公开(公告)号：CN110537247A

公开(公告)日：2019-12-03

申请号：CN201880025401.9

申请日：2018-04-12

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 坂本刚志

IPC: H01L21/301 ,  B23K26/53 ,  H01L21/3065

Abstract: 加工对象物切断方法包含：第1步骤，准备加工对象物；第2步骤，在第1步骤之后，通过对加工对象物照射激光，分别沿着多个切断预定线，在加工对象物的单晶硅基板的内部形成至少1列的改质区域，并以跨越至少1列的改质区域与加工对象物的第2主面之间的方式形成龟裂；以及第3步骤，在第2步骤之后，对加工对象物从第2主面侧实施干式蚀刻，由此分别沿着多个切断预定线形成在第2主面开口的槽。在第2步骤中，以使龟裂未连接的未龟裂区域形成于加工对象物中的厚度方向的规定位置的方式形成改质区域。

公开(公告)号：CN106914697A

公开(公告)日：2017-07-04

申请号：CN201610901127.X

申请日：2011-12-15

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 奥间惇治 ,  坂本刚志

IPC: B23K26/00 ,  B23K26/08 ,  B28D5/00 ,  C30B29/36 ,  C30B33/06 ,  H01L21/304 ,  H01L29/16 ,  B23K26/0622 ,  B23K101/18 ,  B23K101/40

CPC classification number: H01L21/268 ,  B23K26/0006 ,  B23K26/0622 ,  B23K26/0853 ,  B23K26/53 ,  B23K2101/18 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/50 ,  B28D5/0011 ,  C30B29/36 ,  C30B33/06 ,  H01L21/304 ,  H01L21/78 ,  H01L23/544 ,  H01L29/1608 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 准备具备具有与c面成偏离角的角度的表面(12a)的六方晶系SiC基板(12)的板状的加工对象物(1)。接着，将脉冲振荡后的激光(L)的聚光点(P)对准于SiC基板(12)的内部，以脉冲间距为10μm～18μm的方式沿着切断预定线(5a,5m)将激光(L)照射于加工对象物(1)。由此，沿着切断预定线(5a,5m)，将作为切断起点的改质区域(7a,7m)形成于SiC基板(12)的内部。

公开(公告)号：CN101409256B

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN200810005548.X

申请日：2008-02-15

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 坂本刚志

IPC: H01L21/78 ,  B23K26/00 ,  B23K26/40 ,  B23K26/16 ,  B23K101/40

CPC classification number: B23K26/16 ,  B23K26/40 ,  B23K26/53 ,  B23K2103/50 ,  B28D5/0011 ,  H01L21/02076 ,  H01L21/78

Abstract: 本发明提供一种加工对象物的切断方法，该方法能够可靠地除去残留在芯片的切断面上的微粒。将板状的加工对象物沿切断预定线切断，使由此得到的多个半导体芯片(25)的每一个在扩张带(23)上相互分开，在该状态下，使扩张带(23)带静电。由于该电的作用，即使在半导体芯片(25)的切断面上形成有熔融处理区域，残留在半导体芯片(25)的切断面上的微粒也将从半导体芯片(25)的切断面射出。因此，可以可靠地除去残留在半导体芯片(25)的切断面上的微粒。

公开(公告)号：CN102581494A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201210040648.2

申请日：2006-07-03

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 坂本刚志 ,  村松宪一

IPC: B23K26/40 ,  B28D5/00 ,  H01L21/78

CPC classification number: B23K26/40 ,  B23K26/53 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/50 ,  B28D5/0011 ,  H01L21/78

Abstract: 本发明提供了一种加工对象物切断方法，即使在基板较厚的情况下，也能够在短时间内沿着切断预定线将包括基板以及具有多个功能元件并设置在基板的表面上的叠层部的加工对象物切断成各个功能元件。通过将聚光点(P)对准基板(4)的内部并从叠层部(16)侧照射激光(L)，从而沿着切断预定线，在基板(4)的内部形成从基板(4)的厚度方向的中心位置(CL)偏向基板(4)的背面(21)侧的第1改质区域(71)和从基板(4)的厚度方向的中心位置(CL)偏向基板(4)的表面(3)侧的第2改质区域(72)，并从第2改质区域(72)向基板(4)的表面(3)产生裂缝(24)。然后，在使贴于基板(4)的背面(21)的扩张带(23)扩张的状态下，使加工对象物(1)内产生应力以使裂缝(24)打开。

公开(公告)号：CN102489883A

公开(公告)日：2012-06-13

申请号：CN201110334889.3

申请日：2007-09-18

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 坂本刚志

IPC: B23K26/38 ,  B23K26/06 ,  B23K26/40

CPC classification number: B28D5/00 ,  B23K26/009 ,  B23K26/0665 ,  B23K26/082 ,  B23K26/40 ,  B23K26/53 ,  B23K26/57 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/50 ,  B28D1/221 ,  C03B33/0222 ,  C03B33/074 ,  C03B33/091 ,  H01L21/78

Abstract: 通过向硅晶片(11)照射由金属膜(17)的表面(17a)反射的激光(L)的反射光，形成6列熔融处理区域(131、132)中最靠近金属膜(17)的表面(17a)的熔融处理区域(131)，该金属膜(17)与加工对象物(1)的作为激光入射面的表面(3)相对向。由此，能够使熔融处理区域(131)形成在极接近金属膜(17)的表面(17a)的位置。

