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公开(公告)号：CN107315877A
公开(公告)日：2017-11-03
申请号：CN201710508574.3
申请日：2017-06-28
申请人： 华北电力大学
IPC分类号： G06F17/50
摘要： 本发明公开一种预测功率器件结温的方法及系统，方法包括：获取被测器件的积分结构函数曲线；根据被测器件的封装形式、封装材料、积分结构函数曲线的起点确定第一芯片层；根据积分结构函数曲线中对应第一芯片层的曲线段的斜率对第一芯片层进行分层，得到各热等效层及对应的热阻值；根据各热等效层及对应的热阻值建立被测器件的芯片层的热等效分层模型，以预测被测器件的结温。本发明对芯片层建立热等效分层模型时，采用的是热等效分层结构，而不是物理性的分层，因此，热等效分层模型可准确表征功率半导体器件中芯片层的热分布特性，该模型能精确预测功率器件的结温，而且建立该热等效分层模型的方法适用于一切功率半导体芯片，便于实施和推广。
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公开(公告)号：CN107181399A
公开(公告)日：2017-09-19
申请号：CN201710563804.6
申请日：2017-07-12
申请人： 华北电力大学
IPC分类号： H02M1/34
CPC分类号： Y02B70/1483 , H02M1/34 , H02M2001/348
摘要： 本发明公开了一种新型直流母排。所述直流母排包括：吸收电容、储能电容、正极、负极、绝缘层；多个所述储能电容的排放位置呈环形结构，多个所述储能电容并联在一起；所述正极与所述储能电容的一端相连接；所述储能电容的另一端与所述负极相连接；所述绝缘层叠放在所述正极上；所述负极叠放在所述绝缘层上；多个所述吸收电容的排放位置也呈环形结构；所述吸收电容位于所述负极上；所述吸收电容用于降低寄生电感；多个所述吸收电容并联在一起；所述储能电容和所述吸收电容并联。采用本发明所提供的直流母排能够有效减小功率回路中的寄生电感，从而降低碳化硅功率器件在开关过程中的电压电流过冲，减小开关损耗，提升碳化硅功率器件的使用寿命。
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公开(公告)号：CN105552038A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201510960406.9
申请日：2015-12-18
IPC分类号： H01L23/10 , H01L29/739
摘要： 本发明提供一种大功率压接式IGBT器件，包括管壳和同轴安装在所述管壳上下两端的板状金属电极，下端金属电极的内侧面上安装有凸台，所述凸台与上端金属电极之间压接有功率子模块，所述下端金属电极的内侧面上垂直安装有将所述下端金属电极的内侧面分隔成四个区域的十字形硅钢片组；所述凸台分布在所述四个区域内；所述十字形硅钢片组外部为绝缘框架。本发明提供的技术方案将大量的凸台进行分割，降低了凸台在通过瞬态电流时，所产生磁场的相互影响，从而实现了局部区域内凸台之间杂散电感的最小化，提高了器件的使用性能。
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公开(公告)号：CN105514095A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201510959099.2
申请日：2015-12-18
IPC分类号： H01L25/07 , H01L23/367
摘要： 本发明提供一种凸台高度可变的压接式IGBT模块，包括管壳和同轴设于所述管壳上下两端的板状金属电极，下端金属电极的内侧面上分布有凹槽，每个凹槽中容纳一凸台，所述凸台底部为向上凹陷的凹面；所述凸台与上端金属电极之间压接有功率子模块。本发明提供的压接式IGBT模块整体结构简单紧凑、散热性能更好、驱动回路杂散参数更小，对钼片、芯片、银片厚度一致性以及凸台高度一致性要求更低，提高了器件的使用性能。
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公开(公告)号：CN103176103A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201310084622.2
申请日：2013-03-15
申请人： 华北电力大学
CPC分类号： Y04S10/522
摘要： 本发明涉及一种架空配电线路单相接地故障定位方法，属于电力系统故障技术领域。是一种基于空间磁场波形特性的架空配电线路单相接地故障定位方法。摆放故障指示器；当线路中发生大电流（≧7A）故障时，故障指示器动作，正确定位故障；当线路中发生小电流（﹤7A）故障时，故障指示器不动作，从分支点断开故障支路，在变电站注入单峰脉冲信号；携带移动测量装置使用到达时差法定位故障。本发明提供一种具有较高准确性，可用于指导解决架空配电线路单相接地故障定位问题的方法。在电力系统故障检测技术领域具有重要应用。
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公开(公告)号：CN103048637A
