侧上方。第二栅极部分设置在衬底内并且连接至第一栅极部分。第三栅极部分设置在第二栅极部分之下并且连接至第二栅极部分。第一栅极部分的第一宽度大于第二栅极部分的第二宽度，并且第三栅极部分的第三宽度大于第二宽度。
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公开(公告)号：CN119521735A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202410900204.4
申请日：2024-07-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开涉及形成具有低寄生电容和降低的损伤的隔离区域。一种结构，包括：多个半导体区域、彼此直接相邻的第一栅极堆叠和第二栅极堆叠、位于第一栅极堆叠中的第一鳍隔离区域、和位于第二栅极堆叠中的第二鳍隔离区域。第一鳍隔离区域和第二鳍隔离区域具有侧向重叠，该侧向重叠具有等于或大于多个半导体区域的间距的重叠距离。在平行于第一栅极堆叠和第二栅极堆叠的纵向方向上测量重叠距离。多个源极/漏极区域位于第一栅极堆叠和第二栅极堆叠的相反侧上以形成多个晶体管。
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公开(公告)号：CN119521685A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411532121.0
申请日：2024-10-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H10D1/68
Abstract: 一种半导体器件结构，包括：第一电极，上覆于衬底；节点电介质，接触第一电极并且包括介电常数大于30的介电材料；以及第二电极，接触节点电介质。第一电极和第二电极中的第一者包括第一催化金属板，第一催化金属板与节点电介质直接接触，并且具有不大于钼的电负性的第一电负性。本申请的实施例还公开了形成半导体器件结构的方法。
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