公开(公告)号：CN102668281A

公开(公告)日：2012-09-12

申请号：CN201080059063.4

申请日：2010-11-11

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 善积祐介 ,  盐谷阳平 ,  京野孝史 ,  住友隆道 ,  嵯峨宣弘 ,  足立真宽 ,  住吉和英 ,  德山慎司 ,  高木慎平 ,  池上隆俊 ,  上野昌纪 ,  片山浩二

IPC: H01S5/343

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/0207 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/3202

Abstract: 本发明提供一种III族氮化物半导体激光器元件，其在六方晶系III族氮化物的c轴向m轴方向倾斜的支撑基体的半极性面上，具有能实现低阈值电流的激光谐振器且具有能提高振荡合格率的构造。成为激光谐振器的第1及第2切断面(27、29)与m-n面交叉。III族氮化物半导体激光器元件(11)中，激光波导路在m-n面与半极性面(17a)的交叉线的方向延伸，因此可利用能实现低阈值电流的能带跃迁的发光。第1及第2切断面(27、29)自第1面(13a)的边缘(13c)延伸至第2面(13b)的边缘(13d)。切断面(27、29)并非通过干式蚀刻形成，且与c面、m面或者a面等目前为止的解理面不同。波导路向量(LGV)与投影分量(VCP)所成的偏移角(AV)可在-0.5度以上+0.5度以下的范围。

公开(公告)号：CN1581610B

公开(公告)日：2012-04-11

申请号：CN200410055604.2

申请日：2004-07-30

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 神川刚 ,  山田英司 ,  荒木正浩 ,  金子佳加

IPC: H01S5/00 ,  H01L33/00

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01L33/007 ,  H01S5/0213 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/2214 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/04 ,  H01S2304/12

Abstract: 一种氮化物半导体激光器件，其使用低缺陷密度的基板，在氮化物半导体膜内含有很小的应变，从而使其具有令人满意的长的使用寿命，在缺陷密度为106cm-2或更低的GaN基板(10)上通过蚀刻形成条形凹陷部分(16)。在该基板(10)上生长氮化物半导体膜(11)，在远离凹陷部分(16)上方的区域中形成激光条(12)。使用这样的结构时，激光条(12)中没有应变，半导体激光器件具有长的使用寿命。另外，氮化物半导体膜(11)形成的裂隙很少，从而能够大幅提高产率。

公开(公告)号：CN102034910A

公开(公告)日：2011-04-27

申请号：CN201010501542.9

申请日：2010-09-30

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 上野昌纪 ,  盐谷阳平 ,  京野孝史 ,  善积祐介

IPC: H01L33/02 ,  H01L33/00 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/3202 ,  H01S2302/00

Abstract: 本发明提供III族氮化物半导体光元件、外延衬底及III族氮化物半导体发光元件的制作方法。III族氮化物半导体光元件(11a)中，衬底(13)的主面(13a)从与沿该第一III族氮化物半导体的c轴延伸的基准轴Cx正交的面，以63度以上且小于80度的范围的倾斜角向第一III族氮化物半导体的m轴方向倾斜。有源层(17)产生580nm以上800nm以下的波长范围的光。有源层(17)的半导体外延层(19)包含含有铟作为III族构成元素的III族氮化物半导体。第二III族氮化物半导体包含InGaN等。半导体外延层(19)的铟含量为0.35以上0.65以下。半导体外延层(19)的膜厚方向相对基准轴Cx倾斜。

公开(公告)号：CN101501947B

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN200780029764.1

申请日：2007-08-08

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 畑雅幸 ,  野村康彦

IPC: H01S5/343 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/483 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/16 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/0224 ,  H01S5/02268 ,  H01S5/02272 ,  H01S5/02476 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/2027 ,  H01S5/22 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/34333

Abstract: 本发明提供半导体元件和其制造方法。即使在半导体元件部在面内方向中包括具有不同的热膨胀系数的多个方向的情况下，也能够抑制元件特性的下降。该半导体激光元件(半导体元件)包括：在主面的面内方向中包括热膨胀系数不同的[1-100]方向和[0001]方向的半导体元件部；以及在主面的面内方向中包括热膨胀系数不同的箭头E方向和箭头F方向的基台。而且，以半导体元件部的[1-100]方向，相比于基台的箭头F方向更靠近箭头E方向一侧的方式，半导体元件部相对于基台被接合。

公开(公告)号：CN101939883A

公开(公告)日：2011-01-05

申请号：CN200980104197.0

申请日：2009-10-16

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 川口真生

IPC: H01S5/343 ,  H01S5/22

CPC classification number: H01S5/22 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/3203 ,  H01S5/34333

Abstract: 本发明提供一种半导体激光器装置，该半导体激光器装置具有在基板(11)上所形成的且包含活性层(26)的半导体层层叠体(20)。半导体层层叠体(20)具有：将光射出的前端面；在与前端面交叉的方向上所形成的条状的波导部；在与前端面交叉的方向上延伸的第一区域(20A)；与第一区域(20A)上表面的高度不同的第二区域(20B)；在第一区域(20A)和第二区域(20B)之间所形成的、且与第二区域(20B)相比表面中的周期性的凹凸的变化小的平坦区域(20C)。并且，光波导路在平坦区域(20C)形成。

