公开(公告)号：CN106024619B

公开(公告)日：2018-11-16

申请号：CN201610061520.2

申请日：2016-01-28

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 大桥直史 ,  中山雅则 ,  须田敦彦 ,  丰田一行 ,  松井俊

IPC: H01L21/3105 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L22/20 ,  C23C16/45502 ,  C23C16/52 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76819 ,  H01L22/12

Abstract: 本发明涉及半导体器件的制造方法及衬底处理装置。可抑制半导体器件的特性偏差。具有下述工序：对具有实施了研磨的第一绝缘膜的衬底的第一绝缘膜的膜厚分布数据进行接收的工序；基于膜厚分布数据，运算使衬底的中心侧的膜厚与外周侧的膜厚之差减小的处理数据的工序；将衬底搬入处理室的工序；向衬底供给处理气体的工序；和基于处理数据，以使生成于衬底的中心侧的处理气体的活性种的浓度与生成于衬底的外周侧的处理气体的活性种的浓度不同的方式使处理气体活化，从而修正第一绝缘膜的膜厚分布的工序。

公开(公告)号：CN106558516A

公开(公告)日：2017-04-05

申请号：CN201510997486.5

申请日：2015-12-25

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 大桥直史 ,  菊池俊之 ,  松井俊 ,  高崎唯史

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67196 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/67276 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/67745 ,  H01L21/67781 ,  H01L21/68707 ,  H01L21/67011 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67155 ,  H01L21/67167

Abstract: 本发明涉及衬底处理装置及半导体器件的制造方法。能够提高具有多个处理室的处理装置的生产率。具有：腔室，对衬底进行处理；处理单元，具备多个腔室；真空搬送室，连接有多个处理单元；加载互锁室，与真空搬送室连接；装载端口，能够载置多个容纳有多片衬底的容纳容器；大气搬送室，设置于加载互锁室与装载端口之间，具有第一搬送机械装置；第二搬送机械装置，设置于真空搬送室，在加载互锁室与腔室之间搬送衬底；和控制部，控制第一搬送机械装置和第二搬送机械装置，以便将收纳于第X(X为自然数)个容纳容器的最后的衬底搬送至第m(m为自然数)个处理单元中处于无衬底状态的多个腔室中的一个腔室，将收纳于第X+1个容纳容器的多个衬底中最先搬送的衬底搬送至第m+1个处理单元中的多个所述腔室中的任一个。

公开(公告)号：CN105990086B

公开(公告)日：2018-05-22

申请号：CN201610109193.3

申请日：2016-02-26

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 大桥直史 ,  丰田一行 ,  松井俊

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67 ,  C23C16/455

CPC classification number: H01L21/68771 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/32541 ,  H01J37/32568 ,  H01L21/68764

Abstract: 衬底处理装置及半导体器件的制造方法，为了抑制形成在衬底上的膜的面内均匀性的降低而能够局部调整处理区域的等离子体分布。衬底处理装置，包括：衬底载置部，供衬底载置；分割构造体，在与衬底载置部相对的空间形成处理区域；气体供给部，向分割构造体所形成的处理区域供给处理气体；等离子体生成部，将气体供给部向处理区域供给的处理气体形成为等离子体状态并生成处理气体的活性种，并在形成等离子体状态时，按处理区域的部分而分别独立控制活性种的活性度。

公开(公告)号：CN106544647A

公开(公告)日：2017-03-29

申请号：CN201610804113.6

申请日：2016-09-06

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 油谷幸则 ,  松井俊

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/54 ,  C23C16/52

CPC classification number: C23C16/52 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/4411 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/4557 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/54 ,  C23C16/455

Abstract: 本发明提供一种衬底处理装置、以及半导体器件的制造方法，能够抑制流体供给装置内的流体的温度因处理室的状况而发生变动。衬底处理装置具有：处理室，其处理衬底；流体供给部，其向处理室供给规定温度的流体；流体供给管，其从流体供给部向处理室供给流体；第一流体排出管，其从处理室向流体供给部排出流体；第二流体排出管，其设置有热交换部，从流体供给管向流体供给部排出流体；流路切换部，其设置在流体供给管与第二流体排出管的连接部；以及控制部，其与流体供给部和流路切换部连接。

公开(公告)号：CN105990086A

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201610109193.3

申请日：2016-02-26

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 大桥直史 ,  丰田一行 ,  松井俊

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67 ,  C23C16/455

CPC classification number: H01L21/68771 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/32541 ,  H01J37/32568 ,  H01L21/68764 ,  C23C16/45525 ,  H01J37/32174 ,  H01L21/67017

Abstract: 衬底处理装置及半导体器件的制造方法，为了抑制形成在衬底上的膜的面内均匀性的降低而能够局部调整处理区域的等离子体分布。衬底处理装置，包括：衬底载置部，供衬底载置；分割构造体，在与衬底载置部相对的空间形成处理区域；气体供给部，向分割构造体所形成的处理区域供给处理气体；等离子体生成部，将气体供给部向处理区域供给的处理气体形成为等离子体状态并生成处理气体的活性种，并在形成等离子体状态时，按处理区域的部分而分别独立控制活性种的活性度。

