公开(公告)号：CN103217130B

公开(公告)日：2015-10-28

申请号：CN201210479223.1

申请日：2012-11-22

申请人： 北京智朗芯光科技有限公司 ,  中国科学院微电子研究所

发明人： 吴文镜 ,  李国光 ,  赵江艳

IPC分类号： G01B11/30 ,  G01B11/24 ,  G01N21/47

摘要： 本发明公开了一种硅片缓冲装载装置，属于硅片样品光学测量技术领域。该装置包括硅片样品台和吸盘，吸盘与硅片样品台相配合，硅片样品台具有底座，还包括缓冲机构，缓冲机构连接于底座，缓冲机构包括接触平台和升降机构，接触平台固定连接于升降机构，接触平台在升降机构的带动下升降。该装置在对硅片样品进行装载时，机械手与硅片样品台能够实现任意装载，并且，装载过程简单、装载稳定。

公开(公告)号：CN104697974A

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201310651513.4

申请日：2013-12-04

申请人： 北京智朗芯光科技有限公司

发明人： 李成敏 ,  严冬 ,  叶龙茂 ,  王林梓 ,  刘健鹏 ,  刘涛

IPC分类号： G01N21/65 ,  H01L21/66

摘要： 本发明公开了一种在线实时检测外延片生长的装置，属于半导体材料制造设备技术领域。该装置MOCVD反应室、光学组件、拉曼散射光谱产生系统、拉曼散射光谱接收系统、数据分析系统、光电开关、触发信号电路和操作电路。该装置结构简单、参数易协调一致且实时检测数据量明显降低。

公开(公告)号：CN104697972A

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201310646667.4

申请日：2013-12-04

申请人： 北京智朗芯光科技有限公司

发明人： 严冬 ,  李成敏 ,  叶龙茂 ,  王林梓 ,  刘健鹏 ,  刘涛

IPC分类号： G01N21/65 ,  H01L21/66

摘要： 本发明公开了一种在线实时检测外延片生长的方法，属于半导体材料制造设备技术领域。该方法根据各外延片对应的实时拉曼散射光谱数据，实时分析各外延片带隙、微结构、组分信息，并实时反馈各外延片的波长偏差，从而在线实时检测各外延片的生长信息。该方法参数易协调一致且实时检测数据量明显降低，应用本发明提供的在线实时检测外延片生长的方法能够减小外延片质量差及报废带来的损失。

公开(公告)号：CN104677836A

公开(公告)日：2015-06-03

申请号：CN201310611454.8

申请日：2013-11-26

申请人： 北京智朗芯光科技有限公司 ,  中国科学院微电子研究所

发明人： 刘涛 ,  崔高增 ,  李国光 ,  熊伟 ,  温朗枫

IPC分类号： G01N21/21

摘要： 本发明公开了一种自校准的全穆勒矩阵椭圆偏振仪测量系统，属于光学测量仪器技术领域。其包括光源、起偏器、第一相位补偿器、检偏器、第二相位补偿器、光谱仪、样品台和各向同性且均匀的参考样品，各向同性且均匀的参考样品能够置于样品台上，其特征在于，还包括光谱仪数据采集频率设定模块、光强数据采集模块、实验傅里叶系数运算模块、理论傅里叶系数运算模块、第一相位补偿器相位延迟量运算模块、第二相位补偿器相位延迟量运算模块和全穆勒矩阵椭圆偏振仪全部工作参数运算模块。应用该自校准的全穆勒矩阵椭圆偏振仪测量系统对待测样品进行测量时，校准过程简单，测量方便，并且测量结果更加准确。

公开(公告)号：CN104567663A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201310498667.4

申请日：2013-10-22

申请人： 北京智朗芯光科技有限公司

发明人： 吴文镜 ,  张塘 ,  李成敏

IPC分类号： G01B11/00

摘要： 本发明公开了一种三维移动装置，属于光学测量技术领域。该装置包括底座、固定连接件、X方向移动平台、Y方向移动平台、限位板、升降机构和承载机构。该装置的升降机构受限于由固定连接件的第一通孔、X方向移动平台的第二通孔、Y方向移动平台的第三通孔和限位板的第四通孔形成的容置空间，操作X方向移动平台能够使该升降机构沿X方向移动，操作Y方向移动平台能够是该升降机构沿Y方向移动，该升降机构本身能够沿Z方向移动，因此，固定连接于该升降机构的承载机构能够分别沿XYZ三个方向移动到精确的测量位置。

