-
公开(公告)号:CN106449590B
公开(公告)日:2019-08-09
申请号:CN201610981072.8
申请日:2016-11-08
申请人: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC分类号: H01L23/52 , H01L23/522 , H01L23/528 , H01L23/488 , H01L21/768
CPC分类号: H01L21/568 , H01L23/3135 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/16225 , H01L2224/19 , H01L2224/32145 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73267 , H01L2224/92244 , H01L2224/97 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
摘要: 本发明实施例公开了一种半导体存储模块及其制作方法,所述半导体存储模块包括自下而上依次堆叠的控制芯片组和至少两个存储芯片组,相邻的两个存储芯片组的第一重布线层通过层间导电柱电连接,控制芯片组的第二重布线层与相邻的存储芯片组通过区域间导电柱电连接,存储芯片组包括依次堆叠的至少两个存储芯片,和位于至少两个存储芯片下方的第一复合绝缘层,至少两个存储芯片的第一层内导电柱错开预设角度,以与第一重布线层电连接,控制芯片组包括控制芯片,和位于控制芯片下方的第二复合绝缘层,控制芯片的第二层内导电柱与第二重布线层电连接。综上,可以提高存储模块的存储能力和控制能力,减小存储模块尺寸,以及实现存储模块的晶圆级制造。
-
公开(公告)号:CN107393900B
公开(公告)日:2019-07-26
申请号:CN201710668543.4
申请日:2017-08-08
申请人: 中国电子科技集团公司第五十八研究所
IPC分类号: H01L23/498 , H01L21/48
CPC分类号: H01L2224/04105 , H01L2224/19 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/92244 , H01L2924/15153
摘要: 本发明涉及一种转接板结构,尤其是一种极多层布线的埋置型TSV转接板结构,属于集成电路封装的技术领域。按照本发明提供的技术方案,所述极多层布线的埋置型TSV转接板结构,包括转接板体;在所述转接板体内凹设有布线转接板槽,在所述布线转接板槽内设置布线转接板,在所述布线转接板上设置有极多层布线,布线转接板通过极多层布线与转接板体上表面的转接板上再布线层电连接,所述转接板上再布线层通过填充在转接板体内通孔的填充连接体与转接板体下表面的转接板下再布线层电连接,所述转接板下再布线层上设有若干焊球,所述焊球与转接板下再布线层电连接。本发明能有效增加布线层数,实现高密度的芯片级封装以及系统封装,安全可靠。
-
公开(公告)号:CN106783779B
公开(公告)日:2019-06-14
申请号:CN201611095553.5
申请日:2016-12-02
申请人: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
发明人: 王祺翔
IPC分类号: H01L23/485 , H01L23/528 , H01L21/50
CPC分类号: H01L21/568 , H01L2224/04105 , H01L2224/19 , H01L2224/24137 , H01L2224/2518
摘要: 本发明公开了一种高堆叠扇出型系统级封装结构及其制作方法,所述封装结构包括:第一封装模块,包括自下而上依次堆叠的至少两个第一封装单元,上下相邻的第一封装单元的第一重布线层通过第一模块内连接件电连接,且至少一个第一封装单元的第一重布线层延伸至该第一封装模块至少一个侧面的边缘;第二封装模块,设置在第一封装模块的至少一侧,与第一封装模块相邻的第二封装单元的第二重布线层与延伸至边缘的第一重布线层通过模块间连接件电连接;柔性电路基板,通过对外连接件分别与第一封装模块中最下方的第一封装单元的第一重布线层,以及第二封装模块中第二封装单元的第二重布线层电连接。本发明使得封装结构器件间的平均距离缩小,互连更自由。
-
公开(公告)号:CN109791894A
公开(公告)日:2019-05-21
申请号:CN201780057483.0
申请日:2017-09-18
申请人: 德卡科技公司
发明人: 克拉格·必绍普 , 克里斯多佛·M·斯坎伦
IPC分类号: H01L21/66
CPC分类号: H01L22/20 , H01L21/31 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/32 , H01L2224/02377 , H01L2224/0401 , H01L2224/05166 , H01L2224/05548 , H01L2224/05611 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/13024 , H01L2224/131 , H01L2224/13147 , H01L2224/19 , H01L2224/2101 , H01L2224/211 , H01L2224/221 , H01L2224/94 , H01L2224/03 , H01L2224/11 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2924/01074
