公开(公告)号：CN105431923B

公开(公告)日：2018-03-06

申请号：CN201480042846.X

申请日：2014-07-10

申请人： 株式会社思可林集团

发明人： 越田隆

IPC分类号： H01L21/02 ,  G05B19/418 ,  H01L21/677

CPC分类号： G05B19/4189 ,  G05B19/402 ,  G05B19/41815 ,  G05B2219/40066 ,  G05B2219/45031 ,  G05B2219/45054 ,  H01L21/67276 ,  Y02P90/08 ,  Y02P90/20 ,  Y02P90/28 ,  Y02P90/86

摘要： 第二基板处理装置的第二控制装置通过生成虚拟运送器，在基板搬入第二基板处理装置之前存储经由直接搬入口向第二基板处理装置搬入的该基板的位置信息。并且，第二控制装置基于预先存储的在第二基板处理装置外的基板的位置信息，在该基板搬入第二基板处理装置之前作成第二计划，该第二计划是将要经由直接搬入口向第二基板处理装置搬入的基板从第二基板处理装置的外部向第二基板处理装置的内部搬送的计划。

公开(公告)号：CN104955559B

公开(公告)日：2018-01-30

申请号：CN201480006117.9

申请日：2014-01-22

申请人： 艾尼股份公司

发明人： A·M·A·马兰德里诺 ,  V·皮克罗

IPC分类号： B01J8/18 ,  B01J8/22 ,  C10G2/00 ,  G05D11/13

CPC分类号： B01J8/22 ,  B01J8/1809 ,  B01J2208/00584 ,  B01J2219/002 ,  B01J2219/00209 ,  B01J2219/00243 ,  B01J2219/0025 ,  H01L21/67276

摘要： 用于通过确定泡沫高度(Hf)与反应器高度(HR)之间的比率，使淤浆相反应器中的反应体积最大化的方法，该比率通过在以下三个区中限定气体滞留量的算法确定：建立鼓泡状态的第一下部区，可能存在泡沫的第二中间区，位于上部半球形部分的第三区，在第三区中使多相混合物加速，直到它达到出口条件，平均气体滞留量由该三个区的三种气体滞留量中每个的加权平均来给出，其特征在于该方法使用位于该反应器内不同高度的核密度计，并且包括：对于所用的各核密度计，测量涉及到不同的气体和/或淤浆速度的气体密度值，其通过所述算法与算出的气体滞留量值相对应，显示在算出的气体滞留量小于40％的情况下，至少高至密度计所在的高度不存在泡沫，测得的泡沫密度对应于所述气体滞留量，在气体滞留量高于70％的情况下，至少从密度计所在的反应器高度开始存在气泡，测得的泡沫密度对应于所述气体滞留量，最后，通过所述算法确定比率f和可能存在的泡沫的高度延伸，计算结果的高度Hf。

公开(公告)号：CN104249897B

公开(公告)日：2018-01-09

申请号：CN201410287376.5

申请日：2014-06-25

申请人： 株式会社大福

发明人： 高原正裕 ,  上田俊人

IPC分类号： B65G1/04 ,  B65G1/137

CPC分类号： B65G1/16 ,  H01L21/67276 ,  H01L21/67733 ,  H01L21/67769

摘要： 本发明提供保管系统和保管方法。保管系统包括：保管库，设置有收纳部和搬入搬出部；环境调节部，针对每个收纳部对保管环境进行调节；环境管理部，收集关于保管环境的信息并控制环境调节部的动作；保管库输送装置，进行输送作业；以及入库出库管理装置，将收纳有物品保持体的收纳部的场所与该物品保持体的识别信息对应地进行管理，根据来自主管理装置的出库或入库请求来控制保管库输送装置的输送作业。入库出库管理装置生成将环境管理部所生成的每个收纳部的环境管理信息和收纳于各个收纳部的物品保持体的识别信息相对应而得到的上位环境管理信息，并输出至主管理装置。

公开(公告)号：CN107342230A

公开(公告)日：2017-11-10

申请号：CN201610276955.9

申请日：2016-04-29

申请人： 段申虎

发明人： 段申虎

IPC分类号： H01L21/48 ,  H01L21/67 ,  H01L21/331

CPC分类号： H01L29/66234 ,  H01L21/4882 ,  H01L21/67121 ,  H01L21/67276

摘要： 本发明三极管自动装配流水线及装配方法属于电子配件领域，利用伺服电机进料，挡板上的传感器指挥控制箱控制电控气动分配阀、驱动二号气缸工作推动切割电机和三极管转轮、驱动二号气缸工作将三极管推入散热铝的凹槽里面，完成自动装配。

公开(公告)号：CN107076716A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201680002983.X

申请日：2016-01-06

申请人： 栗田工业株式会社

发明人： 森田博志 ,  小川祐一 ,  佐佐木友野

IPC分类号： G01N31/00 ,  G01N31/10 ,  G01N31/12 ,  H01L21/304

CPC分类号： G01N31/12 ,  B08B3/08 ,  B08B3/10 ,  B08B3/12 ,  B08B3/14 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67276

摘要： 不受金属等混入杂质影响，而简便且稳定地准确测定电子材料的洗净工序中使用的氧化性洗净液中的氧化剂浓度。一种氧化剂浓度的测定方法，其在测定用作电子材料洗净工序的洗净液的试样液中的氧化剂浓度时，使试样液中的氧化剂的至少一部分通过加热等而分解，测定因氧化剂的分解而产生的氧气的释放量，基于该测定值求出试样液的氧化剂浓度。

