公开(公告)号：CN107452693B

公开(公告)日：2022-11-29

申请号：CN201611024524.X

申请日：2016-11-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杨天中 ,  苏安治 ,  陈宪伟 ,  王若梅 ,  陈威宇

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/522

Abstract: 揭露封装结构、叠层封装器件及其形成方法。一种封装结构包括第一晶粒、重布线层结构、多个UBM接垫、多个接点以及分隔件。重布线层结构电性连接至第一晶粒。UBM接垫电性连接至重布线层结构。接点电性连接至UBM接垫。分隔件位于重布线层结构上方且环绕接点。

公开(公告)号：CN108122788A

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201710140203.4

申请日：2017-03-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴集锡 ,  陈宪伟 ,  黄立贤 ,  杨天中

IPC: H01L21/56 ,  H01L23/60

Abstract: 一种半导体封装结构的制造方法至少包括以下步骤。形成第一半导体装置。第一半导体装置包括顶表面及底表面。第一半导体装置包括金属层，且金属层具有暴露出的第一表面。在第一半导体装置的顶表面及侧壁上形成电磁干扰(Electromagnetic Interference，EMI)膜，且电磁干扰膜与金属层的暴露出的第一表面电接触。在电磁干扰膜上形成模制化合物。

公开(公告)号：CN107644848A

公开(公告)日：2018-01-30

申请号：CN201610894159.1

申请日：2016-10-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄立贤 ,  苏安治 ,  陈宪伟 ,  曾华伟 ,  王若梅 ,  杨天中 ,  卢贯中

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/498 ,  H01L21/56

Abstract: 本发明实施例提供一种封装结构及其制造方法。封装结构包括第一芯片、第二芯片、封装模塑体、第一布线层、第一贯穿介层孔、第二贯穿介层孔、电磁干扰屏蔽层及导电部件。第一芯片包覆在封装模塑体内。第二芯片设置在封装模塑体上。第一布线层位在封装模塑体和导电部件之间并电性连接第一芯片及第二芯片。封装模塑体位于第二芯片和第一布线层之间。第一贯穿介层孔及第二贯穿介层孔包覆在封装模塑体内并电性连接第一布线层。第二贯穿介层孔位于第一芯片和第一贯穿介层孔之间。电磁干扰屏蔽层设置在第二芯片上并与第一贯穿介层孔接触。导电部件连接第一布线层。

公开(公告)号：CN107452693A

公开(公告)日：2017-12-08

申请号：CN201611024524.X

申请日：2016-11-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杨天中 ,  苏安治 ,  陈宪伟 ,  王若梅 ,  陈威宇

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/552 ,  H01L24/03 ,  H01L24/09 ,  H01L24/17 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/0652 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/522

Abstract: 揭露封装结构、叠层封装器件及其形成方法。一种封装结构包括第一晶粒、重布线层结构、多个UBM接垫、多个接点以及分隔件。重布线层结构电性连接至第一晶粒。UBM接垫电性连接至重布线层结构。接点电性连接至UBM接垫。分隔件位于重布线层结构上方且环绕接点。

公开(公告)号：CN107301980A

公开(公告)日：2017-10-27

申请号：CN201710057331.2

申请日：2017-01-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈威宇 ,  杨天中 ,  苏安治 ,  陈宪伟

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/498 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528

Abstract: 提供了一种半导体结构及其形成方法。该结构包括设置在衬底上的介电层。该结构包括在介电层中的空腔，以及定位在空腔中并且接合至衬底的多个接触件。部件接合至多个接触件。底部填充物设置在位于介电层和部件之间的空腔中。多个连接件位于介电层上，连接件穿过介电层连接至导体，导体处于与多个接触件相同的金属化水平。

公开(公告)号：CN107452692B

公开(公告)日：2021-11-09

申请号：CN201610999256.7

申请日：2016-11-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 曾华伟 ,  苏安治 ,  陈宪伟 ,  黄立贤 ,  杨天中

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/498 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L25/07

