-
公开(公告)号：CN111033778A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201880051132.3
申请日：2018-09-26
申请人： 阿尔卑斯阿尔派株式会社
摘要： 提供固定磁性层的磁化的方向反转的磁场(Hex)较大、高温条件下的稳定性高、并且强磁场耐性优的交换耦合膜。交换耦合膜(10)为，反强磁性层(2)和固定磁性层(3)和自由磁性层(5)层叠而成，反强磁性层(2)由PtCr层(2A)和XMn层(2B)(其中，X是Pt或Ir)构成，XMn层(B)与固定磁性层(3)接触，固定磁性层(3)是铁、钴、铁钴合金或铁镍合金。
-
公开(公告)号：CN106374036B
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201610390369.7
申请日：2016-06-03
申请人： 爱思开海力士有限公司
摘要： 本技术提供一种用于制造电子设备的方法。一种用于制造包括可变电阻元件的电子设备的方法，所述可变电阻元件包括：自由层，具有可变磁化方向；钉扎层，具有第一不可变磁化方向，且包括第一铁磁材料层和介于第一铁磁材料层之中的两个相邻第一铁磁材料层之间的第一间隔件层；隧道阻障层，介于自由层与钉扎层之间；磁性校正层，具有与第一磁化方向反向平行的第二磁化方向；以及第三间隔件层，介于磁性校正层与钉扎层之间，且在磁性校正层与钉扎层之间提供反铁磁交换耦合。
-
公开(公告)号：CN105762274B
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201610005833.6
申请日：2016-01-05
申请人： 三星电子株式会社
发明人： 唐学体 , 李将银 , 冯艮 , 达斯廷·威廉·埃里克森
摘要： 公开了用于提供包括无Co自由层的磁结的方法和系统。描述了可用于磁装置的磁结以及用于提供磁结的方法。磁结包括自由层、非磁隔离层和参考层。自由层包括Fe和至少一种Fe合金中的至少一种。此外，自由层不包括Co。非磁隔离层与自由层邻接。非磁隔离层驻留在参考层和自由层之间。构造磁结使得当写入电流经过磁结时自由层在多个稳定磁状态之间是可切换的。
-
公开(公告)号：CN110911548A
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201911201576.3
申请日：2019-11-29
申请人： 大连理工大学
摘要： 具有工作温度实时监控功能的高温三维霍尔传感器及其制作方法,属于半导体传感器领域。技术方案：衬底上依次生长缓冲层、外延层和势垒层，所述外延层异质结界面处的势阱中存在高密度由极化电荷诱导产生的二维电子气；所述衬底下表面设有用于感测平行于器件表面磁场的垂直型霍尔传感器，所述势垒层上表面设置有用于感测垂直于器件表面磁场的“十”字水平型霍尔传感器。有益效果是:本发明采用适应高温环境的完全宽禁带材料，可以在高温下测量空间任意方向的磁场，同时具有尺寸小、灵敏度高等特点，可以在不影响传感器正常工作的前提下进行精确磁场测量和实时工作温度监测，未来有望广泛应用于各种军事、航空航天、医学、微型和纳米型传感器中。
-
公开(公告)号：CN110844891A
公开(公告)日：2020-02-28
申请号：CN201910688303.X
申请日：2019-07-29
申请人： 爱思开海力士有限公司
发明人： 李禹太
摘要： 提供一种硫族化物材料及包括其的电子设备。硫族化物材料可以包括1-10原子百分比(at％)的硅、10-20at％的锗、25-35at％的砷、40-50at％的硒和1-10at％的碲。电子设备可以包括：包含硫族化物材料的开关元件，该硫族化物材料包括1-10原子百分比(at％)的硅、10-20at％的锗、25-35at％的砷、40-50at％的硒和1-10at％的碲；第一电极，其电耦接到开关元件；以及第二电极，其电耦接到开关元件。
-
公开(公告)号：CN106111482B
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201610645297.6
申请日：2016-08-09
申请人： 南京邮电大学
摘要： 本发明公开了一种刮涂制备铁酸铋薄膜的方法，通过将铁酸铋粉末分散于醇溶液中，通过后续的超声、分散、刮涂和煅烧过程制备获得铁酸铋薄膜。与现有技术相比，本发明具有以下优点：(1)将原来铋位及铁位的一部分离子替换为同价态或离子半径相近的稀土元素及过渡金属，从而抑制铁离子的价态变化导致的氧空位以及铋挥发造成的铋空位的方法，从而达到优化结构，提升性能；(2)操作简单，成本低廉，并且出产率高，所制备的掺杂薄膜较普通的掺杂铁酸铋薄膜，在形貌和成相度方面都有显著的提升，因此利用此方法对铁酸铋进行过渡金属、稀土元素或过渡金属与稀土元素共掺将得到性能更优越的铁酸铋材料，从而提高其在新型电磁材料等领域的应用。
-
公开(公告)号：CN107591478B
公开(公告)日：2020-01-31
申请号：CN201710740196.1
申请日：2017-08-25
申请人： 清华大学
摘要： 本发明公开了一种由磁相转变驱动的隧道磁电阻器件。所述隧道磁电阻器件包括依次叠加的基片、底电极、隧穿层和顶电极；所述底电极具有铁磁相变；所述底电极的材质为Fe‑Rh合金或Fe‑Ga合金；所述底电极的厚度大于3nm；所述底电极和所述隧穿层之间还设有插入层；所述插入层的材质为顺磁性金属。本发明利用隧穿层一侧的具有铁磁相变的金属制备隧道磁电阻器件，通过利用铁磁相变中金属态密度的较大变化，使隧道磁电阻器件在室温下实现10％以上的磁电阻效应；并可通过界面插入层的厚度来调控器件磁阻值的极性和大小。
-
公开(公告)号：CN110690343A
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201910602979.2
申请日：2019-07-05
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
摘要： 本公开涉及具有减小的应力敏感度的磁阻传感器。例如，一种磁阻传感器，包括第一非磁性层、第二非磁性层和磁性自由双层。磁性自由双层设置在第一非磁性层和第二非磁性层之间，磁性自由双层包括耦合至第二磁性自由层的第二磁性自由层。第一磁性自由层耦合至第一非磁性层，并且第二磁性自由层耦合至第二非磁性层。第二非磁性层包括非磁性材料，其原子半径在第一磁性自由层和第二磁性自由层中的至少一个的原子半径的10％以内。
-
公开(公告)号：CN110660901A
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201910451081.X
申请日：2019-05-28
申请人： 英特尔公司
摘要： 讨论了用于SOT电极和自由磁性层之间的垂直自旋轨道矩(SOT)存储器件的插入层，采用这种插入层的存储器件和计算平台，以及形成它们的方法。插入层主要是钨，并改善了自由磁性层中的热稳定性和垂直磁各向异性。
-
公开(公告)号：CN110649156A
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201910560580.2
申请日：2019-06-26
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
摘要： 本发明的实施例提供了一种磁性随机存取存储器及其制造方法。半导体器件包括磁性随机存取存储器(MRAM)单元。MRAM单元包括：设置在衬底上方的第一磁性层、由非磁性材料制成并且设置在第一磁性层上方的第一非磁性材料层、设置在第一非磁性材料层上方的第二磁性层，以及设置在第二磁性层上方的第二非磁性材料层。第二磁性层包括彼此分离的多个磁性材料片。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
1379 条记录 (耗时 0.025 秒)
