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公开(公告)号：CN100376317C
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN03817165.1
申请日：2003-02-12
申请人： 通用电气公司
发明人： 马克·P·德弗林 , 克里斯蒂·J·纳兰 , 罗伯特·A·吉丁斯 , 史蒂文·A·泰索 , 约翰·W·卢西克 , 苏雷什·S·瓦加拉里 , 小罗伯特·V·莱昂内里 , 乔尔·R·戴萨特
CPC分类号： B01J3/008 , B01J3/062 , B01J19/02 , B01J2203/0665 , B01J2219/00777 , B01J2219/0236 , B01J2219/024 , C30B7/10 , C30B9/00 , C30B29/40 , C30B29/406 , Y02P20/544 , Y10T117/10 , Y10T117/1004 , Y10T117/1024 , Y10T117/108 , Y10T117/1092
摘要： 在高压高温处理条件下，在基本上无空气的环境中，容纳至少一种反应物和超临界流体的小盒。该小盒包括封闭端；与该封闭端相邻的并从该封闭端伸出的至少一个壁；和与该至少一个壁相邻并在该封闭端对面的密封端。该至少一个壁、封闭端和密封端形成容纳该反应物和在高温高压下变成超临界流体的溶剂的腔。该小盒由可变形材料制成，并在处理条件下对于该反应物和超临界流体为流体不可透过的和化学性质惰性的，该处理条件一般为在5kbar和550℃以上，优选压力为5kbar至80kbar，温度为550℃至约1500℃。本发明还包括用溶剂充满该小盒和密封该小盒的方法及密封该小盒的装置。
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公开(公告)号：CN101133191A
公开(公告)日：2008-02-27
申请号：CN200680003899.6
申请日：2006-02-03
申请人： REC斯坎沃佛股份有限公司
发明人： 弗朗茨·雨果
CPC分类号： C30B11/003 , C30B11/00 , C30B29/06 , Y10T117/10 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008 , Y10T117/1016 , Y10T117/1024 , Y10T117/1092
摘要： 本发明涉及一种用于由半导体材料制造定向凝固块的方法以及装置，其中，该装置具有一个里面盛放熔液的坩埚和一个至少从上面和侧面环绕坩埚的隔热体，该隔热体至少在坩埚的上面与其相距，还具有至少一个设置在坩埚上面的加热装置，其中，隔热体内部在坩埚上方的区域通过隔板被分成一个过程室和一个处于过程室上方的上部加热室，该加热室内设置至少一个加热件。
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公开(公告)号：CN1543518A
公开(公告)日：2004-11-03
申请号：CN02815865.2
申请日：2002-07-03
申请人： AXT公司
CPC分类号： C30B27/00 , C30B11/00 , C30B11/002 , C30B11/04 , C30B11/12 , C30B29/42 , C30B35/002 , Y10T117/1092
摘要： 在封闭安瓿的坚固支座、碳掺杂和电阻控制、及温度控制条件下，在晶体生长炉中生长III－V、II－VI族及其相关单晶化合物。支座圆筒对于组合的封闭的安瓿和坩埚组件提供了支撑，同时该支座圆筒内的低密度绝缘材料阻碍了传导和对流加热。穿透低密度材料的热辐射通道对于热辐射进出坩埚的籽井和过渡区提供了路径。在绝缘材料中的中空的芯直接位于籽井的下方，为生长中的晶体的中央提供了冷却，其确保了晶体结晶块均匀而平滑地生长，同时还保证了晶体和熔体分界面的平滑，进而产生具有均匀电特性的圆片。
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公开(公告)号：CN1122320C
公开(公告)日：2003-09-24
申请号：CN98800020.2
申请日：1998-01-08
CPC分类号： H01L35/34 , H01L35/16 , H01L35/18 , Y10S83/906 , Y10S164/06 , Y10T117/1092 , Y10T428/12639
摘要： 由可劈裂热电材料制成的铸板呈现一种具有劈裂面的层状结构，所有的劈裂面都被设置在相对于上、下表面呈一小劈裂角的方位上。该铸板能沿基本垂直于劈裂面的破裂面被成功地切割成板条而不会引起实质性内层破裂。电极在由破裂面构成的板条的相对侧上形成。板条的一个电极固定在一衬底上，并被切割成数个独立芯片。因为切割是沿也是基本垂直于板条的劈裂面的平面方向进行的，所以板条可被成功地切割成相应的芯片而不会引起任何实质性破裂。铸板由具有一模制空室和从空室延展至模内一远端的槽的造型模制成。在熔融的材料充满空室也充满槽内后，材料从槽的远端沿槽开始晶化并沿基本相同方向发展，从而使铸板形成层状结构。
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