摘要: 本发明公开一种半导体装置及方法可包括:测量在嵌入式晶粒面板内的多个半导体晶粒的各自的真实位置。确定多个半导体晶粒中的每个的总径向位移。通过根据优先级列表将总径向位移的一部分分步至每个层,将多个半导体晶粒的每个总径向位移分步至每个半导体晶粒的两个或更多层,以形成用于每一层的分布径向位移。可使用每一层的分布径向位移来变换用于多个半导体晶粒的每一层的变换。在多个半导体晶粒的每个上可形成单元特定图案,该单元特定图案含有用于多个层的每个的变换。
-
公开(公告)号:CN106158772B
公开(公告)日:2018-12-18
申请号:CN201510140205.4
申请日:2015-03-27
申请人: 蔡亲佳
发明人: 蔡亲佳
IPC分类号: H01L23/31 , H01L21/60 , H01L21/56 , H01L27/146
CPC分类号: H01L21/568 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/19 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/1815 , H01L2924/00014
摘要: 本发明公开了一种板级嵌入式封装结构,包括:电路板;设于电路板内的、用以容置半导体芯片的开口或空腔;分别设置于电路板的第一、二表面的第一、二线路层,且第一、二线路层经贯穿电路板的导电通路电连接,第一、二线路层表面分别对应电路板的最高、最低表面;设于开口或空腔内的半导体芯片,该芯片经第二线路层与第一线路层电连接,且该芯片的I/O焊盘表面至少自第二线路层表面露出,并与电路板的最低表面处于同一平面;封装材料,用以覆盖电路板的第一表面、第一线路层及填充开口或空腔内未被芯片占据的空间。本发明还提供了制作该板级嵌入式封装结构的方法。藉由本发明可以大幅降低传感器的封装成本,减小封装体积,以及有效提升传感器的性能。
-
公开(公告)号:CN106158818B
公开(公告)日:2018-11-30
申请号:CN201610221935.1
申请日:2016-04-11
申请人: 联发科技股份有限公司
发明人: 蔡宪聪
IPC分类号: H01L23/498 , H01L21/48
CPC分类号: H01L25/16 , H01L21/4832 , H01L21/561 , H01L21/563 , H01L21/568 , H01L23/293 , H01L23/31 , H01L23/3128 , H01L23/4952 , H01L23/5389 , H01L24/03 , H01L24/06 , H01L24/14 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/24 , H01L24/25 , H01L24/43 , H01L24/46 , H01L24/82 , H01L24/96 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/02371 , H01L2224/02379 , H01L2224/02381 , H01L2224/04042 , H01L2224/12105 , H01L2224/24146 , H01L2224/24195 , H01L2224/24225 , H01L2224/2512 , H01L2224/25174 , H01L2224/32145 , H01L2224/45099 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/82101 , H01L2224/96 , H01L2224/97 , H01L2225/06506 , H01L2225/0651 , H01L2225/06562 , H01L2225/1035 , H01L2225/1058 , H01L2924/00014 , H01L2924/01006 , H01L2924/01029 , H01L2924/01047 , H01L2924/01079 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/18162 , H01L2924/18165 , H01L2924/19042 , H01L2924/19104 , H01L2924/19105 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2224/05599 , H01L2924/00012 , H01L2224/19 , H01L2224/11 , H01L2224/82
摘要: 本发明公开了一种半导体封装及其制作方法。其中该半导体封装包含有半导体晶粒、多个I/O垫、模封材和多个打印的内连结构。其中该多个I/O垫分布在该半导体晶粒的主动面上。其中,该模封材覆盖该半导体晶粒的主动面,并且该模封材的下表面与该半导体晶粒的下表面齐平。其中,该多个内连结构嵌入于该模封材中,并电连接该多个I/O垫。其中各个该打印的内连结构包含导电接线以及导电接垫,其中该导电接线与该导电接垫是一体成型的。该半导体封装,利用打印技术(如3D打印)来形成内连结构,因此可以提高半导体封装的良品率。
-
公开(公告)号:CN108615710A
公开(公告)日:2018-10-02