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201210554963.7
申请日：2012-12-19
申请人： 华北电力大学 , 云南电力试验研究院(集团)有限公司电力研究院
IPC分类号： G01R35/02
摘要： 本发明公开了电力技术领域中的一种CVT宽频特性的高压谐波测试方法。其技术方案是：在电容式电压互感器CVT高压端和地之间施加U1(jω)的高压谐波源，通过测试二次侧各频点的电压U2(jω)和一次侧输入电压U1(jω)计算得到电容式电压互感器CVT的宽频传输特性。本发明的有益效果是，可以准确获得高次谐波的成分，可通过指导谐波治理措施，有效的抑制谐波干扰，提高电能质量。
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公开(公告)号：CN118465481A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410449336.X
申请日：2024-04-15
申请人： 华北电力大学 , 国网江苏省电力有限公司电力科学研究院 , 国网江苏省电力有限公司
摘要： 本发明公开一种MMC子模块直通短路测试装置及测试方法，涉及电力电子技术领域。本发明通过设置短路保护开关、上电感续流开关、下电感续流开关、负载保护开关等，便于设置待测IGBT器件的控制时序，能够实现对MMC子模块正常运行方式及与之相对应的直通短路工况的模拟，进而能够实现短路时间的精准控制，以便对MMC子模块的直通短路工况开展研究，探究IGBT器件的失效特征。
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公开(公告)号：CN118112387A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202410363304.8
申请日：2024-03-28
申请人： 华北电力大学
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明涉及一种解耦碳化硅MOSFET退化状态的监测方法、存储介质及电子设备，其包括对碳化硅MOSFET构建双脉冲测试电路；利用双脉冲测试电路进行碳化硅MOSFET的导通暂态过程测试；根据碳化硅MOSFET的导通暂态过程测试获得监测碳化硅MOSFET退化的前兆参数；利用数值分析法分析获得影响前兆参数灵敏度的关键驱动配置参数；结合前兆参数和关键驱动配置参数判断分析碳化硅MOSFET的退化类型；该方法通过设定前兆参数来实现栅氧退化与封装退化的解耦，可以大大降低监测系统的复杂性，提高监测系统的可靠性，提高解耦的准确性；进而在完成退化类型的解耦后，可根据退化类型对系统实现有针对性的调控，可以大大提高装备的可靠性和运行效率。
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公开(公告)号：CN118112386A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202410363283.X
申请日：2024-03-28
申请人： 华北电力大学
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明公开了一种用于碳化硅MOSFET的在线老化状态监测方法，属于碳化硅半导体器件状态监测领域。其技术方案为：一种用于碳化硅MOSFET的在线老化状态监测方法，包括以下步骤：构建综合考虑封装寄生参数的碳化硅MOSFET开关特性分析模型；根据分析模型推导漏极电流增加速率；根据漏极电流增加速率定义退化前兆参数，监测退化前兆参数是否大于零：是则判定碳化硅MOSFET发生退化，否则判定碳化硅MOSFET健康。本发明的有益效果是：本发明提供的一种用于碳化硅MOSFET的在线老化状态监测方法仅用单个监测量便可综合表征栅氧退化和键合线疲劳两种不同的退化类型、降低监测系统复杂性、提高状态监测系统可靠性。
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公开(公告)号：CN117766470B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410190217.7
申请日：2024-02-20
IPC分类号： H01L23/053 , H01L23/31 , H01L21/50 , H01L21/52 , H01L21/56
摘要： 本申请公开了一种半导体器件的封装结构和封装方法，该半导体器件的封装结构包括：绝缘基板，绝缘壳体，多个绝缘肋条和半导体器件，其中绝缘壳体位于绝缘基板的一侧以围成容纳空间，绝缘壳体具有顶面和侧壁，至少一个侧壁具有多个间隔设置的条状结构；多个绝缘肋条位于相邻的多个条状结构之间，绝缘肋条分别与顶面和条状结构所在的侧壁连接，相邻条状结构之间具有间隔区域，绝缘肋条在第一方向上具有相对的两端，绝缘肋条的两端突出于间隔区域，第一方向为绝缘基板指向绝缘壳体的方向；半导体器件设置于容纳空间中；该半导体的封装结构实现了在高电压、小电流的应用场景下满足了器件的高绝缘强度需求。
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