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公开(公告)号：CN111239867A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN202010174870.6
申请日：2020-03-13
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G02B5/00
Abstract: 本发明公开了一种全向传输的人工磁局域表面等离激元角向旋转耦合结构，包括介质基板、第一开槽螺旋双臂结构和第二开槽螺旋双臂结构，第一开槽螺旋双臂结构和第二开槽螺旋双臂结构均包括两个螺旋臂，两个螺旋臂交错螺旋设置，第一开槽螺旋双臂结构和第二开槽螺旋双臂结构的中点连线与介质基板表面水平线具有第一旋转夹角，第二开槽螺旋双臂结构以中心连线方向为半径方向旋转第二旋转夹角。此结构支持人工局域表面等离激元的传输，而人工局域表面等离激元磁模式的角向均匀性使得其在深亚波长范围内能够实现全向耦合传输，从而实现在平面内大角度弯曲传输。由缩比定理等比例地改变结构参数的尺度能够实现耦合结构中谐振频率频段的变化。
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公开(公告)号：CN110596051A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201910820887.1
申请日：2019-09-01
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G01N21/552 , G01N21/41
Abstract: 本发明提供了一种石墨烯包覆的双芯D型光子晶体光纤SPR折射率传感器。所述光纤SPR传感器包括一具有平面壁和曲面侧壁的折射率引导型光子晶体光纤，所述折射率引导型光子晶体光纤留有左右相互对称的两个纤芯，横截面呈D形，在所述平面壁上具有传感层。本发明在D形光子晶体光纤表面，左右纤芯所对应的传感层分别为石墨烯包覆的金/银纳米柱。利用金/银纳米柱表面产生的等离子体共振对周围的介质环境十分敏感的特性，可以将金属表面临近物质的折射率的微小变化转换成可测量的吸收峰的位移，设计实现高灵敏度的光子晶体光纤SPR传感器。本发明的优点是：双芯结构的设计拓宽了该折射率传感器的检测范围。石墨烯包覆金/银纳米柱的设计既能明显提高传感器的灵敏度，又能有效防止银纳米柱的腐蚀及氧化。该传感器设计新颖，结构简单，体积小，检测范围宽，抗腐蚀能力强，灵敏度高，是一种实用的折射率传感器。
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公开(公告)号：CN110531463A
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201910838907.8
申请日：2019-09-05
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提供的是一种基于铝纳米盘阵列结构偏振相关的等离子体彩色滤波器，属于微纳光电子领域，滤波器包括波导层，缓冲层和金属纳米盘，在波导层1上覆盖有缓冲层2，在缓冲层2上刻蚀有纳米金属盘3，4阵列，金属盘3和4分别组成的行会进行交叉排布。通过改变滤波器周期P，可以达到对覆盖整个可见光谱的光的操纵。本发明可以实现对对覆盖整个可见光谱的光的操纵，且具有偏振相关特性，可以提高微纳集成光学器件在集成光电路中的集成密度，能应用在高分辨率彩色显示中。
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公开(公告)号：CN109100332A
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201810751945.5
申请日：2018-07-10
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G01N21/552
Abstract: 本发明公开了一种基于非对称开口圆环结构的双透射峰等离子光纤传感器，包括金属薄膜以及开设在金属薄膜上的周期开口圆环狭缝阵列结构。单个周期结构由左右两个开口圆环狭缝构成，内外半径相同但圆心角不同的两个开口圆环狭缝水平位于单元中心左右两侧。本发明的传感器结构在近红外频段内具有高品质因数高透射率的双透射峰特性，利用该特性可进一步提高传感器灵敏度，并且可使传感器工作在两个不同的频段。同时，通过修改相关结构参数可以达到调整双透射峰频谱位置的目的，从而可以实现工作频段宽、适用范围广、灵敏度高、易于加工的等离子光纤传感器。
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公开(公告)号：CN105738990B
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201610281035.6
申请日：2016-04-29
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种强透射特性的等离激元波导滤波器，属于微纳光电子领域，包括光纤衬底、金属膜和电介质层，光纤衬底设置在金属膜的正下方，电介质层铺设在金属膜的上表面，金属膜上均匀排列设置有N个单位孔阵列结构，其中，每个单位孔阵列结构的中心设置有一个纳米狭缝；纳米狭缝包括一个方形孔和四个圆形孔；方形孔和四个圆形孔形成花朵形；其中两个圆形孔与方形孔两边相连接，水平设置，两个圆形孔圆心与方形孔中心在一条直线上，关于方形孔对称；另外两个圆形孔与方形孔另外两边相连接，竖直设置，两个圆形孔圆心与方形孔中心在一条直线上；每个圆形孔均与其中两个圆形孔两两相连接；纳米狭缝贯通于金属膜和电介质层的上下表面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107478597A
