公开(公告)号：CN112447642A

公开(公告)日：2021-03-05

申请号：CN202010572452.2

申请日：2020-06-22

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 陈威宇 ,  苏安治 ,  黄立贤 ,  杨天中 ,  叶名世

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/485 ,  H01L23/50 ,  H01L23/31 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56

摘要： 提供一种半导体封装及其制造方法。半导体封装包含半导体管芯及横向地覆盖半导体管芯的绝缘密封体。半导体管芯包含半导体衬底、分布在半导体衬底上方的多个导电衬垫、设置于导电衬垫上且电连接到导电衬垫的多个导通孔，以及设置于半导体衬底上方且使导通孔彼此间隔开的介电层。介电层的侧壁沿着导通孔的侧壁延伸，导通孔从介电层的顶表面凹陷且介电层的倾斜表面连接到介电层的顶表面及介电层的侧壁。

公开(公告)号：CN107369679A

公开(公告)日：2017-11-21

申请号：CN201610621524.1

申请日：2016-08-01

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 李其融 ,  苏安治 ,  陈宪伟 ,  黄立贤 ,  陈威宇 ,  杨天中

IPC分类号： H01L25/18 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L21/76885 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73217 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/143 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/1436 ,  H01L2924/1438 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/37001 ,  H01L2224/83 ,  H01L24/83 ,  H01L24/97 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/8385

摘要： 本发明提供一种多重堆叠层叠式封装结构的形成方法。在方法中，形成第一堆叠半导体组件于第一承载晶片上。单体化第一堆叠半导体组件。胶合第一堆叠半导体组件于第二承载晶片。贴合第二半导体组件于第一堆叠半导体组件上。密封第一堆叠半导体组件及第二半导体组件。将电性连接形成于并电性耦接于第一堆叠半导体组件及第二半导体组件。本发明提供的方法，在中间工艺步骤单体化多重堆叠封装并接着再次将其贴合于载板以进一步进行工艺，可减缓最终多重堆叠封装内的翘曲应力。

公开(公告)号：CN106469697A

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201610090319.7

申请日：2016-02-18

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 杨天中 ,  黄麟智 ,  陈宪伟 ,  苏安治 ,  黄立贤

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L23/3114 ,  H01L21/486 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L21/78 ,  H01L23/4824 ,  H01L23/485 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49866 ,  H01L23/49894 ,  H01L24/03 ,  H01L24/10 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/20 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L2021/60022 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/10126 ,  H01L2224/11013 ,  H01L2224/11466 ,  H01L2224/11602 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13026 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2224/03 ,  H01L23/48 ,  H01L23/488 ,  H01L24/02 ,  H01L24/07 ,  H01L24/15 ,  H01L24/26 ,  H01L24/27 ,  H01L24/31

摘要： 一种半导体器件包括半导体衬底、位于半导体衬底上的导电焊盘以及位于导电焊盘上方的导体。半导体器件还具有设置在半导体衬底上方并环绕导体的聚合材料。半导体器件还包括位于导体和聚合材料之间的导电层。在半导体器件中，导电层和聚合材料之间的粘合强度大于聚合材料和导体之间的粘合强度。本发明还提供了半导体器件的制造方法。

公开(公告)号：CN107452693B

公开(公告)日：2022-11-29

申请号：CN201611024524.X

申请日：2016-11-17

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 杨天中 ,  苏安治 ,  陈宪伟 ,  王若梅 ,  陈威宇

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L23/522

摘要： 揭露封装结构、叠层封装器件及其形成方法。一种封装结构包括第一晶粒、重布线层结构、多个UBM接垫、多个接点以及分隔件。重布线层结构电性连接至第一晶粒。UBM接垫电性连接至重布线层结构。接点电性连接至UBM接垫。分隔件位于重布线层结构上方且环绕接点。

公开(公告)号：CN108122788A

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201710140203.4

申请日：2017-03-10

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 吴集锡 ,  陈宪伟 ,  黄立贤 ,  杨天中

IPC分类号： H01L21/56 ,  H01L23/60

摘要： 一种半导体封装结构的制造方法至少包括以下步骤。形成第一半导体装置。第一半导体装置包括顶表面及底表面。第一半导体装置包括金属层，且金属层具有暴露出的第一表面。在第一半导体装置的顶表面及侧壁上形成电磁干扰(Electromagnetic Interference，EMI)膜，且电磁干扰膜与金属层的暴露出的第一表面电接触。在电磁干扰膜上形成模制化合物。

