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公开(公告)号：CN103649383B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201380001605.6
申请日：2013-01-22
Applicant: 信越石英株式会社
Inventor： 山形茂
CPC classification number: C30B15/10 , C03B19/095 , C03B2201/03 , C30B29/06 , C30B35/002 , Y02P40/57 , Y10T117/1032
Abstract: 本发明是一种单晶硅提拉用二氧化硅容器，具有直筒部、弯曲部及底部，其特征在于，前述二氧化硅容器的外侧是由含有气泡的不透明二氧化硅玻璃所构成，前述二氧化硅容器的内侧是由实质上不含气泡的透明二氧化硅玻璃所构成；于前述底部的内表面，形成厚度20μm以上且1000μm以下的二氧化硅玻璃层，所述二氧化硅玻璃层以超过300质量ppm且3000质量ppm以下的浓度含有OH基。由此，本发明提供一种低成本的单晶硅提拉用二氧化硅容器，可减低所提拉的单晶硅中的被称为孔隙或针孔的空洞缺陷。
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公开(公告)号：CN104903266A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201480004250.0
申请日：2014-12-25
Applicant: 信越石英株式会社
CPC classification number: C03C17/02 , C03C17/007 , C03C17/34 , C03C17/3411 , C03C2217/45 , C03C2217/475 , C03C2217/48 , G02B5/0247 , G02B5/0268 , G02B5/0294 , H01L31/055 , H01L33/501 , H01L33/505 , Y02E10/52 , Y10T428/259
Abstract: 本发明提供一种波长变换用石英玻璃构件及其制造方法，所述波长变换用石英玻璃构件环境耐受性、耐热性、耐久性及演色性高，可在低温工艺下制造，可高效地进行波长变换。所述波长变换用石英玻璃构件是石英玻璃基材与其表面形成石英玻璃表层膜而成的，所述石英玻璃表层膜通过将含有平均粒径为0.1μm～20μm的荧光体粒子、和球状疏水性且平均粒径为1nm～100nm的球状的二氧化硅微粒的含聚硅氮烷溶液涂布于所述石英玻璃基材的表面上后，在大气中干燥，之后在水蒸气气氛下进行加热处理而获得，所述含聚硅氮烷溶液中的荧光体粒子相对于聚硅氮烷及荧光体粒子的合计量之比为10：3～7质量份，所述石英玻璃表层膜的NH基团浓度为1000ppm以下。
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公开(公告)号：CN104395509A
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201480001704.9
申请日：2014-03-25
Applicant: 信越石英株式会社
Inventor： 山形茂
CPC classification number: C03B19/095 , C03B2201/03 , C03B2201/04 , C30B15/10 , C30B29/06 , C30B35/002 , Y10T117/1032
Abstract: 本发明是一种单晶硅提拉用二氧化硅容器，具有直筒部、弯曲部及底部，其容器外侧是由含有气泡的不透明二氧化硅玻璃所构成，容器内侧是由透明二氧化硅玻璃所构成，于至少前述直筒部的内侧表层部分，具有混合二氧化硅层，该混合二氧化硅层中，结晶质二氧化硅粉熔融相与非晶质二氧化硅粉熔融相呈粒状地夹杂。由此，提供一种单晶硅提拉用二氧化硅容器，其可抑制高温下的二氧化硅容器中的硅熔液的液面振动。
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公开(公告)号：CN102395535B
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201080016990.8
申请日：2010-03-24
Applicant: 信越石英株式会社
CPC classification number: C03B19/09 , C03B19/095 , C30B15/10 , C30B29/06 , C30B35/002 , Y02P40/57 , Y10T428/13 , Y10T428/131 , Y10T428/1317
