无机质球状化粒子制造用燃烧器

    公开(公告)号:CN102112217A

    公开(公告)日:2011-06-29

    申请号:CN200980130260.8

    申请日:2009-08-03

    摘要: 本发明的无机质球状化粒子制造用燃烧器,具备:第一原料供给路(1A),用于供给伴随载气的原料粉末;燃料供给路(4A),设置在该第一原料供给路(1A)的外周,用于供给燃料气体;第一氧气供给路(5A),设置在该燃料供给路(4A)的外周,用于供给含氧气体;第二原料供给路(6A),设置在该第一氧气供给路(5A)的外周,用于供给伴随载气的原料粉末;第二氧气供给路(7A),设置在该第二原料供给路(6A)的外周,用于供给含氧气体;原料分散室(9),通过形成有许多个小孔的粉末分散板(2)与所述第一原料供给路(7A)的顶端连接;和燃烧室(8),与该原料分散室(9)连接,出口侧的直径增大。

    高性能抗辐射石英光纤及其组合法制作技术

    公开(公告)号:CN100383579C

    公开(公告)日:2008-04-23

    申请号:CN200610023283.7

    申请日:2006-01-12

    申请人: 上海大学

    发明人: 陈振宜 王廷云

    IPC分类号: G02B6/02 G02B1/00 C03B37/018

    摘要: 本发明涉及一种高性能抗辐射石英光纤及其组合法制作方法。本发明的高性能抗辐射石英光纤,它由纯石英纤芯、石英掺氟包层和石英掺铈制作外包层组成。本发明提供了采用组合法,即先制备具有内包层和芯的初预制棒,然后再在初棒外采用不同的技术制备掺铈外包层或采用插棒技术直接套掺铈的外层管,然后将其进行拉丝制作成光纤。本发明的高性能抗辐射石英光纤既可用于常规的光通信系统的信息传输,又可在辐射环境下,作为抗辐射光纤保持正常的信息通信。它具有抗辐射能力强、传输损耗低的特点,可广泛应用于航空航天、核工业、军事等辐射相关领域的光纤通信和光纤传感之用。

    半导体薄膜内包层放大光纤及其预制棒制造方法

    公开(公告)号:CN100357204C

    公开(公告)日:2007-12-26

    申请号:CN200510030734.5

    申请日:2005-10-27

    申请人: 上海大学

    IPC分类号: C03B37/01 C03B37/018

    摘要: 本发明涉及一种半导体薄膜内包层放大光纤及其预制棒制造方法。本半导体薄膜内包层放大光纤是由半导体薄膜内包层放大预制棒拉制而成的,预制棒由芯棒、内包层和外包层组成,内包层夹在芯棒和外包层之间,芯棒是由掺杂GeO2的石英材料构成,它的折射率要大于外包层的纯石英材料;内包层为薄膜包层,是由具有放大功能的活性半导体直接带隙材料构成;而外包层是由纯石英构成。其预制棒制造方法的工艺过程及步骤为:(a)采用改进化学气相沉积工艺制造芯棒;(b)制作外包层;(c)制作薄膜内包层;(d)采用插棒技术装配;(e)缩棒。本方法制造的预制棒具有半导体性能稳定、材料分解少等特点。本光纤适用于制备具有集成化、增益谱宽、高效泵浦、输出功率高、便于结构小型化,且使用方便,价格低廉的光纤放大器。

    纯化聚烷基硅氧烷的方法及所得产物

    公开(公告)号:CN1152079C

    公开(公告)日:2004-06-02

    申请号:CN96109608.X

    申请日:1996-08-30

    摘要: 本发明涉及一种纯化的聚烷基硅氧烷组合物,它在常压下的沸点低于250℃,其中所含常压下沸点高于250℃的高沸点杂质,包括硅氧烷和以硅烷醇为末端的硅氧烷,其总浓度低于14ppm。本发明还涉及一种制备纯化的聚烷基硅氧烷组合物的方法,制得的纯化的聚烷基硅氧烷组合物在常压下的沸点低于250℃,该方法包括蒸馏一种聚烷基硅氧烷起始材料,该起始材料所含常压下沸点高于250℃的高沸点杂质的总浓度至少为14ppm,蒸馏条件能有效地产生常压下沸点低于250℃的纯化的聚烷基硅氧烷组合物,使其中所含常压下沸点高于250℃的高沸点杂质的总浓度低于14ppm。在较佳实施例中,低沸点组分(包括硅烷醇以及较好也包括六甲基环丁硅氧烷)被减少至100ppm以下。本发明还涉及将所述纯化的聚烷基硅氧烷组合物转化为熔凝石英玻璃的生产方法。