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公开(公告)号：CN102160284A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN200880131170.6
申请日：2008-11-28
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H03H9/173 , H03H3/04 , H03H9/564 , H03H9/568 , H03H2003/0414 , H03H2003/0428 , Y10T29/42 , Y10T29/49005
Abstract: 弹性波器件的制造方法包括以下步骤：层叠步骤，在基板(1)上形成包含下部电极(2)、压电膜(3)和上部电极(4)的多个弹性波器件；测定步骤，测定基板(1)上的多个弹性波器件中的动作频率的分布；以及调整步骤，根据动作频率的分布，在各弹性波器件的所述谐振部中，形成所述弹性波器件的厚度与其他部分不同的调整区域，在所述调整步骤中，以使各弹性波器件的所述谐振部中的所述调整区域的面积根据所述测定出的所述动作频率的分布而不同的方式，形成所述调整区域。由此，能够利用较少步骤简单地调整弹性波器件的频率特性。
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公开(公告)号：CN101785184A
公开(公告)日：2010-07-21
申请号：CN200780100318.5
申请日：2007-08-23
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H03H9/725 , H03H9/0571 , H03H9/706
Abstract: 本发明提供陡峭性优异而无须增加外接部件或新的制作工序的弹性波滤波器。在同一基板上具有多个滤波器(10-1)，该滤波器(10-1)具有第1谐振器(2a-1)和第2谐振器(4a-1)，该第1谐振器(2a-1)配置在串联臂上，谐振频率为frs且反谐振频率为fas，该第2谐振器(4a-1)配置在并联臂上，谐振频率为frp且反谐振频率为fap，第1谐振器的谐振频率frs比第2谐振器的谐振频率frp高，第1谐振器的反谐振频率fas比第2谐振器的反谐振频率fap高，滤波器(10-1)多级连接。多级连接的滤波器中的至少一个滤波器(10-1)具有谐振频率为frp且反谐振频率为fap的第3谐振器(6-1)，第3谐振器(6-1)形成在基板上，在串联臂上相对于第1谐振器(2a-1)并联连接。
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公开(公告)号：CN101635562A
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200910151476.4
申请日：2009-07-23
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H03H9/205 , H03H3/02 , H03H9/173 , H03H9/568 , H03H9/587 , H03H9/605 , H03H2003/021 , Y10T29/42 , Y10T29/49005
Abstract: 本发明提供了一种声波装置，制作声波装置和传输设备的方法。一种声波装置包括衬底和形成在衬底上的多个压电薄膜谐振器。多个压电薄膜谐振器中的每个包括设置在衬底上的下电极，设置在下电极上的压电薄膜，设置在压电薄膜上并且经过压电薄膜与下电极相对的上电极。每个压电薄膜谐振器由衬底部分地支持并且在衬底上延伸以在衬底与每个下电极之间形成空腔。空腔在多个压电薄膜谐振器下方连续地延伸。
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公开(公告)号：CN1185790C
公开(公告)日：2005-01-19
申请号：CN99106908.0
申请日：1999-05-28
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H03H9/46
CPC classification number: H03H9/6436 , H01L2224/16225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2924/16195 , H03H9/059 , H03H9/1071 , H03H9/25 , H03H9/6469 , H03H9/6483 , H03H9/6489 , H01L2924/00014
Abstract: 一种SAW滤波装置包括一个压电基片(130)，该压电基片在其上带有一个连接到一个输入端子上的第一指状电极对(11)、和一个连接到一个输出端子上的第二指状电极对(12、13)。第一指状电极对接地到一个第一接地垫上，而第二指状电极对接地到一个与第一接地垫不同的第二接地垫上。压电基片装在形成在壳体内的空隙中，其中空隙由一个连接到第一和第二接地垫之一上的金属顶盖件(103)覆盖着。
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公开(公告)号：CN1140964C
公开(公告)日：2004-03-03
申请号：CN96116720.3
申请日：1996-12-27
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H03H9/6469 , H03H9/0038 , H03H9/0042 , H03H9/0061 , H03H9/1071 , H03H9/25 , H03H9/6436 , H03H9/6459 , H03H9/6466 , H03H9/6489
