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公开(公告)号：CN112542449B
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202010996775.4
申请日：2020-09-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H10B80/00 , H01L23/528 , H01L23/31
Abstract: 本发明的实施例提供了一种半导体器件及其制造方法，其中半导体器件包括接合到第一存储器器件的第一芯片上系统器件、接合到第一存储器器件的第二芯片上系统器件、围绕第一芯片上系统器件和第二芯片上系统器件的第一密封剂、围绕第一芯片上系统器件、第二芯片上系统器件和第一存储器器件的第二密封剂、以及从第二密封剂的第一侧延伸到第一密封剂的第二侧的贯通孔，贯通孔位于第一密封剂的外部。
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公开(公告)号：CN113471141B
公开(公告)日：2025-01-17
申请号：CN202110197941.9
申请日：2021-02-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/538 , H10D84/00 , H01L23/64
Abstract: 本文公开了形成超高密度金属‑绝缘体‑金属(SHDMIM)电容器和半导体器件的方法。该方法包括：在半导体衬底上方沉积第一绝缘层，并在第一绝缘层上方沉积被一系列介电层隔开的一系列导电层，一系列导电层包括器件电极和伪金属板。穿过一系列导电层的第一组接触塞接触一系列导电层的第一部分中的一个或多个导电层。穿过一系列介电层的第二组接触塞避免接触一系列导电层的第二部分，一系列导电层的第二部分电浮置。本申请的实施例提供了封装件、半导体器件及其形成方法。
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公开(公告)号：CN112582389B
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202011025030.X
申请日：2020-09-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 封装件包括再分布结构；位于再分布结构的第一侧上的管芯封装件，该管芯封装件包括通过金属至金属接合和电介质至电介质接合而连接至第二管芯的第一管芯、位于第一管芯和第二管芯上方并且围绕第一管芯的介电材料以及延伸穿过介电材料并且连接至第一管芯和再分布结构的第一孔的第一通孔；位于再分布结构的第一侧上的半导体器件包括导电连接件，其中再分布结构的第二孔接触半导体器件的导电连接件；位于再分布结构上并且围绕管芯封装件和半导体器件的第一模制材料，并且延伸穿过第一模制材料以接触再分布结构的第三通孔的封装通孔。本发明的实施例还涉及半导体封装件和形成封装件的方法。
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公开(公告)号：CN117038641A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202310498878.1
申请日：2023-05-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/544 , H01L27/01 , H01L21/78
Abstract: 本申请的实施例涉及半导体器件、包括集成无源器件的系统及制造方法。实施例半导体器件包括中介层，电连接到中介层的半导体管芯，电连接到中介层的集成无源器件管芯，包括两个或更多个密封环的集成无源器件器件管芯，以及第一对准标记，第一对准标记形成在由两个或更多个密封环中的第一密封环包围的第一区域内的集成无源器件管芯上。集成无源器件管芯还可以包括位于由两个或更多个密封环中的相应密封环包围的相应区域内的两个或更多个集成无源器件。两个或更多个集成无源器件中的每个可以包括形成为多个微凸块的电连接件，并且第一对准标记可以与电连接件电隔离，并且第一对准标记和电连接件可以共享共同材料。
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公开(公告)号：CN116631879A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310307699.5
申请日：2023-03-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 根据本申请的实施例，提供了一种形成封装件的方法包括形成第一封装组件，其包括中介层和接合到中介层的第一侧的第一管芯。第二管芯接合到中介层的第二侧。第二管芯包括衬底和贯穿衬底的贯通孔。该方法还包括通过多个第一焊料区域将第二封装组件接合到第一封装组件。第一封装组件还通过第二管芯中的贯通孔电连接到第二封装组件。第二管芯还通过多个第二焊料区域接合到第二封装组件。根据本申请的其他实施例，提供了封装件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107452693B
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN201611024524.X
申请日：2016-11-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/522
Abstract: 揭露封装结构、叠层封装器件及其形成方法。一种封装结构包括第一晶粒、重布线层结构、多个UBM接垫、多个接点以及分隔件。重布线层结构电性连接至第一晶粒。UBM接垫电性连接至重布线层结构。接点电性连接至UBM接垫。分隔件位于重布线层结构上方且环绕接点。
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公开(公告)号：CN114464577A
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202210032805.9
申请日：2022-01-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/498 , H01L23/538 , H01L25/065 , H01L21/56
Abstract: 一种半导体封装件，包括第一半导体管芯、第二半导体管芯、和多个凸块。第一半导体管芯具有彼此相对的正面和背面。第二半导体管芯设置在第一半导体管芯的背面，并且电连接至第一半导体管芯。多个凸块设置在第一半导体管芯的正面，并且物理接触第一半导体管芯的第一管芯焊盘。第一半导体管芯的总宽度小于第二半导体管芯的总宽度。本申请的实施例还提供了半导体封装件的形成方法。
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公开(公告)号：CN114464576A
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202210028052.4
申请日：2022-01-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/488 , H01L23/528 , H01L23/544 , H01L25/065
Abstract: 半导体封装件包括第一管芯、第二管芯、密封材料和再分布结构。第二管芯设置在第一管芯上方并且包括接合至第一管芯的多个接合焊盘、延伸穿过第二管芯的衬底的多个贯通孔以及多个对准标记，其中多个对准标记中的相邻两个对准标记之间的节距不同于多个贯通孔中的相邻两个贯通孔之间的节距。密封材料设置在第一管芯上方并且至少横向密封第二管芯。再分布结构设置在第二管芯和密封材料上方并且电连接至多个贯通孔。本发明的实施例还涉及形成半导体封装件的方法。
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公开(公告)号：CN114446901A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202210032562.9
申请日：2022-01-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/498 , H01L25/065
Abstract: 提供了封装结构，包括器件管芯、绝缘密封剂和第一再分布电路。器件管芯包括第一半导体管芯和第二半导体管芯。第一半导体管芯堆叠在第二半导体管芯上方并电连接至第二半导体管芯。绝缘密封剂横向密封器件管芯。绝缘密封剂包括第一密封部分和连接至第一密封部分的第二密封部分。第一密封部分设置在第二半导体管芯上并横向密封第一半导体管芯。第二密封部分横向密封第一绝缘密封和第二半导体管芯。第一再分布电路结构设置在器件管芯和绝缘密封剂的第一表面上，并且第一再分布电路结构电连接至器件管芯。
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公开(公告)号：CN113782520A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202111077314.8
申请日：2021-09-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L25/065 , H01L23/31 , H01L21/56
Abstract: 一种管芯堆叠结构包括内连结构、逻辑管芯、控制管芯、第一绝缘包封体、虚设管芯、存储器立方体及第二绝缘包封体。逻辑管芯电连接到内连结构。逻辑管芯包括第一介电接合结构。控制管芯在侧向上与逻辑管芯隔开且电连接到内连结构。第一绝缘包封体在侧向上包封逻辑管芯及控制管芯。虚设管芯堆叠在逻辑管芯上，逻辑管芯位于内连结构与虚设管芯之间，虚设管芯包括第二介电接合结构，且接合界面位于第一介电接合结构与第二介电接合结构之间。存储器立方体堆叠在控制管芯上且电连接到控制管芯，其中控制管芯位于内连结构与存储器立方体之间。第二绝缘包封体在侧向上包封虚设管芯及存储器立方体。
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