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公开(公告)号：CN117368664A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202311302057.2
申请日：2023-10-09
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本申请提供一种环氧塑封料绝缘可靠性评估的电场应力施加装置、试验系统、试验单元和评估方法，其中，电场应力施加装置包括第一绝缘基板、第一金属电极和第一导线等结构。本申请能够对环氧塑封料绝缘可靠性进行评估并获得评估结果，同时，本申请具有试验成本低、可避免环境试验过程中出现空气击穿等优点。
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公开(公告)号：CN117368548A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202311401285.5
申请日：2023-10-26
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Inventor： 骆成阳
Abstract: 本公开涉及一种非接触式时域电流探头及其数字化校准系统，非接触式时域电流探头包括柱状传输本体、耦合部、传输导线以及控制器；传输本体具有沿其延伸方向相对的近端与远端，内有容置槽；耦合部位于传输本体的远端，包括沿延伸方向依次层叠的接地层、多层环路线圈及屏蔽层；其中，多层环路线圈中相邻层的环路线圈的首尾分别经由导电柱相连；传输导线位于容置槽内；控制器位于传输本体的近端；非接触式时域电流探头数字化校准系统包括样品台、位移台和微带线，用于得到探头校准曲线，通过非接触式时域电流探头及其数字化校准系统可以对低频分量富集的板级交流电信号进行时域还原，获取低频部分校准系数曲线，减少测量步骤和误差。
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公开(公告)号：CN116973673B
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311239395.6
申请日：2023-09-25
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本申请涉及一种电子器件的失效定位方法、装置、系统及计算机设备，通过向空载探针中发送测试信号，获取测试信号对应的第一阻抗变化点，然后将探针与待测样品连接，并向与探针连接的待测样品发送测试信号，以获取待测样品的第二阻抗变化点，根据待测样品的环境试验条件确定待测样品是否失效，在待测样品失效的情况下，获取待测样品的阻抗信号超过失效阈值的失效时间，然后根据测试信号的传输距离、失效时间、第一阻抗变化点对应的第一时间以及第二阻抗变化点对应的第二时间确定待测样品的失效点位置，实现了失效点的精确定位，提高了失效分析的效率和精确性。
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公开(公告)号：CN117310452A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311614828.1
申请日：2023-11-29
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本申请涉及一种电磁信号泄露的确定方法、装置、计算机设备和存储介质。所述方法包括：利用预设的密度聚类算法对多幅电磁辐射发射强度图像进行聚类处理，得到多个聚类结果；多幅电磁辐射发射强度图像为根据不同频率点下被测集成电路的发射强度确定的图像；针对每一类聚类结果，根据每一类聚类结果包括的电磁辐射发射强度图像，确定每一类聚类结果对应的被测集成电路发射电磁信号的实际频率；根据每一类聚类结果对应的工作模式和预设的对应关系，确定被测集成电路发射电磁信号的标准频率；根据实际频率和标准频率，确定被测集成电路是否存在电磁信号泄露。采用本方法能够提高确定集成电路是否存在电磁信号泄露的准确度。
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公开(公告)号：CN117168362B
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311450420.5
申请日：2023-11-03
Abstract: 本发明公开了一种三轴运动平台垂直度测量装置及方法，所述装置包括激光器、3个五角分光棱镜、5个五角棱镜、4个直线度干涉镜、4个直线度反射镜和4个干涉信号接收器，激光器发射的激光束经过第1五角分光棱镜分为第1路光束和第2路光束，第1路光束测量z向平动轴x向的直线度；第2路光束经过第2五角分光棱镜分为第3路光束和第4路光束，第3路光束测量z向平动轴y向的直线度；第4路光束经过第3五角分光棱镜分为第5路光束和第6路光束，第5路光束测量y向平动轴的直线度，第6路光束测量x向平动轴的直线度。本发明能够低成本地实现三个平动轴的垂直度误差的同时测量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113393072B
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202110366001.8
申请日：2021-04-06