Abstract: 声表面波(SAW)装置，它包括形成在共同的压电基片(1)上且相互级联的至少第一与第二SAW元件(11，21)，此第一与第二SAW元件中的每一个包括多个叉指式电极(11A-11C；21A-21C)，它们各有多个电极指在此压电基片上对应于SAW的路径相互重叠，其中这些电极指的重叠宽度(W1，W2)在第一与第二SAW元件之间改变。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101540590A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200910008544.1
申请日：2009-01-23
Applicant: 富士通株式会社 , 国立大学法人千叶大学
CPC classification number: H03H9/6483
Abstract: 本发明提供了声波器件、双工器、通信模块和通信装置。本发明的声波器件包括其中以阶梯配置连接有多个谐振器的阶梯型滤波器。在该声波器件中，串行连接的谐振器P2和P4被连接在阶梯型滤波器的并行臂中，连接在并行臂中的谐振器P2和P4具有相互不同的谐振频率。可以改善阶梯型滤波器的边缘特性，并且可以减小滤波器元件尺寸。
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公开(公告)号：CN101510768A
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200910003011.4
申请日：2009-01-08
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H03H9/02118 , H03H3/04 , H03H9/0571 , H03H9/13 , H03H9/132 , H03H9/174 , H03H9/706 , H03H2003/023
Abstract: 本发明提供了一种膜体声波谐振器、滤波器、通信模块和通信设备。该膜体声波谐振器具有衬底、形成在衬底上的下电极、形成在下电极上的压电薄膜、形成在压电薄膜上的上电极、以及邻近于上电极和衬底之间的压电薄膜而部署的绝缘膜，该绝缘膜位于上电极和衬底彼此相对的位置处。衬底优选地被形成为在面对下电极的部分形成有空隙。下电极优选地具有锥形末端，并且压电薄膜和绝缘膜之间的边界的一部分被部署在从锥形末端的上端看的内部。
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公开(公告)号：CN1103511C
公开(公告)日：2003-03-19
申请号：CN97119677.X
申请日：1997-09-26
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H03H9/6483 , H03H9/0042 , H03H9/02559 , H03H9/6436 , H03H9/6469 , H03H2250/00
Abstract: 声表面波器件包括LiTaO3单晶的压电衬底，具有x、y和z轴及切面。x轴定在声表面波的传播方向上。使晶体切面绕x轴从y轴到z轴旋转一个在40°和42°之间的转角。在衬底的传播方向上形成一对反射栅，一排叉指式换能器介于反射栅之间，具有相对的主电极指和副电极指对，在传播方向上至少有成一排的前、中和后换能器。前和后换能器中的一个换能器内电极指对的数量与中间换能器内电极指对的数量之比是在55%和80%的范围内。
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公开(公告)号：CN1239354A
公开(公告)日：1999-12-22
申请号：CN99106908.0
申请日：1999-05-28
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H03H9/46
CPC classification number: H03H9/6436 , H01L2224/16225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2924/16195 , H03H9/059 , H03H9/1071 , H03H9/25 , H03H9/6469 , H03H9/6483 , H03H9/6489 , H01L2924/00014
Abstract: 一种SAW滤波装置包括一个压电基片(130)，该压电基片在其上带有一个连接到一个输入端子上的第一指状电极对(11)、和一个连接到一个输出端子上的第二指状电极对(12、13)。第一指状电极对接地到一个第一接地垫上，而第二指状电极对接地到一个与第一接地垫不同的第二接地垫上。压电基片装在形成在壳体内的空隙中，其中空隙由一个连接到第一和第二接地垫之一上的金属顶盖件(103)覆盖着。
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公开(公告)号：CN101795118A
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：CN200910174902.6
申请日：2009-10-29
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H03H7/075 , H03H7/42 , H03H7/01 , H03K19/0175
CPC classification number: H03H9/0028 , H03H7/42 , H03H9/725
Abstract: 本发明提供一种高频器件、滤波器、双工器、通信模块和通信设备。在高频器件中，起电容器作用的谐振器(IDT电容器)被包含在滤波器或双工器中包含的集总常数平衡-不平衡转换器中，并且，IDT电容器的谐振频率被设置成高于滤波器的通带频率。这改善了电容器Q值，从而能够实现低损耗的平衡滤波器。
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