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公开(公告)号：CN104975343A
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201510304702.3
申请日：2015-06-04
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 利用氢等离子体多次刻蚀/退火循环工艺提高金刚石籽晶质量的方法，它涉及一种提高金刚石籽晶质量的方法。本发明是为了解决现有提高金刚石籽晶质量的方法过程耗时较长、操作相对复杂，并且容易导致籽晶表面质量劣化的问题，方法为：一、金刚石籽晶清洗；二、焊接；三、放置籽晶；四、氢等离子体刻蚀/退火，即完成。本发明氢等离子体刻蚀/退火处理能够在同一仪器中同时去除金刚石籽晶表面上由机械抛光引起的晶体缺陷、表面及亚表面损伤以及金刚石籽晶内部应力和缺陷，提高结晶度，从而获得高质量的籽晶，并极大简化了操作，节约了时间和成本。本发明应用于晶体生长技术领域。
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公开(公告)号：CN104928641A
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201510415525.6
申请日：2015-07-15
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种氧化硅红外增透氧化钒薄膜的制备方法，本发明涉及氧化硅红外增透氧化钒薄膜的制备方法。本发明要解决现有VO2薄膜红外透过率低和耐候性差的问题。方法：一、清洗；二、镀膜前准备工作；三、镀制VO2薄膜；四、退火；五、镀制SiO2薄膜；六、关机，即完成氧化硅红外增透氧化钒薄膜的制备方法。本发明用于氧化硅红外增透氧化钒薄膜的制备方法。
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公开(公告)号：CN119980462A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202510121318.3
申请日：2025-01-26
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 哈工大郑州研究院 , 河南碳真芯材科技有限公司
Abstract: 一种硅空位色心含量可控的SiV色心纳米金刚石的制备方法，本发明为了解决现有方法制备的SiV色心纳米金刚石含有较多的晶格缺陷和金属杂质，并且SiV色心纳米金刚石的硅空位色心含量不可控以及形状不规则等问题，包括如下步骤：1、衬底与腔壁清洗；2、硅片掺杂；3、生长参数的调制；4、SiV色心纳米金刚石的生长与收集；5、SiV色心纳米金刚石的测试与表征。通过本发明方法制备得到的SiV色心纳米金刚石是CVD硅空位色心纳米金刚石，此种方法制备得到的SiV色心纳米金刚石无金属杂质和离子辐照造成的晶格缺陷，晶体的品质较高。本发明属于量子纳米材料制备技术领域。
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公开(公告)号：CN119736710A
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202411952927.5
申请日：2024-12-27
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 哈工大郑州研究院 , 河南碳真芯材科技有限公司
Abstract: 基于MPCVD法制备蓝色金刚石的方法，本发明是要解决金刚石生长过程中掺硼致色生长带有灰色调，而电子辐照法需要根据钻石的生长批次进行调整的问题。制备蓝色金刚石的方法：S1、对HPHT金刚石籽晶片预处理，超声清洗硅片和锗片；S2、在预处理籽晶的周围放置清洗后的硅片和锗片，然后进行刻蚀处理；S3、通入甲烷和氢气进行微波等离子体化学气相沉积生长；S4、取出钻石毛坯；S5、切除钻石毛坯表面的多晶；S6、高温高压处理。本发明通过晶体在生长过程中掺入Si和Ge元素，在钻石毛坯中形成SiV和GeV色心，SiV和GeV色心在近红外区的吸收使钻石呈现为蓝色，避免掺入硼元素导致的灰色调，适用于蓝色金刚石批量生产。
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公开(公告)号：CN114032526B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202111328019.5
申请日：2021-11-10
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一体化无外接原料气体的高品质金刚石MPCVD生长设备及生长方法，它为了解决现有MPCVD生长设备需要以氢气、甲烷等作为原料气体，气体管路安装复杂的问题。本发明金刚石MPCVD生长设备中反应室内腔腔体套设在反应室外腔腔体内部，反应室内腔腔体的底部与竖直波导管相连通，水平波导管的一端与微波源相连，石墨碳源可控样品台设置在反应室内腔腔体内，石墨碳源可控样品台与竖直波导管同轴设置在石墨碳源可控样品台的上表面开有沟槽，沟槽内装填有石墨碳源，石墨碳源可控样品台的底部设置有升降装置。本发明碳源来自于固态碳源石墨粉末刻蚀，不需要气体碳源外接管路，提高了生长样品的纯度与生长过程的安全性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118448467A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410394378.8
