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公开(公告)号：CN105324510B
公开(公告)日：2018-12-14
申请号：CN201480035394.2
申请日：2014-06-11
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: C23C14/14 , C22C5/06 , C23C14/34 , H01B1/02 , H01B5/14 , H01L21/28 , H01L21/285 , H01L51/50 , H05B33/26 , C22F1/00 , C22F1/14
Abstract: 一种显示出低电阻率和高反射率，并且对于UV照射、O2等离子体处理等的清洗处理的耐氧化性优异的反射电极或布线电极所用的Ag合金膜，其中，含有In高于2.0原子％且2.7原子％以下、Bi 0.01～1.0原子％。
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公开(公告)号：CN105324835B
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201480035855.6
申请日：2014-06-24
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: H01L21/336 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/78693 , H01L21/477 , H01L27/1214 , H01L27/1222 , H01L27/1225 , H01L29/247 , H01L29/66969 , H01L29/78606 , H01L29/7869 , H01L29/78696
Abstract: 本发明的薄膜晶体管在基板上至少具有栅电极、栅极绝缘膜、氧化物半导体层、源‑漏电极以及两层以上的保护膜。所述氧化物半导体层由Sn、从由In、Ga以及Zn构成的组中选择的一种以上的元素、以及O形成。另外，所述两层以上的保护膜至少由与所述氧化物半导体层相接的第一保护膜、以及所述第一保护膜以外的一层以上的第二保护膜构成，所述第一保护膜是SiOx膜且氢浓度为3.5原子％以下。
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公开(公告)号：CN107075614A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201680003374.6
申请日：2016-01-28
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: C22C9/06 , C22C9/00 , C22C9/01 , C22C9/02 , C22C9/04 , C22C9/05 , C23C14/14 , C23C14/34 , H01B1/02 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/532
Abstract: 提供一种电阻小、抗氧化性和湿法蚀刻加工性优异的Cu合金膜。上述Cu合金膜，含有Ni为3.0原子％以上且19.0原子％以下，并且含有从Al、Zn、Mn和Sn所构成的群中选择的一种X元素，余量由Cu和不可避免的杂质构成，且所述X元素的含量是由下式(1)求得的x原子％以上，并且，所述X元素为Zn或Mn时，Ni与X元素的合计量为20.0原子％以上，所述X元素为Al或Sn时，Ni与X元素的合计量为16.0原子％以上。x＝1.96×Ni+1.64…(1)其中，式(1)中，Ni表示Cu合金膜中的以原子％计的Ni含量。
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公开(公告)号：CN102822945B
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201180016158.2
申请日：2011-03-30
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: H01L21/28 , G09F9/30 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/52 , H01L23/522 , H01L29/417 , H01L29/78 , H01L29/786
CPC classification number: H01L23/53238 , H01L21/28518 , H01L21/28556 , H01L21/3211 , H01L21/76867 , H01L27/124 , H01L29/458 , H01L29/4958 , H01L29/6659 , H01L29/7833 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种配线构造，其即使省略通常设于Cu系合金配线膜和半导体层之间的阻挡金属层，也能够发挥出优异的低接触电阻，此外密接性也优异。本发明涉及基板之上，从基板侧按顺序具备半导体层和Cu合金层的配线构造，其中，在所述半导体层与所述Cu合金层之间，从基板侧按顺序含有如下的层叠结构：含有从氮、碳、氟和氧所构成的群中选择的至少一种元素的(N、C、F、O)层；含有Cu和Si的Cu-Si扩散层，构成所述(N、C、F、O)层的氮、碳、氟和氧任一种元素与所述半导体层的Si结合，所述Cu合金层是含有Cu-X合金层(第一层)和第二层的层叠结构。
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公开(公告)号：CN105324510A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201480035394.2
申请日：2014-06-11
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: C23C14/14 , C22C5/06 , C23C14/34 , H01B1/02 , H01B5/14 , H01L21/28 , H01L21/285 , H01L51/50 , H05B33/26 , C22F1/00 , C22F1/14
CPC classification number: H01B1/02 , C22C5/06 , C22F1/00 , C22F1/14 , C23C14/086 , C23C14/185 , C23C14/3414 , C23C14/5806 , H01J37/3429 , H01L23/53247 , H01L51/5218 , H01L2924/0002 , Y10T428/12896 , H01L2924/00
Abstract: 一种显示出低电阻率和高反射率，并且对于UV照射、O2等离子体处理等的清洗处理的耐氧化性优异的反射电极或布线电极所用的Ag合金膜，其中，含有In高于2.0原子％且2.7原子％以下、Zn高于2.0原子且3.5原子％以下中的至少一种。上述Ag合金膜，也可以还含有Bi 0.01～1.0原子％。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104681625A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201510088765.X
申请日：2013-06-06
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/78693 , C23C14/08 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L27/1225 , H01L29/24 , H01L29/78606 , H01L29/78696