Abstract: 本发明涉及一种提供多种层叠封装器件，有利于改良层叠封装的接合效能。一种层叠封装器件包括第一封装结构及第二封装结构。第一封装结构包括：第一晶粒；以及位于第一晶粒侧边的多个有源集成扇出型通孔以及多个虚设集成扇出型通孔。第二封装结构包括：接合至有源集成扇出型通孔的多个有源凸块；以及接合至虚设集成扇出型通孔的多个虚设凸块。位于第一晶粒的第一侧的有源集成扇出型通孔及虚设集成扇出型通孔的总数目实质上相同于位于第一晶粒的第二侧的有源集成扇出型通孔及虚设集成扇出型通孔的总数目。

公开(公告)号：CN107452692A

公开(公告)日：2017-12-08

申请号：CN201610999256.7

申请日：2016-11-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 曾华伟 ,  苏安治 ,  陈宪伟 ,  黄立贤 ,  杨天中

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/498 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L25/07

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/481 ,  H01L24/17 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/48 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/02311 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48106 ,  H01L2224/48228 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/06 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2924/15172 ,  H01L2924/15311 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/5221 ,  H01L23/528 ,  H01L25/071

Abstract: 本发明涉及一种提供多种层叠封装器件，有利于改良层叠封装的接合效能。一种层叠封装器件包括第一封装结构及第二封装结构。第一封装结构包括：第一晶粒；以及位于第一晶粒侧边的多个有源集成扇出型通孔以及多个虚设集成扇出型通孔。第二封装结构包括：接合至有源集成扇出型通孔的多个有源凸块；以及接合至虚设集成扇出型通孔的多个虚设凸块。位于第一晶粒的第一侧的有源集成扇出型通孔及虚设集成扇出型通孔的总数目实质上相同于位于第一晶粒的第二侧的有源集成扇出型通孔及虚设集成扇出型通孔的总数目。

公开(公告)号：CN107393865A

公开(公告)日：2017-11-24

申请号：CN201611119841.X

申请日：2016-12-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈威宇 ,  杨天中 ,  苏安治 ,  陈宪伟

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法。特别地，半导体器件包括位于顶封装件和再分布层(RDL)之间并且连接顶封装件和再分布层(RDL)的第一组贯通孔、第一组贯通孔与模塑料物理接触并且与管芯分离。半导体器件还包括位于顶封装件和RDL之间并且连接顶封装件和RDL的第一互连结构，第一互连结构通过模塑料与管芯和第一组贯通孔分离。第一互连结构包括第二组贯通孔和至少一个集成无源器件。

公开(公告)号：CN107039413A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201611071009.7

申请日：2016-11-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  吴集锡 ,  叶德强 ,  陈宪伟 ,  苏安治 ,  杨天中

IPC: H01L25/16 ,  H01L23/31 ,  H01L21/98

CPC classification number: H01L25/0652 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2225/06582 ,  H01L2225/06593 ,  H01L25/16 ,  H01L23/3107

Abstract: 半导体结构包括第一管芯、设置为水平地邻近第一管芯的第二管芯、设置在第一管芯和第二管芯上方的第三管芯、以及围绕第一管芯和第二管芯的第一介电材料，其中，第一介电材料的一部分设置在第一管芯与第二管芯之间，并且第三管芯设置在第一介电材料的一部分上方。本发明还提供了半导体结构的制造方法。

公开(公告)号：CN106601716A

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：CN201610715411.8

申请日：2016-08-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈威宇 ,  陈宪伟 ,  苏安治 ,  王若梅 ,  杨天中

IPC: H01L23/52 ,  H01L23/552 ,  H01L23/31 ,  H01L21/768 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/552 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/78 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/481 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/92 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68313 ,  H01L2221/68331 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2221/68372 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2224/83005 ,  H01L23/52 ,  H01L21/768 ,  H01L23/31 ,  H01L24/30 ,  H01L2224/301

Abstract: 本发明的实施例提供了一种器件封装件，包括器件管芯、围绕器件管芯的模塑料、延伸穿过模塑料的导电贯通孔(TIV)、和设置在模塑料上方并且沿着模塑料的侧壁延伸的电磁干扰(EMI)屏蔽罩。EMI屏蔽罩接触导电TIV，并且导电TIV将EMI屏蔽罩电连接至外部连接件。外部连接件和EMI屏蔽罩设置在器件管芯的相对侧上。本发明的实施例还提供了多堆叠的多输出封装件中的晶圆级屏蔽罩及其形成方法。