公开(公告)号：CN101100018B

公开(公告)日：2012-04-25

申请号：CN200710126927.X

申请日：2007-07-03

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 杉浦隆二 ,  坂本刚志

IPC: B23K26/00 ,  B23K26/08 ,  H01L21/301

CPC classification number: H01L21/78 ,  B23K26/0622 ,  B23K26/40 ,  B23K26/53 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/50 ,  C03B33/0222

Abstract: 本发明提供一种激光加工方法，其能够进行沿着切割预定线的加工对象物的高精度的切割。通过将聚焦点对准硅晶片(11)的内部在加工对象物(1)上照射激光，并使聚焦点沿着切割预定线(5)相对移动，由此，沿着切割预定线(5)分别形成位于加工对象物(1)的内部的改质区域(M1)、(M2)之后，在加工对象物(1)的内部形成位于改质区域(M1)和改质区域(M2)之间的改质区域(M3)。

公开(公告)号：CN101242927B

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：CN200680029600.4

申请日：2006-08-04

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 坂本刚志 ,  村松宪一

IPC: B23K26/40 ,  H01L21/301 ,  B28D5/00 ,  B23K101/40

CPC classification number: B28D5/0011 ,  B23K26/40 ,  B23K26/53 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/50 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供一种用于防止从切断硅晶片所得到的芯片的切断面产生颗粒的激光加工方法。形成改质区域(77～712)时的激光(L)的照射条件，以在自硅晶片(11)的表面(3)起的深度为335μm～525μm的区域的激光(L)的球面象差被修正的方式，相对于形成改质区域(713～719)时的激光(L)的照射条件而发生变化。因此，即使以改质区域(71～719)为切断的起点将硅晶片(11)及功能元件层(16)切断成半导体芯片，在深度为335μm～525μm的区域还是不会明显出现扭梳纹，并且难以产生颗粒。

公开(公告)号：CN101461039B

公开(公告)日：2010-11-17

申请号：CN200780020487.8

申请日：2007-06-06

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 坂本刚志

IPC: H01L21/301 ,  B23K26/40 ,  B23K26/38 ,  B23K101/40

CPC classification number: H01L21/78 ,  B23K26/40 ,  B23K26/53 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/172 ,  B23K2103/50 ,  B28D5/0011 ,  C03B33/0222

Abstract: 抑制激光加工时的加工对象物的弯曲。在晶圆(11)的内部形成改质区域(M2)，从改质区域(M2)产生沿着相对于平行于晶圆(11)的厚度方向且包含线(5)的面倾斜的方向延伸的裂纹(a2、b2)。在晶圆(11)的内部形成改质区域(M3)，以连接于裂纹(b2)的方式从改质区域(M3)产生沿着相对于平行于晶圆(11)的厚度方向且包含线(5)的面倾斜的方向延伸的裂纹(a3)。即，以连接裂纹a2、a3、b2的方式产生。所以，激光加工时，这些裂纹使得晶圆(11)的夹着线(5)的两侧部分分别咬合，所以，通过形成改质区域，能够减小所产生的相对于平行于晶圆(11)的厚度方向且包含线(5)的面垂直的方向的内部应力。

公开(公告)号：CN101862904A

公开(公告)日：2010-10-20

申请号：CN201010158518.X

申请日：2005-03-25

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 坂本刚志 ,  福满宪志

IPC: B23K26/36 ,  H01L21/301 ,  H01L27/00

CPC classification number: B28D5/0011 ,  B23K26/40 ,  B23K26/53 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/172 ,  B23K2103/50

Abstract: 本发明提供一种激光加工方法，即使在形成有包括多个功能元件的叠层部的基板较厚的情况下，也可高精度地切断基板及叠层部。是通过将背面(21)作为激光射入面，使聚光点(P)对准于基板(4)的内部并照射激光(L)，在基板(4)的内部形成改质区域(71、72、73)。此时，在基板(4)的表面(3)及质量改质区域(71)的表面侧端部的距离为5μm～15μm的位置上，形成质量改质区域(71)。在上述位置形成质量改质区域(71)时，可使形成在基板(4)的表面(3)上的叠层部(16)(在此，为层间绝缘膜(17a、17b))与基板(4)一起沿着预定切断线精度良好地被切断。

公开(公告)号：CN101313387B

公开(公告)日：2010-10-06

申请号：CN200680043210.2

申请日：2006-11-16

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 坂本刚志

IPC: H01L21/301 ,  B23K26/40 ,  B23K26/16 ,  B23K26/38 ,  B23K101/40

CPC classification number: H01L21/78 ,  B23K26/16 ,  B23K26/40 ,  B23K26/53 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/50 ,  B28D1/221 ,  B28D5/0011

Abstract: 本发明是提供一种激光加工方法，可确实防止微粒附着在切断板状加工对象物所得的芯片上。在经由扩张带(23)对加工对象物1施加应力时，对加工对象物(1)的形成物质(形成有熔融处理区域(13)的加工对象物(1)、切断加工对象物(1)所得的半导体芯片(25)、从该半导体芯片(25)的切断面产生的微粒等)照射软X射线。由此使半导体芯片(25)的切断面所产生的微粒不致任意地飞散，落下到扩张带(23)上。因此，可确实地防止微粒附着在切断加工对象物(1)所得的半导体芯片(25)上。