公开(公告)号：CN104089703A

公开(公告)日：2014-10-08

申请号：CN201410325405.2

申请日：2014-07-09

申请人： 北京智朗芯光科技有限公司

发明人： 李成敏 ,  严冬 ,  王林梓 ,  刘健鹏 ,  张瑭 ,  马小超

IPC分类号： G01J5/00 ,  G01J5/54 ,  H01L21/66

摘要： 本发明公开了一种半导体薄膜反应腔辅助温度校准装置，属于半导体制造领域。该装置能够将光源的光强调节到P0，由于P0对应的黑体炉靶心的温度为T0，因此，可以将光源等效为一个温度为T0的热辐射源，此时，由温度探测装置探测到的光源透过狭缝窗口后光线的光强的最大值P0＇等效为半导体薄膜反应腔内温度T0时的热辐射强度。应用该半导体薄膜反应腔辅助温度校准装置时，相当于在已知T0和P0＇的条件下，对半导体薄膜反应腔的测温装置进行校准。因此，该光源能够模拟温度为T0时的黑体辐射P0＇，为半导体薄膜反应腔温度校准提供支持。

公开(公告)号：CN103575703A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201210281822.2

申请日：2012-08-09

申请人： 中国科学院微电子研究所 ,  北京智朗芯光科技有限公司

发明人： 刘涛 ,  王林梓 ,  李国光 ,  夏洋 ,  艾迪格·基尼欧 ,  马铁中

IPC分类号： G01N21/47 ,  G01B11/06

摘要： 本发明公开一种利用反射光谱测量单晶硅基太阳能电池表面增透膜的方法，包括通过建模模拟计算分别得出包含增透膜的单晶硅基太阳能电池的总反射效率A与不包含增透膜的单晶硅基太阳能电池的总反射效率B；基于所述总反射效率A和所述总反射效率B求出单晶硅基太阳能电池的相对反射比率Rcal；测量包含增透膜的单晶硅基太阳能电池相对于不包含增透膜的单晶硅基太阳能电池的反射比率R；将所述Rcal与所述R比较，模型中设定增透膜厚度及增透膜材料的光学常数或光学常数物理模型的系数为变量，通过数值回归的曲线拟合过程，计算得出膜厚与材料光学常数。本发明提高了反射率测量方法测量硅基太阳能样品薄膜特征的准确度，拓展了光谱反射仪的应用领域，使测量硬件结构更加简单，成本更低。

公开(公告)号：CN103217130A

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN201210479223.1

申请日：2012-11-22

申请人： 北京智朗芯光科技有限公司 ,  中国科学院微电子研究所

发明人： 吴文镜 ,  李国光 ,  赵江艳

IPC分类号： G01B11/30 ,  G01B11/24 ,  G01N21/47

摘要： 本发明公开了一种硅片缓冲装载装置，属于硅片样品光学测量技术领域。该装置包括硅片样品台和吸盘，吸盘与硅片样品台相配合，硅片样品台具有底座，还包括缓冲机构，缓冲机构连接于底座，缓冲机构包括接触平台和升降机构，接触平台固定连接于升降机构，接触平台在升降机构的带动下升降。该装置在对硅片样品进行装载时，机械手与硅片样品台能够实现任意装载，并且，装载过程简单、装载稳定。

公开(公告)号：CN103185638A

公开(公告)日：2013-07-03

申请号：CN201110444985.3

申请日：2011-12-27

申请人： 中国科学院微电子研究所 ,  北京智朗芯光科技有限公司

发明人： 李国光 ,  刘涛 ,  赵江艳 ,  吴文镜 ,  王林梓 ,  马铁中 ,  夏洋

IPC分类号： G01J3/447 ,  G01J3/02 ,  G01N21/25 ,  G01B11/06 ,  G01B11/24

摘要： 本发明公开一种宽带偏振光谱仪，包括光源、分光元件、第一聚光单元、偏振器、第二聚光单元、第一平面反射镜、第二平面反射镜、探测单元。本发明还公开了包含该宽带偏振光谱仪的光学测量系统。本发明提供的垂直入射宽带偏振光谱仪不仅可以通过简单的操作进行聚焦，而且可以精确地控制探测光束的偏振变化，即，可以保持任意偏振光的偏振特性。

公开(公告)号：CN102589692A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201110005913.9

申请日：2011-01-12

申请人： 北京智朗芯光科技有限公司

发明人： 严晓浪 ,  刘涛 ,  马铁中 ,  李国光 ,  艾迪格·基尼欧

IPC分类号： G01J3/12 ,  G01J3/02 ,  G01B11/06 ,  G01B11/24 ,  G01N21/25 ,  G02B27/10

摘要： 本发明提出了一种光纤束分光的垂直入射宽带偏振光谱仪及光学测量系统。该垂直入射宽带光谱仪包括：光源、光纤束、光探测器、偏振单元，光纤束包括入射光纤子束、出射光纤子束；入射光纤子束具有第一端口组和第二端口组，出射光纤子束具有第三端口组和第四端口组，入射光纤子束的第二端口组和出射光纤子束的第三端口组在同一横截面上。该光谱仪通过采用光纤束分光和增加偏振元件，提高了光谱仪光通量效率，增强了其对偏振光的控制能力。