Abstract: 本发明是一种二氧化硅容器的制造方法，包含以下各工序：作成基体的暂时成形体的工序，所述工序是一边使具有减压用孔的外模框旋转，一边导入第一原料粉(二氧化硅粒子)至外模框的内壁，而作成基体的暂时成形体；作成中间层的暂时成形体的工序，所述工序是将添加有铝化合物或结晶核剂来作为添加物而成的第二原料粉，导入至基体的暂时成形体的内壁，而作成中间层的暂时成形体；及形成内侧层的工序，所述工序是通过一边将基体与中间体的暂时成形体，从外周侧减压而脱气，一边从内侧进行加热，来形成基体与中间层，然后从形成有中间层的基体的内侧，一边喷撒二氧化硅纯度高的第三原料粉，一边从内侧进行加热而在中间层的内表面上形成内侧层。由此，提供一种二氧化硅容器的制造方法，所述制造方法是以廉价而比较低质量的二氧化硅粉末作为主原料，并且以投入能量较少、低成本的方式来制造高尺寸精确度、高耐久性、低放出气体性的二氧化硅容器，以及提供一种以此种方式而得到的二氧化硅容器。
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公开(公告)号：CN102301041B
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201080006326.5
申请日：2010-10-19
Applicant: 信越石英株式会社
CPC classification number: B65D13/02 , C03B19/095 , C03B2201/54 , C03C3/06 , C03C2201/54 , C30B15/10 , C30B29/06 , C30B35/002 , Y02P40/57
Abstract: 本发明是一种二氧化硅容器的制造方法，所述制造方法先制作Li、Na、K的合计浓度在50wt.ppm以下的基体形成用原料粉及含有Ca、Sr、Ba合计为50～2000wt.ppm的内层形成用粉，然后在模框内形成基体的暂时成形体，并在其内表面上形成内层的暂时成形体，而在以超过10vol.％的比率含有氢或氦或这些气体的混合气体的气体气氛中，通过放电加热熔融法来从基体和内层的暂时成形体的内侧进行加热，而将基体的暂时成形体的外周部分作成烧结体，并且将基体的暂时成形体的内周部分和内层的暂时成形体作成熔融玻璃体，由此来制造一种二氧化硅容器，所述二氧化硅容器具有：基体，其在外周部分含有气泡；及内层，其被形成在该基体的内表面上，并由透明二氧化硅玻璃所构成。由此，提供一种二氧化硅容器的制造方法及这样的二氧化硅容器，该二氧化硅容器的制造方法，能够以低成本来制造出具有高尺寸精确度及高耐热性的二氧化硅容器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103703171A
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201380002396.7
申请日：2013-03-18
Applicant: 信越石英株式会社
Inventor： 山形茂
CPC classification number: C30B15/10 , C03B11/02 , C03B11/10 , C03B19/095 , C30B29/06 , Y02P40/57 , Y10T117/1032
Abstract: 本发明是在内侧具有由透明二氧化硅玻璃构成的透明层，在外侧具有由含有气泡的不透明二氧化硅玻璃构成的不透明层的单晶硅提拉用二氧化硅容器，本发明是上述透明层位于上述二氧化硅容器的内表面侧，并由以200～2000massppm的浓度含有OH基的高OH基层和OH基浓度低于该高OH基层的低OH基层构成，且在上述高OH基层的内表面以25～1000μg/cm2的浓度涂布有Ba的单晶硅提拉用二氧化硅容器。由此，本发明提供一种二氧化硅容器，该二氧化硅容器在用于提拉单晶硅时，通过使该容器的由透明二氧化硅玻璃构成的内侧表面的整个面在该容器开始使用后的短时间内微晶化（玻璃陶瓷化），可大幅度提高该容器内侧表面的对于硅熔液的耐蚀刻性（耐腐蚀性）。
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公开(公告)号：CN102395535A
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN201080016990.8
申请日：2010-03-24
Applicant: 信越石英株式会社
CPC classification number: C03B19/09 , C03B19/095 , C30B15/10 , C30B29/06 , C30B35/002 , Y02P40/57 , Y10T428/13 , Y10T428/131 , Y10T428/1317
