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公开(公告)号：CN222088595U
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202323430833.5
申请日：2023-12-15
Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L23/31
Abstract: 本申请公开了一种封装结构，该封装结构包括：基板，包括一线路层及设置于线路层上的一绝缘层，绝缘层具有暴露线路层的开口；多个导电件，设置于开口上，并且包括多个第一导电件及横向尺寸小于第一导电件的多个第二导电件；模封层，包覆基板和多个导电件，并且在俯视角度下，模封层具有边缘距离多个导电件的边缘较远的长端及与长端相对的短端，第一导电件的横向设置方向是由长端到短端。通过在基板的绝缘层中设置开口，以容纳尺寸较大的第一导电件在接合于基板时所产生的形变，来达到降低尺寸较大的第一导电件的高度，以确保小尺寸的第二导电件与大尺寸的第一导电件的底端可以共面，能够避免未连接问题或桥接问题。
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公开(公告)号：CN222088578U
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202420433185.4
申请日：2024-03-06
Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/488 , H01L23/48
Abstract: 本实用新型提供了一种封装结构，该封装结构包括：基板，具有凹槽；上下堆叠的第一芯片与第二芯片，第一芯片在凹槽外位于基板上方，第二芯片设置在凹槽内；第一介电层，设置在第二芯片与凹槽的底壁之间的间隙中；第二介电层，设置在第一芯片与第二芯片之间的间隙中，并且第二介电层沿着第二芯片的周侧壁向下延伸与第一介电层直接接触；可视觉识别结构，设置在凹槽内，可视觉识别结构设置为与第一介电层相对照判断第一介电层的厚度，其中，第一介电层与第二介电层共同填充凹槽并且包覆第二芯片，凹槽内没有空隙。本申请的实施例的封装结构至少能够防止空隙导致的封装结构的可靠度低。本实用新型还提供了其他封装结构。
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公开(公告)号：CN219497780U
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202320330066.1
申请日：2023-02-27
Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/46
Abstract: 本实用新型提出了一种半导体封装结构，该半导体封装结构的一个实施方式包括：晶片，包括非主动面；种子层，设置在非主动面；散热件，与晶片配合界定出连通外界的流道；导热件，填充于散热件与种子层之间。制作方法上，通过先在晶片的非主动面设置种子层，再将散热件设置在非主动面上方，并通过在种子层和散热件之间的空间采用化学沉积方法形成导热件进行填充，进而使得晶片产生的热量可通过设置于非主动面的种子层、导热件和散热件进行对外散热，由于导热件的导热效率远高于粘着剂或热界面材料，相对采用粘着剂或热界面材料填充于晶片背面和散热件之间而言，可大大提升晶片的散热效率。
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公开(公告)号：CN218385210U
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202222009649.2
申请日：2022-08-01
Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司
IPC: H01L23/495
Abstract: 本申请提供了一种半导体封装结构，包括：管芯和引线框，其中，引线框，包括：管芯垫，用于承载管芯；复数个引脚，位于管芯垫周围并且通过复数个引线电连接管芯，管芯垫的上表面与复数个引脚的上表面齐平，所述管芯垫和所述复数个引脚具有一致且不变的厚度，所述管芯垫的所述下表面的粗糙度大于所述管芯垫的所述上表面的粗糙度。本申请的目的在于提供一种半导体封装结构，以至少实现半导体封装结构的薄化。
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公开(公告)号：CN220895505U
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202322432453.9
申请日：2023-09-07
Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L23/31
Abstract: 本申请公开了一种封装结构，其包括：第一基板；以及中介层，连接于第一基板，并且包括面向第一基板的第一表面和设置于第一表面处的焊盘，焊盘具有中间区域和周缘区域，周缘区域和中间区域通过导电件连接第一基板，其中，周缘区域和中间区域分别具有相对于第一表面的高度，周缘区域的高度高于至少一部分的中间区域的高度。上述技术方案，能够降低中介层的厚度，进而可以降低封装结构的厚度。焊盘可用于定位导电件，还可以与导电件具有更大的接触面积，进而可增加导电件与焊盘间的连接可靠性。通过采用没有阻焊层的设计，可以增加形成封装体的模流空间并减少对模流的阻碍，从而能够降低模流未填满风险，能够解决封装体可能存在空隙的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN220400563U