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G06F30/20 , G06F18/241 , G06F119/08 , G06F119/02 , G06F119/04 , G06F119/14
Abstract: 本发明涉及电子系统可靠性试验技术领域，公开了一种电子系统加速因子评定方法，包括确认令电子系统存在多故障机理协同效应的目标敏感应力；针对所述目标敏感应力开展加速试验，获取加速因子试验数据；选择所述目标敏感应力的第一加速模型，并对所述第一加速模型进行改进，获取第二加速模型；根据所述加速因子试验数据对所述第二加速模型进行参数估计，获得第三加速模型；根据所述第三加速模型获取加速因子。本发明提供的电子系统加速因子评定方法以系统级电子产品整体为对象，考虑在同应力条件下电子系统多种故障机理间存在协同效应的影响对经典加速模型进行改进，可以解决经典加速模型无法应用于系统级电子产品的问题。
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公开(公告)号：CN112668932B
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202110052566.9
申请日：2021-01-15
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G06F11/10
Abstract: 本发明涉及电子器件可靠性技术领域，公开了一种电子器件的加固设计方法、计算机设备和存储介质，包括获取电子器件的软错误率指标；根据电子器件的模拟辐照试验，获取电子器件发生各种单粒子翻转类型的软错误率，单粒子翻转类型包括单位翻转和多位翻转；根据所有单粒子翻转类型软错误率之和、部分单粒子翻转类型软错误率之和与软错误率指标，确定电子器件的待加固类型；根据待加固类型，对电子器件进行加固纠正。通过获取发生各种单粒子翻转类型的软错误率，以实际应用环境下的软错误率指标为导向，选择合适的加固方式对电子器件进行加固纠正，以保证电子器件在达到软错误率指标的同时避免过度加固，以降低加固带来的资源消耗和性能下降。
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公开(公告)号：CN111079253B
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN201911099747.6
申请日：2019-11-12
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G06F30/20 , G06F119/04
Abstract: 本申请涉及一种电力电子器件寿命评估方法、装置和计算机设备。所述方法包括：获取各项性能退化特征量分别对应的最优性能退化模型，并基于各最优性能退化模型以及分别对应的性能退化特征量的失效阈值，得到各项性能退化特征量对应的失效时间；基于各项性能退化特征量分别对应的失效时间，获取各项性能退化特征量分别对应的最优性能寿命分布模型；建立各最优性能寿命分布模型的竞争失效模型，并基于蒙特卡洛法处理竞争失效模型，得到电力电子器件的寿命分布模型，并基于寿命分布模型输出电力电子器件的寿命评估值，从而实现综合考虑电力电子器件的各项性能退化特征量对寿命评估的影响，提高了电力电子器件寿命评估的准确度。
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公开(公告)号：CN109532102B
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN201910015641.7
申请日：2019-01-08
Applicant: 工业和信息化部电子第五研究所华东分所
Abstract: 本发明公开一种打钉装置及打钉方法，属于包装技术领域。所述打钉装置，包括：机架；转盘，转动连接于机架上，转盘用于放置包装盒，转盘上设置有多个打钉孔，多个打钉孔距转盘的转动中心的距离相等；定位组件，用于沿转盘的周向和径向对包装盒进行定位；打钉组件，能够分别从包装盒的上方和下方对包装盒进行打钉；控制装置，用于控制转盘的转动角度，以使打钉组件能穿过其中一个打钉孔从包装盒的下方对包装盒进行打钉。本发明结构简单、操作方便，能够实现自动打钉组装，且组装牢靠不易损坏。
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公开(公告)号：CN117199167A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311171509.8
申请日：2023-09-12
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: H01L31/113 , H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种氮化镓器件结构装置及其制备方法。氮化镓器件结构包括：衬底；沟道层，位于衬底的表面；势垒层，位于沟道层远离衬底的表面；势垒层内具有凹槽，凹槽暴露出沟道层的部分表面；第一电极，位于沟道层远离衬底的表面，且位于势垒层的一侧；第二电极，位于沟道层远离衬底的表面，且位于势垒层远离第一电极的一侧；介质层，至少位于凹槽内；第三电极，位于介质层远离沟道层的表面。本发明通过在势垒层中形成凹槽，凹槽可以将沟道中的二维电子气耗尽，从而降低暗电流，降低功率损耗；同时，当氮化镓器件结构在紫外光照射下，耗尽的沟道中产生光生载流子，形成光电流，从而提高探测效率。
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