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公开(公告)号：CN1937253A
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN200610142523.5
申请日：2003-08-27
申请人： 微米技术有限公司
发明人： B·A·瓦尔茨特拉
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/51 , H01L27/02 , H01L21/316 , H01L21/285 , C23C16/40
CPC分类号： H01L21/31645 , C23C16/401 , C23C16/45531 , C23C16/45553 , C23C16/56 , H01L21/02148 , H01L21/02159 , H01L21/02214 , H01L21/0228 , H01L21/02337 , H01L21/3142 , H01L21/31612 , H01L21/31641
摘要： 本发明涉及一种采用气相淀积工艺和一种或多种式Si(OR)4的硅前体化合物与一种或多种式M(NR’R”)4的锆和/或铪前体化合物(其中R、R’和R”各自独立为有机基团，M为锆或铪)在底材(特别是半导体底材或底材组件)上形成含锆和/或铪层的方法及装置。
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公开(公告)号：CN1890650A
公开(公告)日：2007-01-03
申请号：CN200480036927.5
申请日：2004-10-18
申请人： 微米技术有限公司
CPC分类号： G06F13/161 , G06F13/00 , G06F13/4013 , G06F13/4247 , G06F2213/16
摘要： 在存储器系统中，多个存储器模块(图2所示208－211)通过总线(220)进行通信。每个存储器模块包括一个集线器(图3所示302)和至少一个存储器存储部件(304)。集线器从存储器存储部件接收本地数据(图4所示410)，并从一个或多个其它存储器模块接收下游数据(420)。集线器将要通过总线发送的数据组合(图7所示718)在数据块结构(440)内，该结构分成多个通道(图5所示508－515)。系统会指示(图6所示612)在数据块结构内第一源在总线上放置的数据(例如，本地或下游数据)中断点将出现的位置。基于该指示，第二源的数据(例如，下游或本地数据)放置在数据块的剩余部分，从而减少了总线上的间隙。
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公开(公告)号：CN1871860A
公开(公告)日：2006-11-29
申请号：CN200480030886.9
申请日：2004-08-18
申请人： 微米技术有限公司
IPC分类号： H04N17/00
CPC分类号： H04N17/002
摘要： 公开了用于测试图像传感器的方法和设备。本发明的理想设备包括：图像传感器测试设备，该设备包含数字光投影系统和图像传感器信号检测装置，前者能将静态或动态的图像投影到测试中的图像传感器上，后者用于分析所述测试中的图像传感器的输出。所述数字光投影系统包含：光源、准直光学器件、数字微镜器件和聚焦光学器件。本发明的其他理想的方法和设备包括采用能同时测试多个图像传感器的数字光投影系统的图像传感器测试设备。根据本发明，对所述光源进行校准，并通过所述数字微镜器件将其转化成所要的测试图像。然后，将所述测试图像聚焦到图像传感器上，随后，通过检测器读出该图像传感器的输出，并将该输出与所述输入的数字式测试图像进行关联。
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公开(公告)号：CN1843028A
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN200480024492.2
申请日：2004-06-24
申请人： 微米技术有限公司
发明人： C·穆利
摘要： 用于识别和补偿具有图像处理设备的高分辨率数字摄像机中有缺陷的像素的影响的方法和设备。所述设备包括：存储系统，用于存储与像素阵列捕获的暗电流基准图像和白基准图像以及至少一个实际图像对应的数据；以及至少一个处理器，它连接到存储系统，用于根据存储的数据补偿与实际图像对应的数据。所述方法包括：捕获和存储暗基准图像和白基准图像两者以及捕获和存储实际图像；识别受暗电流影响的像素或有缺陷的像素；从所述存储系统读出实际图像的与受暗电流影响的或有缺陷的像素对应的数据；以及补偿所述受影响的像素。
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公开(公告)号：CN1842924A
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN03810896.8
申请日：2003-03-12
申请人： 微米技术有限公司
发明人： K·A·坎贝尔
CPC分类号： H01L45/1266 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/142 , H01L45/143 , H01L45/1625 , H01L45/1658