公开(公告)号：CN101290963B

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200810092602.9

申请日：2008-04-16

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 大野彰仁 ,  藏本恭介

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/14 ,  H01L33/32 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/3063 ,  H01S5/3211 ,  H01S2304/04

Abstract: 本发明涉及一种抑制工作电压的氮化物半导体元件，目的在于提供一种适于在较低的电压下的利用的由氮化物系半导体构成的半导体激光器或发光二极管等发光元件。具有：p型接触层(28)；形成在p型接触层(28)下层的p型中间层(26)；形成在p型中间层的下层的p型覆盖层(24)。p型接触层(28)和所述p型中间层(26)之间、以及p型中间层(26)与所述p型覆盖层(24)之间的带隙差分别为200meV以下。

公开(公告)号：CN101147303B

公开(公告)日：2010-05-19

申请号：CN200680009593.1

申请日：2006-03-31

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  鸟取三洋电机株式会社

Inventor： 松下保彦 ,  中泽崇一

IPC: H01S5/343 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01S5/2231 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/04

Abstract: 本发明所述氮化镓系化合物半导体激光元件的制造方法，其特征在于，作为氮化镓衬底的结晶面，使用在(0001)Ga面的 方向上以绝对值倾斜0.16度以上5.0度以下的面，或者使用将向(0001)Ga面的 方向的偏离角度作为A、向(0001)Ga面的 方向的偏离角度作为B时(A2+B2)的平方根为0.17以上、7.0以下的面，且以/秒以上/秒以下的生长速度使活性层生长。由此，即使使用偏离角度大的氮化镓衬底，也能够提供斜率效率大、元件电阻减少、驱动电压降低、且制造合格率高、偏差少、能够发出高输出蓝紫色光的氮化镓系化合物半导体激光元件的制造方法以及由该方法制造的化合物半导体激光元件。

公开(公告)号：CN1913104B

公开(公告)日：2010-05-12

申请号：CN200610095905.7

申请日：2003-03-26

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 户田忠夫 ,  山口勤 ,  畑雅幸 ,  野村康彦

IPC: H01L21/18 ,  H01L21/60 ,  H01L33/00 ,  H01S5/00

CPC classification number: H01S5/32341 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/28575 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/14 ,  H01L33/32 ,  H01L33/40 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/305 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/04

Abstract: 本发明提供一种氮化物系半导体元件的制造方法，它依次具有以下工序：对由具有纤锌矿结构的n型氮化物系半导体层和氮化物系半导体基板中的任一个构成的第1半导体层的背面进行研磨，随后在上述研磨过的第1半导体层的背面上形成n侧电极，用连接法安装氮化物系半导体激光元件。本发明还提供另一种氮化物系半导体元件的制造方法，它依次具有以下工序：对由具有纤锌矿结构的n型氮化物系半导体层和氮化物系半导体基板中的任一个构成的第1半导体层的背面进行研磨，在上述研磨过的第1半导体层背面上形成n侧电极，热处理，附着在所述n侧电极与放热基台之间。这些方法可降低氮化物系半导体基板等的氮面与电极之间的接触电阻。

公开(公告)号：CN1582520B

公开(公告)日：2010-05-05

申请号：CN02822141.9

申请日：2002-10-03

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  索尼株式会社

Inventor： 朝妻庸纪 ,  冨谷茂隆 ,  玉村好司 ,  东条刚 ,  后藤修 ,  元木健作

IPC: H01S5/343 ,  H01L33/00 ,  H01L21/205

CPC classification number: C30B25/02 ,  B82Y20/00 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02664 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/025 ,  H01L33/32 ,  H01S5/0207 ,  H01S5/0213 ,  H01S5/2036 ,  H01S5/22 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/32341 ,  H01S5/34333 ,  H01S5/4031 ,  H01S2301/173

Abstract: 一种制造半导体发光装置或者半导体装置的方法，通过在氮基III-V化合物半导体衬底上生长形成发光装置结构或装置结构的氮基III-V化合物半导体层，其中多个具有比第一平均位错密度高的第二平均位错密度的第二区域周期地排列在具有第一平均位错密度的所述第一区域中，其中装置区域定义在所述氮基III-V化合物半导体层衬底上使得第二区域大体上不包括在发光区域或有源区中。

公开(公告)号：CN101682171A

公开(公告)日：2010-03-24

申请号：CN200980000087.X

申请日：2009-01-08

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 小野泽和利 ,  田村聪之

IPC: H01S5/343 ,  H01S5/22

CPC classification number: H01S5/22 ,  B82Y20/00 ,  G11B7/127 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/1082 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/3216 ,  H01S5/34333 ,  H01S2301/02

Abstract: 本发明公开了一种半导体激光装置及其制造方法。半导体激光装置包括：主面的晶面方位为(1-100)的基板(11)，形成在基板(11)上且具有条状光波导部的半导体叠层体(12)，以及形成在基板(11)上的出射端面的至少一部分的多个锥状突起部(13)。出射端面的晶面方位为(000-1)。