公开(公告)号：CN118556296A

公开(公告)日：2024-08-27

申请号：CN202380017236.3

申请日：2023-01-11

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 保坂泰靖 ,  岛行德 ,  神长正美 ,  中田昌孝 ,  肥塚纯一 ,  冈崎健一

IPC: H01L29/786 ,  G09F9/30 ,  H01L21/336 ,  H01L27/146 ,  H05B33/02 ,  H05B33/10 ,  H05B33/22 ,  H10K50/00 ,  H10K59/00

Abstract: 提供一种包括微细的晶体管的半导体装置。本发明是一种包括半导体层、第一导电层、第二导电层、第三导电层、第一绝缘层以及第二绝缘层的半导体装置。第一绝缘层设置在第一导电层上并包括到达第一导电层的第一开口。第二导电层设置在第一绝缘层上并在与第一开口重叠的区域包括第二开口。半导体层与第一导电层的顶面、第一绝缘层的侧面以及第二导电层的顶面及侧面接触。第二绝缘层设置在半导体层上。第三导电层设置在第二绝缘层上。第一绝缘层具有第三绝缘层及第三绝缘层上的第四绝缘层的叠层结构。第四绝缘层包括其膜密度比第三绝缘层高的区域。

公开(公告)号：CN118507531A

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN202410718963.9

申请日：2019-03-12

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 肥塚纯一 ,  中泽安孝

IPC: H01L29/786

Abstract: 提供一种电特性良好的半导体装置。提供一种电特性稳定的半导体装置。提供一种可靠性高的半导体装置。该半导体装置包括半导体层、第一绝缘层、第二绝缘层以及导电层。第一绝缘层与半导体层的顶面的一部分接触，导电层位于第一绝缘层上，第二绝缘层位于半导体层上。半导体层包含金属氧化物，包括与导电层重叠的第一区域及不与导电层重叠的第二区域。此外，第二区域与第二绝缘层接触，第二绝缘层包含氧及第一元素，第一元素是磷、硼、镁、铝和硅中的任一个以上。

公开(公告)号：CN118281077A

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202410375798.1

申请日：2018-08-22

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 神长正美 ,  黑崎大辅 ,  大野正胜 ,  肥塚纯一

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  H10K59/12 ,  H01L27/15 ,  G09F9/35 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/13357 ,  G02F1/1362

Abstract: 提供一种可靠性高的半导体装置。在该半导体装置中，第二绝缘层位于第一绝缘层上，半导体层位于第一绝缘层与第二绝缘层之间，第三绝缘层位于第二绝缘层上，第四绝缘层位于第三绝缘层上，第一导电层包括与半导体层重叠的区域且位于第三绝缘层与第四绝缘层之间，第三绝缘层包括与第一导电层的底面接触的区域和与第四绝缘层接触的区域，第四绝缘层接触于第一导电层的顶面及侧面，第五绝缘层接触于半导体层的顶面及侧面，第五绝缘层在与半导体层重叠且不与第一导电层重叠的区域中包括第一开口及第二开口，第二导电层在第一开口中与半导体层电连接，第三导电层在第二开口中与半导体层电连接，第三绝缘层、第四绝缘层及第五绝缘层包含金属和氧或氮，第六绝缘层包括接触于第五绝缘层的顶面及侧面的区域及接触于第一绝缘层的区域。

公开(公告)号：CN111129039B

公开(公告)日：2024-04-16

申请号：CN201911375684.2

申请日：2014-12-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 三宅博之 ,  肥塚纯一 ,  神长正美 ,  岛行德 ,  山崎舜平

IPC: H01L27/12 ,  H10K59/121 ,  H01L29/24 ,  H01L29/786

Abstract: 提供一种能够抑制像素之间的亮度的不均匀的发光装置。发光装置包括像素、第一电路及第二电路。第一电路具有生成包含从像素取出的电流值的信号的功能。第二电路具有根据信号校正图像信号的功能。像素至少包括至少一个发光元件、第一晶体管及第二晶体管。第一晶体管具有根据图像信号控制对发光元件的电流供应的功能。第二晶体管具有控制从像素取出电流的功能。第一晶体管及第二晶体管的每一个的半导体膜包括：与栅极重叠的第一半导体区域；与源极或漏极接触的第二半导体区域；以及第一半导体区域和第二半导体区域之间的第三半导体区域。

公开(公告)号：CN110600485B

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN201910839846.7

申请日：2014-12-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  肥塚纯一 ,  神长正美 ,  岛行德 ,  羽持贵士 ,  中泽安孝

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786

Abstract: 提供一种包括使用氧化物半导体并通态电流大的晶体管的半导体装置。一种半导体装置，包括：设置在驱动电路部中的第一晶体管；以及设置在像素部中的第二晶体管，其中，第一晶体管的结构和第二晶体管的结构互不相同。此外，第一晶体管及第二晶体管为顶栅结构的晶体管，被用作栅电极、源电极及漏电极的导电膜不重叠。此外，在氧化物半导体膜中，在不与栅电极、源电极及漏电极重叠的区域中具有杂质元素。