Abstract: 本发明提供一种具有迁移率良好、应力耐受性也优异、并且湿蚀刻特性也良好的氧化物半导体层的薄膜晶体管。本发明的薄膜晶体管在基板上至少依次有栅电极、栅极绝缘膜、氧化物半导体层、源-漏电极及保护膜，其中，前述氧化物半导体层是具有第一氧化物半导体层(IGZTO)和第二氧化物半导体层(IZTO)的层叠体，前述第二氧化物半导体层形成于前述栅极绝缘膜之上，且前述第一氧化物半导体层形成于前述第二氧化物半导体层与前述保护膜之间，并且在前述第一氧化物半导体层中，各金属元素相对于除去氧的全部金属元素的含量为：Ga：5％以上、In：25％以下(不含0％)、Zn：35～65％及Sn：8～30％。
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公开(公告)号：CN104335355A
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201380029493.5
申请日：2013-06-06
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: H01L29/786 , C23C14/34 , H01L21/336 , H01L21/363
CPC classification number: H01L29/78693 , C23C14/08 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L27/1225 , H01L29/24 , H01L29/78606 , H01L29/78696
Abstract: 本发明提供一种具有迁移率良好、应力耐受性也优异、并且湿蚀刻特性也良好的氧化物半导体层的薄膜晶体管。本发明的薄膜晶体管在基板上至少依次有栅电极、栅极绝缘膜、氧化物半导体层、源-漏电极及保护膜，其中，前述氧化物半导体层是具有第一氧化物半导体层(IGZTO)和第二氧化物半导体层(IZTO)的层叠体，前述第二氧化物半导体层形成于前述栅极绝缘膜之上，且前述第一氧化物半导体层形成于前述第二氧化物半导体层与前述保护膜之间，并且在前述第一氧化物半导体层中，各金属元素相对于除去氧的全部金属元素的含量为:Ga:5％以上、In:25％以下(不含0％)、Zn:35～65％及Sn:8～30％。
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公开(公告)号：CN102265323B
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201080003695.9
申请日：2010-01-15
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: G09F9/30 , C22C9/00 , C22C9/04 , C22C9/05 , C22C9/06 , C23C14/14 , G02F1/1343 , H01L21/28 , H01L21/3205 , H01L23/52 , H01L29/786
CPC classification number: H01L23/53238 , B32B15/01 , C22C9/00 , C23C14/025 , C23C14/14 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , G02F2001/13629 , G02F2001/136295 , H01L23/53233 , H01L27/124 , H01L29/458 , H01L29/4908 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种具备Cu合金膜的显示装置，该Cu合金膜具有与透明基板的高密接性及低电阻率。本发明涉及一种显示装置，具有与透明基板直接接触的显示装置用Cu合金膜，其中，所述Cu合金膜具有层叠结构，该层叠结构包含：由Cu合金构成的第一层(Y)，该Cu合金包含总计为2～20原子％的从由Zn、Ni、Ti、Al、Mg、Ca、W、Nb及Mn构成的组中选择出的至少1种元素；由纯Cu构成的第二层(X)、或实质上由以Cu为主成分且电阻率比所述第一层(Y)低的Cu合金构成的第二层(X)，所述第一层(Y)与所述透明基板接触。
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公开(公告)号：CN101971294B
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN200980108416.2
申请日：2009-04-17
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: H01L21/28 , H01L21/336 , H01L21/768 , H01L29/417 , H01L29/78 , H01L29/786
CPC classification number: H01L21/26506 , H01L21/2236 , H01L21/76829 , H01L21/76838 , H01L27/124 , H01L29/458 , H01L29/66575 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种能够省略在纯Al或Al合金的Al系合金配线与半导体层之间的阻障金属层的直接接触技术，其是可以在宽的工艺余度的范围将Al系合金配线与半导体层直接且可靠地连接的技术。本发明涉及一种配线结构，其为在基板之上从基板侧开始依次具备半导体层、纯Al或Al合金的Al系合金膜的配线结构，在所述半导体层和所述Al系合金膜之间含有从基板侧开始依次为(N、C、F)层以及Al-Si扩散层的层叠结构，所述(N、C、F)层为含有选自氮、碳和氟中的至少一种元素的层，所述Al-Si扩散层含有Al和Si，且所述(N、C、F)层中所含的氮、碳和氟中的至少一种的元素与所述半导体层中所含的Si结合。
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公开(公告)号：CN102822945A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201180016158.2
申请日：2011-03-30
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: H01L21/28 , G09F9/30 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/52 , H01L23/522 , H01L29/417 , H01L29/78 , H01L29/786
CPC classification number: H01L23/53238 , H01L21/28518 , H01L21/28556 , H01L21/3211 , H01L21/76867 , H01L27/124 , H01L29/458 , H01L29/4958 , H01L29/6659 , H01L29/7833 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种配线构造，其即使省略通常设于Cu系合金配线膜和半导体层之间的阻挡金属层，也能够发挥出优异的低接触电阻，此外密接性也优异。本发明涉及基板之上，从基板侧按顺序具备半导体层和Cu合金层的配线构造，其中，在所述半导体层与所述Cu合金层之间，从基板侧按顺序含有如下的层叠结构：含有从氮、碳、氟和氧所构成的群中选择的至少一种元素的(N、C、F、O)层；含有Cu和Si的Cu-Si扩散层，构成所述(N、C、F、O)层的氮、碳、氟和氧任一种元素与所述半导体层的Si结合，所述Cu合金层是含有Cu-X合金层(第一层)和第二层的层叠结构。
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