公开(公告)号：CN107039304A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201710063734.8

申请日：2017-02-03

申请人： 果尼阿克有限公司

发明人： 斯蒂芬·布尔 ,  马丁·罗比格 ,  波里斯·哈贝兹

IPC分类号： H01L21/66 ,  H01L21/67

CPC分类号： G05B19/418 ,  G05B19/4184 ,  G05B2219/45031 ,  H01L21/67276 ,  H01L22/26 ,  Y02P90/14 ,  H01L22/20 ,  H01L21/67253

摘要： 描述了用于评估和控制半导体制造工艺的方法和装置，该半导体制造工艺在工艺流程中具有多个工艺步骤。该方法包括从工艺测量数据库检索工艺步骤参数的测量。工艺步骤参数包括工艺步骤测量数据、工艺步骤上下文数据或工艺步骤控制数据中的至少一个。工艺步骤参数随后与一个或多个工艺步骤相关联。

公开(公告)号：CN106783697A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201710079124.7

申请日：2017-02-14

申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司

发明人： 王立斌 ,  曹秀亮 ,  康军 ,  杜天伦

IPC分类号： H01L21/67

CPC分类号： H01L21/67276 ,  H01L21/67253

摘要： 一种增强半导体工艺中补值精确性的方法，包括：执行前道制程，并且获取前道制程的数据；从前道制程的数据中舍弃一个或者多个异常数据点；利用舍弃一个或者多个异常数据点之后的前道制程数据计算平均值；利用平均值作为后道制程补值的基础。将相对于第一步骤获取的所述前道制程的数据的平均值超出预定倍数标准方差的数据点作为异常数据点；在第二步骤中从获取的前道制程的数据中直接去除相对于第一步骤获取的所述前道制程的数据的平均值超出预定倍数标准方差的数据点。本发明提供了一种能够增强半导体工艺中补值精确性的方法，其采用异常量测数据过滤方法达到增强补值准确性的目的，从而提高工艺精准度，提高良率。

公开(公告)号：CN106611725A

公开(公告)日：2017-05-03

申请号：CN201510703326.5

申请日：2015-10-26

申请人： 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司

发明人： 潘宇涵

IPC分类号： H01L21/67

CPC分类号： H01L21/67276

摘要： 本发明实施例提供了一种刻蚀设备及结束其自动任务的处理方法和处理装置，结束刻蚀设备自动任务的处理方法包括：接收用户发出的结束当前自动任务请求；判断当前自动任务需要加工的任务托盘是否离开CM；当任务托盘离开CM时，判断当前自动任务的剩余动作序列中是否包括为CM充大气的动作；当包括为CM充大气的动作时，将为CM充大气的动作从剩余动作序列中移除；判断CM是否处于真空状态；当CM不处于真空状态时，在剩余动作序列中创建为CM抽真空的动作；在剩余动作序列的队尾创建卸载CM的动作；顺序执行剩余动作序列。本发明避免了在结束刻蚀设备自动任务过程中需要人为手动处理情况，降低了设备的使用难度，提高了智能化水平。

公开(公告)号：CN106558516A

公开(公告)日：2017-04-05

申请号：CN201510997486.5

申请日：2015-12-25

申请人： 株式会社日立国际电气

发明人： 大桥直史 ,  菊池俊之 ,  松井俊 ,  高崎唯史

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L21/67196 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/67276 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/67745 ,  H01L21/67781 ,  H01L21/68707 ,  H01L21/67011 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67155 ,  H01L21/67167

摘要： 本发明涉及衬底处理装置及半导体器件的制造方法。能够提高具有多个处理室的处理装置的生产率。具有：腔室，对衬底进行处理；处理单元，具备多个腔室；真空搬送室，连接有多个处理单元；加载互锁室，与真空搬送室连接；装载端口，能够载置多个容纳有多片衬底的容纳容器；大气搬送室，设置于加载互锁室与装载端口之间，具有第一搬送机械装置；第二搬送机械装置，设置于真空搬送室，在加载互锁室与腔室之间搬送衬底；和控制部，控制第一搬送机械装置和第二搬送机械装置，以便将收纳于第X(X为自然数)个容纳容器的最后的衬底搬送至第m(m为自然数)个处理单元中处于无衬底状态的多个腔室中的一个腔室，将收纳于第X+1个容纳容器的多个衬底中最先搬送的衬底搬送至第m+1个处理单元中的多个所述腔室中的任一个。

公开(公告)号：CN103882402B

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201410146888.X

申请日：2008-11-26

申请人： 株式会社爱发科

发明人： 高木善胜 ,  佐藤重光 ,  大空弘树

IPC分类号： C23C14/56 ,  H01J9/02 ,  H01J9/46 ,  H01J11/20

CPC分类号： C23C14/568 ,  H01L21/67276 ,  H01L21/67745

摘要： 本发明提供一种真空处理装置（1），其串联连接多个对于被处理基板（S）进行规定处理的处理室，其中，在所述真空处理装置中设有遍及真空处理装置的多个处理室间设置的第一基板输送路（15）、和相对于第一基板输送路（15）并排设置且输送基板并同时进行各处理室内的规定处理的第二基板输送路（16），并且，在多个处理室中至少两个处理室设置有用于在第一基板输送路及第二基板输送路间使基板移动的输送路变更构件（17）。