公开(公告)号：CN113224171A

公开(公告)日：2021-08-06

申请号：CN202110149865.4

申请日：2016-05-19

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  肥塚纯一 ,  冈崎健一 ,  津吹将志

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  C23C16/40

Abstract: 提供一种包括结晶部的金属氧化物膜。另外，提供一种物性的稳定性高的金属氧化物膜。另外，提供一种电特性得到提高的金属氧化物膜。另外，提供一种可以提高场效应迁移率的金属氧化物膜。一种包含In、M(M为Al、Ga、Y或Sn)及Zn的金属氧化物膜，该金属氧化物膜包括第一结晶部及第二结晶部，第一结晶部具有c轴取向性，第二结晶部没有c轴取向性，第二结晶部的存在比例高于第一结晶部。

公开(公告)号：CN113223967A

公开(公告)日：2021-08-06

申请号：CN202110265445.2

申请日：2016-02-23

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 肥塚纯一 ,  冈崎健一 ,  保坂泰靖 ,  神长正美 ,  井口贵弘 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/34 ,  H01L21/44 ,  H01L29/24 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/786 ,  H01L27/15 ,  H01L27/32 ,  G02F1/1368

Abstract: 在包括氧化物半导体膜的晶体管中，抑制电特性的变动。晶体管包括第一栅电极、第一绝缘膜、氧化物半导体膜、源电极、漏电极、第二绝缘膜、第二栅电极以及第三绝缘膜。氧化物半导体膜包括第一栅电极一侧的第一氧化物半导体膜及第一氧化物半导体膜上的第二氧化物半导体膜。第一氧化物半导体膜及第二氧化物半导体膜包含In、M及Zn(M为Al、Ga、Y或Sn)。在第二氧化物半导体膜的区域中，In的原子个数少于第一氧化物半导体膜。第二栅电极包含氧化物半导体膜中的金属元素中的至少一个。

公开(公告)号：CN107452751B

公开(公告)日：2021-06-01

申请号：CN201710363391.7

申请日：2012-12-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 肥塚纯一 ,  冈崎健一 ,  保坂泰靖 ,  池山辉正 ,  山崎舜平

IPC: H01L27/12

Abstract: 本发明的课题之一是对使用氧化物半导体膜的晶体管赋予稳定的电特性，来制造一种可靠性高的半导体装置。在包括设置在具有绝缘表面的衬底上的底栅结构的反交错型晶体管的半导体装置中，在栅电极层与氧化物半导体膜之间至少设置第一栅极绝缘膜和第二栅极绝缘膜，进行450℃以上，优选为650℃以上的加热处理，然后形成氧化物半导体膜。通过在形成氧化物半导体膜之前进行450℃以上，优选为650℃以上的加热处理，可以抑制成为导致晶体管的电特性的降低或变动的主要原因的氢元素扩散到氧化物半导体膜中，所以可以对晶体管赋予稳定的电特性。

公开(公告)号：CN112385021A

公开(公告)日：2021-02-19

申请号：CN201980042911.1

申请日：2019-06-19

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 肥塚纯一 ,  神长正美 ,  井口贵弘 ,  中泽安孝

IPC: H01L21/336 ,  H01L27/32 ,  H01L29/786 ,  H01L51/50

Abstract: 提供一种电特性良好的半导体装置。提供一种电特性稳定的半导体装置。提供一种可靠性高的半导体装置。形成半导体层，在半导体层上形成栅极绝缘层，在栅极绝缘层上形成金属氧化物层，在金属氧化物层上形成与半导体层的一部分重叠的栅电极。然后，对半导体层中的不与栅电极重叠的区域通过金属氧化物层及栅极绝缘层供应第一元素。作为第一元素可以举出磷、硼、镁、铝及硅等。如果对金属氧化物层进行加工，在对半导体层供应第一元素之后进行该工序。

公开(公告)号：CN107210226B

公开(公告)日：2020-12-22

申请号：CN201680008319.6

申请日：2016-01-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 肥塚纯一 ,  冈崎健一 ,  黑崎大辅 ,  神长正美 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/336 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/265 ,  H01L21/28 ,  H01L21/477 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明的一个方式提供一种可靠性高的半导体装置的制造方法。该方法包括如下步骤：以第一温度形成氧化物半导体膜；将氧化物半导体膜加工为岛状；不进行比第一温度高的温度的工序通过溅射法形成将成为源电极及漏电极的构件；对构件进行加工来形成源电极及漏电极；在形成保护绝缘膜后形成第一阻挡膜；隔着第一阻挡膜对保护绝缘膜添加过剩氧或氧自由基；通过以低于400℃的第二温度进行加热处理来使过剩氧或氧自由基扩散到氧化物半导体膜；以及在利用湿蚀刻去除第一阻挡膜的一部分及保护绝缘膜的一部分后，形成第二阻挡膜。