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202321720845.9
申请日：2023-07-03
Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司
IPC: H01L21/687
Abstract: 本实用新型提供了一种固定装置，用于配合承载平台固定衬底，包括压抵件，压抵件包括：第一部分，用于压抵衬底；第二部分，从第一部分朝承载平台延伸。本申请的实施例的固定装置的压抵件的第一部分用于压抵衬底，第二部分朝承载平台延伸，阻断了从衬底的侧面进水的路径，减少了衬底的进水风险。
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公开(公告)号：CN218385205U
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202222410220.4
申请日：2022-09-09
Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司
IPC: H01L23/485 , H01L23/488
Abstract: 本申请提供了一种封装结构，其特征在于，包括：导电结构，所述导电结构上设置有焊盘；导电凸块，设置在所述焊盘上；以及介电层，覆盖所述导电结构并且包括暴露所述导电凸块的开口，其中，所述介电层的形成所述开口的内侧壁与所述导电凸块的外侧壁之间具有间隙，并且其中，所述导电凸块的外侧壁的一部分朝向所述导电凸块的内部收缩。上述技术方案通过使介电层与导电凸块之间具有间隙来解决介电层与导电凸块之间的界面分层或分裂问题。
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公开(公告)号：CN202384323U
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201120522328.1
申请日：2011-12-14
Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司
Inventor： 李志成
IPC: H01L23/488 , H01L23/36
CPC classification number: H01L2224/12105 , H01L2224/16225 , H01L2224/19 , H01L2224/73267 , H01L2224/92244 , H01L2225/1035 , H01L2225/1058 , H01L2924/00012
Abstract: 本实用新型公开一种半导体封装构造，其包含：一芯片；一绝缘层，位于所述芯片的周边，并具有数个第一电性导通孔；一第一重布线层，具有数个第一重分布焊垫连接所述芯片的数个接垫；一绝缘基础层，具有数个散热导通孔及数个第二电性导通孔；及一第二重布线层，形成在所述绝缘基础层外，且具有一散热垫及数个第二重分布焊垫。本实用新型利用散热导通孔直接的接触芯片背面来提高对芯片的散热效率，而且也可利用绝缘基础层外侧的第二重布线层来堆叠结合其他封装构造，以增加晶圆级封装构造的堆叠应用性。
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公开(公告)号：CN221080003U
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202322603893.6
申请日：2023-09-25
Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司
IPC: H01L23/373
Abstract: 本申请的一些实施例提供了一种封装结构，包括：第一基板；电子元件，设置在第一基板上方并且包括有源面和与有源面相对的背表面；封装层，封装电子元件并且暴露电子元件的背表面；导热中介层，位于电子元件的背表面上，其中，导热中介层包括导热图案；以及第二基板，设置在导热中介层上方并且电连接至电子元件。本申请提供的封装结构通过导热中介层使电子元件较好的散热。
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公开(公告)号：CN220914206U
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202322461876.3
申请日：2023-09-11
Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司
Abstract: 本实用新型提供了一种半导体器件，包括：第一衬底，具有设置在第一衬底上并且突出于第一衬底的第一凸块、第一阻挡层，第一阻挡层封装第一凸块的侧表面；第二衬底，位于第一衬底上方，并且具有设置在第二衬底上并且突出于第二衬底的第二凸块、第二阻挡层，第二阻挡层覆盖第二凸块的侧表面，第一凸块和第二凸块相互面对；金属层，接合第一凸块和第二凸块，并且接触第一阻挡层和第二阻挡层。本申请的实施例使用第一阻挡层、第二阻挡层封装第一凸块、第二凸块的侧表面，金属层接合第一凸块和第二凸块，当第一凸块和第二凸块的节距有缩小的需求时，不会发生现有技术的桥接的情况，并且第一凸块和第二凸块之间不易产生空隙，增强了接合强度。
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