申请号:CN201710068494.0
申请日:2017-02-08
申请人: 艾马克科技公司
CPC分类号: H01L23/552 , H01L21/568 , H01L23/3128 , H01L23/49816 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/19 , H01L2224/24137 , H01L2224/24195 , H01L2224/96 , H01L2924/3025 , H01L2924/3511 , H01L23/3107 , H01L21/56
摘要: 半导体装置及其制造方法。一种半导体装置包括:衬底,其具有顶部衬底表面、底部衬底表面及在所述顶部衬底表面与所述底部衬底表面之间延伸的侧向衬底表面;金属平面,其在所述顶部衬底表面上,所述金属平面包括完全延伸通过所述金属平面的第一孔径及第二孔径;半导体裸片,其在所述顶部衬底表面上且定位在所述金属平面的所述第一孔径内,所述半导体裸片具有顶部裸片表面、底部裸片表面及在所述顶部裸片表面与所述底部裸片表面之间延伸的侧向裸片侧表面,其中所述底部裸片表面耦合到所述顶部衬底表面;及包封材料,其包封所述侧向裸片侧表面的至少一部分及所述顶部衬底表面的至少一部分,其中所述包封材料延伸通过所述金属平面的所述第二孔径。
-
公开(公告)号:CN108464061A
公开(公告)日:2018-08-28
申请号:CN201680075962.0
申请日:2016-01-12
申请人: 名幸电子有限公司
CPC分类号: H01L23/12 , H01L21/568 , H01L2224/04105 , H01L2224/19 , H01L2224/32245 , H01L2224/73267 , H01L2224/9222 , H05K1/02 , H05K3/46
摘要: 本发明包括:绝缘层(5),其含有绝缘树脂材料;IC元件(4),其在第一表面设有第一铜端子(4b),在与上述第一表面相反一侧的第二表面设有第二铜端子(4d),并且埋设于上述绝缘层;第一外层配线图案(23),其形成于上述绝缘层的第一表面;第二外层配线图案(24),其形成于上述绝缘层的与第一表面相反一侧的第二表面;第一铜连接部(15),其将上述第一铜端子与上述第一外层配线图案电连接;以及第二铜连接部(17),其将上述第二铜端子与上述第二外层配线图案电连接,上述第一铜端子与上述第一铜连接部的连接面沿上述第一铜端子的表面形状定位,上述第二铜端子与上述第二铜连接部的连接面沿上述第二铜端子的表面形状定位。
-
公开(公告)号:CN105449080B
公开(公告)日:2018-08-28
申请号:CN201511013221.3
申请日:2015-12-31
申请人: 鸿利智汇集团股份有限公司
CPC分类号: H01L21/568 , H01L2224/04105 , H01L2224/19
摘要: 一种用正装芯片成型CSP LED的方法和成型倒装芯片的方法及CSP LED。芯片级封装LED包括正装芯片,在正装芯片的侧面和顶面封装有封装胶;正装芯片包括正装芯片本体和电极,在电极上设有延伸电极,延伸电极的面积大于电极的面积,在正装芯片本体的下方设有白胶层。用正装芯片成型CSP LED的方法包括:让封装胶包裹在多个正装芯片上;提供第二载台,在第二载台上铺设第二隔离膜;固定半成品;在正装芯片涂光刻胶,在光刻胶盖掩膜版;曝光;显影;蒸镀;清洗;切割;分离。本发明能将正装芯片作为倒装芯片使用,方便组装,提高了电连接的可靠性,有效的防止锡膏上爬,防止出现短路的现象。
-
公开(公告)号:CN105023837B
公开(公告)日:2018-08-07
申请号:CN201410373955.1
申请日:2014-07-31
申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号: H01L21/301 , H01L23/28
CPC分类号: H01L24/13 , H01L21/561 , H01L23/3114 , H01L23/3128 , H01L23/3192 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L23/49833 , H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/97 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/05568 , H01L2224/056 , H01L2224/12105 , H01L2224/13023 , H01L2224/131 , H01L2224/19 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/94 , H01L2224/97 , H01L2924/18162 , H01L2224/83 , H01L2224/03 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2224/83005
摘要: 本发明提供了种示例性器件,该器件包括管芯、沿着管芯的侧壁延伸的模塑料,以及位于管芯和模塑料上方的第聚合物层。第聚合物层具有第横向尺寸。该器件还包括位于第聚合物层上方的第二聚合物层。第二聚合物层具有第二横向尺寸,其中,第二横向尺寸小于第横向尺寸。本发明还涉及划线结构及其形成方法。
-
-
-
-
-
-
-
-
-