利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

105 条记录 (耗时 0.02 秒)

    MEMS器件形成方法和具有MEMS结构的器件
    93.
    发明公开
    MEMS器件形成方法和具有MEMS结构的器件 有权

    公开(公告)号：CN102556946A

    公开(公告)日：2012-07-11

    申请号：CN201110415082.2

    申请日：2011-12-13

    申请人： NXP股份有限公司

    发明人： 迈克尔·因赞特 ,  威姆·范登艾登 ,  哈罗德·罗森

    IPC分类号： B81C1/00 ,  B81B7/00

    CPC分类号： B81C1/00333 ,  B81C2203/0136

    摘要： 一种形成MEMS器件的方法，包括：用在衬底结构(100)上沉积的牺牲层部分(130)来封闭MEMS元件(122)，所述牺牲层部分限定了用于MEMS器件的腔体(150)；形成从所述牺牲层部分向外延伸的另一牺牲材料的至少一个条带(132)；在牺牲层部分上形成覆盖层部分(140)，所述覆盖层部分终止于至少一个条带；去除牺牲层部分和至少一个条带，所述至少一个条带的去除限定了在覆盖层下面横向延伸的至少一个排放道(134)；以及密封所述至少一个排放道。还公开了一种包括这种已封装微机电结构(122)的器件。

    电子装置
    98.
    发明公开
    电子装置 失效

    公开(公告)号：CN102198924A

    公开(公告)日：2011-09-28

    申请号：CN201110090788.6

    申请日：2007-11-07

    申请人： 精工爱普生株式会社

    发明人： 佐藤彰 ,  渡边徹 ,  稻叶正吾 ,  森岳志

    IPC分类号： B81B7/00 ,  B81C1/00

    CPC分类号： B81C1/00246 ,  B81B2207/015 ,  B81B2207/07 ,  B81C2203/0136 ,  B81C2203/0714 ,  B81C2203/0735 ,  H01L21/7682 ,  H01L24/05 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00

    摘要： 本发明提供电子装置。通过使配置在基板上的空洞内的功能结构体与电子电路高度一体化，来实现小型化的电子装置，并且可以与电子电路并行地制造配置在基板上的空洞内的功能结构体，由此降低制造成本。本发明的电子装置具有：基板；形成于所述基板上的功能元件；保护环，其包围所述功能元件，且与所述功能元件相离；第1覆盖层，其形成于所述保护环和所述功能元件的上方，与所述功能元件相离，且包括多个孔；保护膜，其形成于所述第1覆盖层的上方，且具有位于所述多个孔的上方的第1开口部；以及第2覆盖层，其形成于所述保护膜的所述第1开口部中且所述保护膜的上方。

    装配和封装微型机电系统装置的方法
    99.
    发明公开
    装配和封装微型机电系统装置的方法 无效

    公开(公告)号：CN102001616A

    公开(公告)日：2011-04-06

    申请号：CN201010271089.7

    申请日：2010-08-31

    申请人： 上海丽恒光微电子科技有限公司

    发明人： 河·H·黄

    IPC分类号： B81C1/00

    CPC分类号： B81C1/00333 ,  B81C2203/0136 ,  B81C2203/0145

    摘要： 本发明公开一种装配和封装MEMS装置的方法，其使用至少两个碳膜作为双牺牲层夹持MEMS结构膜，该MEMS结构膜锚定于衬底并被含有多个透膜牺牲释放孔的封装膜覆盖。穿过透膜牺牲释放孔通过等离子体增强氧或氮灰化法选择地去除该双牺牲碳膜，用于释放位于在封装膜和衬底之间形成的腔部内的MEMS结构膜。然后，通过以物理蒸发淀积工艺或化学蒸发淀积工艺或其结合，密封优选有较大粗糙度系数的透膜牺牲释放孔。