公开(公告)号：CN105374704B

公开(公告)日：2018-07-20

申请号：CN201410504987.0

申请日：2014-09-26

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 丰田一行 ,  松井俊

IPC: H01L21/67

CPC classification number: H01L21/0262 ,  C23C16/345 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/507 ,  C23C16/52 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32697 ,  H01J37/32926 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/68792

Abstract: 本发明的课题在于使形成在衬底上的膜厚和膜的特性在衬底面内不同，并使生产能力提高。本发明涉及衬底处理装置及半导体器件的制造方法，衬底处理装置具有：收纳衬底的处理室；从衬底上方供给第一处理气体的第一处理气体供给部；从衬底上方供给第一反应气体的第一反应气体供给部；从衬底侧方供给第二处理气体的第二处理气体供给部；从衬底侧方供给第二反应气体的第二反应气体供给部；和控制部，其以如下方式控制：在处理气体供给工序和反应气体供给工序中的任一工序或者两个工序中，使向衬底中心侧供给的处理气体供给量与向衬底外周侧供给的处理气体供给量不同、或者使向衬底中心侧供给的反应气体供给量与向衬底外周侧供给的反应气体供给量不同。

公开(公告)号：CN106449408A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201610639151.0

申请日：2016-08-05

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 中山雅则 ,  菊池俊之 ,  须田敦彦 ,  丰田一行 ,  松井俊

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/304 ,  H01L21/66 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L22/20 ,  C23C16/0254 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45502 ,  C23C16/4586 ,  C23C16/507 ,  C23C16/52 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/68742 ,  H01L22/12 ,  H01L29/66795 ,  H01L21/02104 ,  H01L21/02123 ,  H01L21/02532

Abstract: 本发明提供一种半导体器件的制造方法，本发明的课题在于抑制半导体器件的特性产生偏差。该半导体器件的制造方法具有：对具有凸构造且形成有第一含硅层的衬底进行研磨的工序；取得研磨后的第一含硅层的面内的膜厚分布数据的工序；基于膜厚分布数据，决定使衬底的中心侧的膜厚和衬底的外周侧的膜厚之差减小的处理条件的工序；供给处理气体来形成第二含硅层，并且基于处理条件，以使衬底的中心侧的处理气体的活性种的浓度和衬底的外周侧的处理气体的活性种的浓度不同的方式使处理气体活化，来修正由第一含硅层和第二含硅层构成的层叠膜的膜厚的工序。

公开(公告)号：CN108754453A

公开(公告)日：2018-11-06

申请号：CN201810355413.X

申请日：2015-11-27

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 山本哲夫 ,  丰田一行 ,  松井俊

IPC: C23C16/34 ,  C23C16/455 ,  C23C16/505 ,  H01J37/32 ,  H01L21/02 ,  H01L21/205 ,  H05H1/46

CPC classification number: C23C16/455 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45538 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/505 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3211

Abstract: 本发明提供一种使用等离子体形成高品质的膜的衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质。在具有内置有用于载置衬底的衬底载置台的处理室、和使供给到处理室内的气体成为等离子体状态的等离子体生成部的衬底处理装置中，等离子体生成部具有以包围成为供给到处理室内的气体的流路的等离子体生成室的方式配置的等离子体产生导体，等离子体产生导体具有沿着等离子体生成室内的气体的主流方向延伸的多个主导体部、和将主导体部彼此电连接的连接导体部。

公开(公告)号：CN107240562A

公开(公告)日：2017-10-10

申请号：CN201610487644.7

申请日：2016-06-28

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 八幡橘 ,  高野智 ,  丰田一行 ,  松井俊

IPC: H01L21/67

Abstract: 一种伴随着衬底处理温度的高温化提高工艺的再现性和稳定性的衬底处理装置及半导体装置的制造方法。衬底处理装置具有：处理室，其用于处理衬底；第1加热部，其设置于载置衬底的衬底载置台，用于对处理室和衬底进行加热；移载室，其设置有用于将衬底移载至处理室的衬底载置台；分隔部，其用于将处理室和移载室分隔开；第2加热部，其设置在比移载室的分隔部靠下方侧的位置；处理气体供给部，其用于向处理室供给处理气体；第1清洁气体供给部，其用于向处理室供给清洁气体；第2清洁气体供给部，其用于向移载室供给清洁气体；控制部，其控制第1加热部、第2加热部、第1清洁气体供给部以及第2清洁气体供给部。

公开(公告)号：CN106024619A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201610061520.2

申请日：2016-01-28

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 大桥直史 ,  中山雅则 ,  须田敦彦 ,  丰田一行 ,  松井俊

IPC: H01L21/3105 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L22/20 ,  C23C16/45502 ,  C23C16/52 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76819 ,  H01L22/12 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/67011

Abstract: 本发明涉及半导体器件的制造方法及衬底处理装置。可抑制半导体器件的特性偏差。具有下述工序：对具有实施了研磨的第一绝缘膜的衬底的第一绝缘膜的膜厚分布数据进行接收的工序；基于膜厚分布数据，运算使衬底的中心侧的膜厚与外周侧的膜厚之差减小的处理数据的工序；将衬底搬入处理室的工序；向衬底供给处理气体的工序；和基于处理数据，以使生成于衬底的中心侧的处理气体的活性种的浓度与生成于衬底的外周侧的处理气体的活性种的浓度不同的方式使处理气体活化，从而修正第一绝缘膜的膜厚分布的工序。