公开(公告)号：CN107644848A

公开(公告)日：2018-01-30

申请号：CN201610894159.1

申请日：2016-10-14

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 黄立贤 ,  苏安治 ,  陈宪伟 ,  曾华伟 ,  王若梅 ,  杨天中 ,  卢贯中

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L23/498 ,  H01L21/56

摘要： 本发明实施例提供一种封装结构及其制造方法。封装结构包括第一芯片、第二芯片、封装模塑体、第一布线层、第一贯穿介层孔、第二贯穿介层孔、电磁干扰屏蔽层及导电部件。第一芯片包覆在封装模塑体内。第二芯片设置在封装模塑体上。第一布线层位在封装模塑体和导电部件之间并电性连接第一芯片及第二芯片。封装模塑体位于第二芯片和第一布线层之间。第一贯穿介层孔及第二贯穿介层孔包覆在封装模塑体内并电性连接第一布线层。第二贯穿介层孔位于第一芯片和第一贯穿介层孔之间。电磁干扰屏蔽层设置在第二芯片上并与第一贯穿介层孔接触。导电部件连接第一布线层。

公开(公告)号：CN107452693A

公开(公告)日：2017-12-08

申请号：CN201611024524.X

申请日：2016-11-17

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 杨天中 ,  苏安治 ,  陈宪伟 ,  王若梅 ,  陈威宇

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L23/522

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/552 ,  H01L24/03 ,  H01L24/09 ,  H01L24/17 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/0652 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/522

摘要： 揭露封装结构、叠层封装器件及其形成方法。一种封装结构包括第一晶粒、重布线层结构、多个UBM接垫、多个接点以及分隔件。重布线层结构电性连接至第一晶粒。UBM接垫电性连接至重布线层结构。接点电性连接至UBM接垫。分隔件位于重布线层结构上方且环绕接点。

公开(公告)号：CN107301980A

公开(公告)日：2017-10-27

申请号：CN201710057331.2

申请日：2017-01-26

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 陈威宇 ,  杨天中 ,  苏安治 ,  陈宪伟

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L23/498 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528

摘要： 提供了一种半导体结构及其形成方法。该结构包括设置在衬底上的介电层。该结构包括在介电层中的空腔，以及定位在空腔中并且接合至衬底的多个接触件。部件接合至多个接触件。底部填充物设置在位于介电层和部件之间的空腔中。多个连接件位于介电层上，连接件穿过介电层连接至导体，导体处于与多个接触件相同的金属化水平。

公开(公告)号：CN107452692B

公开(公告)日：2021-11-09

申请号：CN201610999256.7

申请日：2016-11-14

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 曾华伟 ,  苏安治 ,  陈宪伟 ,  黄立贤 ,  杨天中

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L23/498 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L25/07

摘要： 本发明涉及一种提供多种层叠封装器件，有利于改良层叠封装的接合效能。一种层叠封装器件包括第一封装结构及第二封装结构。第一封装结构包括：第一晶粒；以及位于第一晶粒侧边的多个有源集成扇出型通孔以及多个虚设集成扇出型通孔。第二封装结构包括：接合至有源集成扇出型通孔的多个有源凸块；以及接合至虚设集成扇出型通孔的多个虚设凸块。位于第一晶粒的第一侧的有源集成扇出型通孔及虚设集成扇出型通孔的总数目实质上相同于位于第一晶粒的第二侧的有源集成扇出型通孔及虚设集成扇出型通孔的总数目。

公开(公告)号：CN107452692A

公开(公告)日：2017-12-08

申请号：CN201610999256.7

申请日：2016-11-14

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 曾华伟 ,  苏安治 ,  陈宪伟 ,  黄立贤 ,  杨天中

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L23/498 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L25/07

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/481 ,  H01L24/17 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/48 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/02311 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48106 ,  H01L2224/48228 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/06 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2924/15172 ,  H01L2924/15311 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/5221 ,  H01L23/528 ,  H01L25/071

摘要： 本发明涉及一种提供多种层叠封装器件，有利于改良层叠封装的接合效能。一种层叠封装器件包括第一封装结构及第二封装结构。第一封装结构包括：第一晶粒；以及位于第一晶粒侧边的多个有源集成扇出型通孔以及多个虚设集成扇出型通孔。第二封装结构包括：接合至有源集成扇出型通孔的多个有源凸块；以及接合至虚设集成扇出型通孔的多个虚设凸块。位于第一晶粒的第一侧的有源集成扇出型通孔及虚设集成扇出型通孔的总数目实质上相同于位于第一晶粒的第二侧的有源集成扇出型通孔及虚设集成扇出型通孔的总数目。