Abstract: 本发明是一种二氧化硅容器的制造方法，包含以下各工序：作成基体的暂时成形体的工序，所述工序是一边使具有减压用孔的外模框旋转，一边导入第一原料粉(二氧化硅粒子)至外模框的内壁，而作成基体的暂时成形体；作成中间层的暂时成形体的工序，所述工序是将添加有铝化合物或结晶核剂来作为添加物而成的第二原料粉，导入至基体的暂时成形体的内壁，而作成中间层的暂时成形体；及形成内侧层的工序，所述工序是通过一边将基体与中间体的暂时成形体，从外周侧减压而脱气，一边从内侧进行加热，来形成基体与中间层，然后从形成有中间层的基体的内侧，一边喷撒二氧化硅纯度高的第三原料粉，一边从内侧进行加热而在中间层的内表面上形成内侧层。由此，提供一种二氧化硅容器的制造方法，所述制造方法是以廉价而比较低质量的二氧化硅粉末作为主原料，并且以投入能量较少、低成本的方式来制造高尺寸精确度、高耐久性、低放出气体性的二氧化硅容器，以及提供一种以此种方式而得到的二氧化硅容器。
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公开(公告)号：CN101535542A
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200780041366.1
申请日：2007-11-07
Applicant: 信越石英株式会社
CPC classification number: H05K1/0366 , D02G3/04 , D02G3/18 , D03D1/0082 , D03D1/0088 , D03D15/00 , D03D15/0011 , D03D15/0016 , D03D15/0027 , D10B2101/06 , D10B2201/00 , D10B2321/02 , D10B2321/021 , D10B2321/022 , D10B2321/121 , H05K1/024 , H05K2201/0158 , H05K2201/0278 , H05K2201/029 , Y10T442/30 , Y10T442/313 , Y10T442/3138 , Y10T442/3976
Abstract: 本发明提供可以实现作为伴随半导体元件的高速高频化而出现的印刷电路板的问题点的低介电常数化及低介质损耗角正切化以及低线膨胀系数化的印刷电路板及可以很好地用作其基材的复合织物。该复合织物含有石英玻璃纤维和聚烯烃纤维，在该复合织物中所占的石英玻璃纤维的比例为10体积％以上、90体积％以下。优选所述石英玻璃纤维的单纤维直径为3μm以上、16μm以下，所述复合织物的厚度为200μm以下。
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公开(公告)号：CN100467222C
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200480004121.8
申请日：2004-02-11
Applicant: 赫罗伊斯石英玻璃股份有限两合公司 , 信越石英株式会社
IPC: B24B33/02
CPC classification number: B24B5/40 , B24B19/006 , B24B33/02
Abstract: 本发明的目的是提供一种抛光方法，用于在相对较短的时间内生产管形脆性材料，该材料有其最大粗糙度Rmax为0.1μm或更小和中心线平均粗糙度Ra为0.01μm或更小的高表面精度的内表面，和用所述抛光方法提供有高精度的管形脆性材料。按照本发明的抛光方法其特征在于使用搪磨机将管形材料的内表面预切割成管形，并进一步用有金刚石磨料附连在其上面的片材料进行抛光。同样要求权利的是应用所述抛光方法获得的管形脆性材料。
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公开(公告)号：CN101199040A
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：CN200680021691.7
申请日：2006-06-01
Applicant: 信越石英株式会社
IPC: H01L21/22 , H01L21/31 , H01L21/324
CPC classification number: H01L21/67303 , H01L21/67306
Abstract: 一种具有透明的切槽面的硅晶片热处理用石英玻璃夹具及其制造方法，该切槽面不会附着玻璃粉、金刚石刀等导致的过渡金属元素异物的颗粒，并且，即使在氟酸洗涤中尺寸变化也小，即使长时间使用也可高度维持清洁度，其中，上述颗粒是由以微小凹凸、微裂纹为基础的空隙的锐角凹凸的损坏引起的。硅晶圆热处理用石英玻璃夹具具备晶片载置用部件，该晶片载置用部件具有通过切削加工形成的切槽面，上述晶片载置用部件的切槽面整体为透明的，其表面粗糙度按中心线平均粗糙度(Ra)为0.03～0.3μm，按最大粗糙度(Rmax)为0.2～3.0μm，并且以5％的氟化氢水溶液处理24小时后，中心线平均粗糙度和最大粗糙度的变化率为50％以下；硅晶片热处理用石英玻璃夹具的制造方法是以粒度粗的金刚石刀对晶片载置用部件进行粗切削后，以比上述金刚石刀粒度细的金刚石刀进行再切削，接着对槽内部进行烧成。
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