申请日：2024-04-02
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 哈工大机器人(中山)无人装备与人工智能研究院
IPC: H01L29/812 , H01L29/47 , H01L21/338
Abstract: 本发明提供一种增强型金刚石基场效应晶体管，包括金刚石衬底、源极、漏极、栅极和低功函数金属耗尽层；金刚石衬底上形成有氢终端表面，氢终端表面为金刚石衬底氢化处理得到，氢终端表面接触空气形成导电沟道，源极和漏极设置于导电沟道的两端；低功函数金属耗尽层设置于导电沟道上，并位于源极和漏极之间；低功函数金属耗尽层的功函数小于4.9eV，厚度为5‑50nm，低功函数金属耗尽层与导电沟道形成肖特基接触；低功函数金属耗尽层材质为金、铝、钛、锆、铂、铪及钇中的至少一种；低功函数金属耗尽层上设置有栅电极，低功函数金属耗尽层通过介质层与栅电极导通。本发明的低功函数金属耗尽层与导电沟道形成肖特基接触，夹断沟道实现常关特性，阈值电压稳定。
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公开(公告)号：CN114974471B
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202210519106.7
申请日：2022-05-13
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种MPCVD金刚石生长设备的优化方法，本发明是为了解决现有MPCVD设备设计过程中，仅依靠有限元仿真难以实现设备高效设计的问题。优化方法：一、建立MPCVD设备仿真计算几何模型；二、利用多物理场仿真软件计算下腔体半径r1和上腔体高度h2与目标函数值M的相关性最大；三、建立前馈神经网络，以下腔体半径r1和上腔体高度h2作为输入数据，输出层为预测值M*进行训练；四、采用训练后的人工神经网络对目标函数进行预测，当预测值M*取最大值时，下腔体半径r1和上腔体高度h2的取值作为金刚石生长设备的优化尺寸。本发明基于人工神经网络优化MPCVD设备的尺寸，能够对不同几何参数下的微波谐振效果进行快速预测。
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公开(公告)号：CN115635677B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202211335510.5
申请日：2022-10-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B29C64/153 , B33Y10/00
Abstract: 一种快速固化双组分粘结剂喷射3D打印的方法，本发明属于粘结剂喷射3D打印领域。解决现有粘结剂喷射工艺中的加热固化、紫外光固化存在固化速率慢、胚体精度差、容易堵塞喷头的问题。方法：一、将打印粉末铺平于打印平台上；二、利用两个喷头依次喷射A组分粘结剂及B组分粘结剂；三、重复步骤二；四、重复步骤一至三；五、固化并清除浮粉，或者直接清除浮粉。本发明用于快速固化双组分粘结剂喷射3D打印。
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公开(公告)号：CN116555907B
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202310479229.7
申请日：2023-04-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 仿生自清洁多晶金刚石的制备方法，本发明的目的是为了解决多晶金刚石表面易吸附粉尘的问题。制备方法：一、超声清洗多晶金刚石；二、金刚石放入化学气相沉积设备中；三、通入反应气体H2与O2，使金刚石表面温度保持在500～900℃之间进行氧刻蚀1～3h；四、通入Ar、N2与CH4，进行纳米金刚石的外延生长0.5～3h；五、通入H2，使金刚石表面温度保持在500～900℃之间进行氢刻蚀1～3h；六、关闭设备；七、滴入氟硅烷进行表面化学修饰。本发明采用三步法分别对金刚石进行氧刻蚀、外延生长和氢刻蚀，在多晶金刚石表面形成高比表面积的双重微纳结构，实现了多晶金刚石表面的超疏水，并且具有优异的自清洁功能。
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公开(公告)号：CN109742026B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN201910136716.7
申请日：2019-02-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/335 , H01L23/373 , H01L29/778
Abstract: 直接生长法制备金刚石辅助散热碳化硅基底GaN‑HEMTs的方法，本发明涉及金刚石与碳化硅连接的散热结构的制备方法，它为了解决现有GaN HEMTs的散热性能有待提高的问题。制备金刚石辅助散热碳化硅基底的方法：一、在SiC基片表面刻蚀出孔洞；二、超声清洗SiC基片；三、在SiC晶片的表面建立辅助形核点；四、沉积金刚石层；五、将上表面的金刚石膜层去掉，留下孔洞中金刚石膜层；六、超声清洗；七、在SiC晶片上的孔洞中进行沉积，金刚石沉积填满孔洞。本发明制备金刚石的纯度高，热导率较高，金刚石与SiC结构类似，相容性好，制备的金刚石位于器件下方，有针对性地将热点热量极快导出。
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