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201710719825.2
申请日：2017-08-21
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G01N21/359
CPC classification number: G01N21/359
Abstract: 本发明公开了一种基于双透射峰的金属矩形狭缝阵列结构等离子光纤传感器，包括金属薄膜以及开设在金属薄膜上的周期矩形狭缝阵列结构，单个周期矩形狭缝阵列结构为在金属薄膜中心处开设一个纵向矩形狭缝，在矩形狭缝一侧的上下端面处分别开设一个横向矩形狭缝，横向与纵向矩形狭缝的上下界面相互平齐，矩形狭缝宽度相等相互连通并贯穿金属膜上下表面形成统一的整体狭缝结构。本发明的传感器结构在近红外频段内具有高品质因数高透射率的双透射峰特性，并且通过修改相关结构参数可以达到调整双透射峰频谱位置与双透射峰间频谱间距的目的，从而可以实现利用率高、适用范围广、检测精度高、易于加工的等离子光纤传感器。
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公开(公告)号：CN106876441A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201710087046.5
申请日：2017-02-17
IPC: H01L29/06
Abstract: 本发明公开一种具有固定界面电荷场限环的功率器件，包括场氧层和有源层，场氧层位于有源层之上。场氧层内设有至少1个固定界面电荷区，该固定界面电荷区位于场氧层的下部，并与场氧层的下表面即场氧层和有源层的交界面相接触。本发明能够克服现有功率器件的FLR区中的杂质扩散而导致的击穿电压下降和器件失效的问题，并有效提高了器件的击穿电压和改善了有源层表面的电场分布，使得电场分布更加均匀。
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公开(公告)号：CN106783613A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201710026316.1
申请日：2017-01-13
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L21/335 , H01L29/778 , H01L29/06 , H01L29/20
CPC classification number: H01L29/66431 , H01L29/0684 , H01L29/20 , H01L29/7786
Abstract: 本发明公开一种III‑V族半导体MOSHEMT器件及其制备方法，其组分渐变缓冲层降低III‑V半导体之间晶格失配，减少位错引进的缺陷。同时该器件结构不仅降低MOS界面态密度，并且通过对外延材料采用高In组分In0.7Ga0.3As/In0.6Ga0.4As/In0.5Ga0.5As复合沟道设计以及势垒层和缓冲层平面处的双掺杂设计充分的提高了2‑DEG的浓度与电子迁移率，降低了沟道的方块电阻。本发明具有二维电子气浓度高、沟道电子迁移率大、器件特征频率和振荡频率高和制造工艺简单易于实现等特点。
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公开(公告)号：CN105070681A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201510522304.9
申请日：2015-08-24
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L21/762 , H01L21/306 , H01L21/265 , H01L29/778
CPC classification number: H01L21/7605 , H01L21/2654 , H01L21/30612 , H01L21/762 , H01L29/778
Abstract: 本发明公开一种砷化镓衬底mHEMT有源区电学隔离方法，针对变组分高电子迁移率晶体管的有源区电学隔离，提出了湿法腐蚀和离子注入相结合的隔离方法，即首先去除表面高掺杂层，再进行离子注入隔离，有效提高了离子注入的注入效果，进而提高了有源区之间的隔离效果；在同等条件下，离子注入和台面腐蚀相结合的隔离方法，具有电学隔离效果好、工艺兼容性强、对后续工艺影响较小、具有良好的重复性和便于实现等特点，并有效地避免了单独采用台面腐蚀和离子注入的弊端，对半导体制造工艺有很好的使用价值。
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公开(公告)号：CN105070656A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201510414120.0
申请日：2015-07-15
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L21/3065 , H01J37/32
CPC classification number: H01L21/3065 , H01J37/32477
Abstract: 本发明公开了一种降低GaAs背孔工艺中等离子体刻蚀机腔体污染的方法，包括以下步骤：在衬底正面匀涂电子束光刻胶；用液态蜡将衬底正面粘贴在石英托上；将粘有衬底的石英托粘贴在减薄玻璃片上；进行减薄工艺；将石英托连同衬底从减薄玻璃片上取下；匀涂光刻胶并烘片；形成背孔图形；形成背孔；去光刻胶和液态蜡，使衬底片和石英托分离；其中，液态蜡是由一定量的Crystalbond 509强力粘合剂以及能够溶解所述Crystalbond 509强力粘合剂用量的丙酮组成。本发明采用液态蜡替代传统的高温蜡，既不会产生互溶问题，还具备优良的粘附性，并解决由于等离子体轰击而溅射的高温蜡和金属污染等离子体刻蚀机腔体内壁的问题。
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