摘要： 本发明涉及用于制造具有改进的数据保持特性和更高的转换速度的存储单元(400)或电阻可变材料的方法和装置。在根据本发明的一个实施例的存储单元(400)中，在有源层中结合硒化银(406)和诸如锗硒化物(GexSe(1－x))的硫族化物玻璃(404)，在电极(402，410)之间施加电势时该有源层支持导电通道的形成。可以有利地在相对大的硒化银(406)和玻璃层(404)的厚度范围内制造本发明的实施例。
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公开(公告)号：CN1839217A
公开(公告)日：2006-09-27
申请号：CN200480024162.3
申请日：2004-08-09
申请人： 微米技术有限公司
IPC分类号： C23C16/455 , C30B25/14 , H01L21/205
CPC分类号： C23C16/45525 , C23C16/40 , C23C16/448 , Y10S427/101
摘要： 本发明包括采用超临界流体将前体引入反应室的方法。在一些方面，采用超临界流体在ALD中将至少一种前体引入反应室，在具体方面，所述超临界流体用来在ALD中将多种前体引入到反应室中。本发明可用来形成任何各种材料，包括含金属的材料，比如，例如金属氧化物、金属氮化物、和由金属构成的材料。通过采用可用以将含金属的前体引入反应室的超临界流体，可以形成金属氧化物，其中所述前体随后在基体表面上形成含金属的层。随后，该含金属的层可以和氧反应，以将该层中的至少一些该金属转变成金属氧化物。
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公开(公告)号：CN1820352A
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：CN200480019569.7
申请日：2004-05-04
申请人： 微米技术有限公司
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/334
CPC分类号： H01L27/10855 , H01L27/10852 , H01L28/40 , H01L28/57
摘要： 本发明包括在阻挡层(48)之上淀积金属氧化物电介质材料(50)的方法。该阻挡层包括金属和碳、硼、和氮中的一种或多种的合成物，该电介质材料的金属氧化物可以包括与阻挡层相同的金属。该电介质材料/阻挡层结构可以结合到电容器中。例如，该电容器可以用在DRAM单元中，该DRAM单元可以用在电子系统中。
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公开(公告)号：CN1805823A
公开(公告)日：2006-07-19
申请号：CN200480016662.2
申请日：2004-04-26
申请人： 微米技术有限公司
发明人： 詹森·B·埃勒德基
IPC分类号： B24B37/04
摘要： 本发明公开了一种用于对微特征工件(112)进行机械和/或化学－机械抛光的抛光机以及方法。在一个实施例中，所述抛光机包括具有支撑表面的台，通过支撑表面所承载的下垫，以及在所述台之上的承载器组件(130)。下垫(150)具有空腔(152)，承载器组件被构造以承载微特征工件。所述抛光机还包括磁场源(170)，所述磁场源(170)被构造以在空腔中和设置在空腔中的磁流变流体(160)中产生磁场。在磁场源的影响下磁流变流体改变空腔之内的粘性。
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公开(公告)号：CN1802579A
公开(公告)日：2006-07-12
申请号：CN03802232.X
申请日：2003-01-16
申请人： 微米技术有限公司
IPC分类号： G02B6/12
CPC分类号： G02B6/1225 , B82Y20/00 , C30B29/60 , C30B33/00 , G02B6/13 , G02B2006/12078 , H01L29/04 , H01L29/06 , H01S5/105
摘要： 公开了用三维(3D)光子晶体形成的波导结构。所述3D光子晶体包括在固体衬底上形成的周期性空位阵列。所述空位的排列能够创造完全的光子带隙。所述空位可以使用称为”表面变换”的技术来形成，其中包括在衬底表面形成孔以及将衬底退火来启动靠近表面的衬底材料的转移最后在衬底中形成空位。在3D光子晶体中形成可以传输对应于该完全带隙的辐射的通道，由此形成波导。可以通过以下方法来所述波导：令两个光子晶体的区域对接，而其中至少一个区域具有形成在其中的通道。可以通过以下方法来选择带隙的波长：排列周期性空位，使得其点阵常数等于带隙波长的一部分。
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公开(公告)号：CN1795508A
公开(公告)日：2006-06-28
申请号：CN200480014327.9
申请日：2004-03-18
申请人： 微米技术有限公司
发明人： J·R·贝克
CPC分类号： G11C7/062 , G11C7/06 , G11C11/1673
摘要： 公开了一种用于在读出电阻存储器时降低功耗的设备和方法。开关(405)的一端在一个节点处连接到电容元件(415)的终端，该开关的另一端连接到电阻存储器阵列(450)的位线。读出装置(425)也连接到该节点，其中开关闭合和断开以采样在位线上传送的电压信号，并将其存储在电容元件中。采样信号然后被传送到读出设备(414)，该读出设备对信号执行读出操作。
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