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公开(公告)号：CN113823716B
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202111095129.1
申请日：2021-09-17
申请人： 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
摘要： 本发明提供了一种LED外延结构及其制备方法，其中所述LED外延结构从下至上依次包括：位于衬底上的底部缓冲层、腐蚀截止层、第一型半导体层、有源层以及第二型半导体层，其中，所述第一型半导体层从下至上依次包括第一型窗口层、第一型限制层以及第一型波导层，且所述第一型窗口层为Al组分渐变的结构层。本发明通过形成Al组分渐变的第一型窗口层可以提高LED的出光效率以及降低LED的工作电压。
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公开(公告)号：CN116314241A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310372461.0
申请日：2023-04-10
申请人： 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
IPC分类号： H01L27/15 , H01L33/08 , H01L33/06 , H01L33/10 , H01L33/12 , H01L33/36 , H01L33/46 , H01L33/00
摘要： 公开了一种微型发光二极管及其制造方法，微型发光二极管包括：衬底；缓冲结构，位于衬底上；外延层，位于缓冲结构上，外延层包括由下向上依次设置的第一发光结构、第一绝缘结构、第二发光结构、第二绝缘结构和第三发光结构；第一发光结构和第二发光结构通过第一绝缘结构隔离；第二发光结构和第三发光结构通过第二绝缘结构隔离；第一绝缘结构包括第一DBR反射层，第二绝缘结构包括第二DBR反射层；第一电极、第二电极、第三电极、第四电极、第五电极和第六电极，位于外延层上，分别将第一发光结构、第二发光结构和第三发光结构中的半导体层引出，第一电极至第六电极的表面齐平。
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公开(公告)号：CN115763654A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211403249.8
申请日：2022-11-10
申请人： 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
摘要： 公开了一种发光二极管的外延结构及其制备方法，发光二极管的外延结构包括：衬底；第一半导体层，位于所述衬底上，所述第一半导体层为第一掺杂类型；有源层，位于所述第一半导体层上；第二半导体层，位于所述有源层上，所述第二半导体层为与所述第一掺杂类型相反的第二掺杂类型；其中，所述有源层包括从下到上依次层叠的第一量子阱层、阻挡垒层以及第二量子阱层，所述第一量子阱层位于所述第一半导体层上。本发明提供的发光二极管的外延结构及其制备方法，在有源层中设置阻挡垒层，对空穴以及电子的运动进行阻挡，将电子和空穴主要限制在有源层，使得电子和空穴在有源层中复合发光，以保证发光二极管的亮度。
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公开(公告)号：CN115692561A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211399136.5
申请日：2022-11-09
申请人： 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
摘要： 本发明提供一种隧穿结及制备方法、多结红外LED外延结构及制备方法，隧穿结由下至上依次包括第一过渡层、隧穿结材料层和第二过渡层，所述第一过渡层和第二过渡层中均包含有Al组份，且所述第一过渡层和第二过渡层均掺杂有不同类型的掺杂剂，所述第一过渡层和第二过渡层均为掺杂浓度渐变层，且均为Al组份渐变层，可以有效改善所述隧穿结和所述多结红外LED外延结构中位于所述隧穿结上的LED结构的晶体质量，减小串联电阻，降低工作电压。
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公开(公告)号：CN115621372A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202110796299.6
申请日：2021-07-14
申请人： 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
IPC分类号： H01L33/00 , H01L21/268 , H01L21/683 , H01L21/687 , H01L21/67
摘要： 本发明提供了一种激光剥离LED外延衬底的设备及方法，在激光剥离时可采用盖板压紧LED晶圆，改善了LED晶圆的翘曲问题，使得LED晶圆被平整地固定在承载台上，避免激光扫描时LED晶圆上的某些位置的离焦问题，从而减少激光扫描过程中焦点调整的时间，提高了生产效率，并且可以避免激光扫描时晶圆翘曲位置应力实现时出现裂纹现象，提高了生产良率；由于盖板能够透射紫外光，不会影响紫外波段的激光光束透过。
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公开(公告)号：CN115483324A
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202211171078.0
申请日：2022-09-23
申请人： 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
摘要： 本发明提供了一种半导体发光元件及其制备方法，其中所述半导体发光元件从下至上依次包括：衬底、n型半导体层、第一n型中间层、第二n型中间层、量子阱层以及p型半导体层，所述第一n型中间层和第二n型中间层中掺杂Si，所述第二n型中间层中的Si与非故意掺杂C的浓度比小于第一n型中间层中的Si与非故意掺杂C的浓度比。本发明提供的半导体发光元件具有较高的发光效率以及光电转换效率。
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公开(公告)号：CN115360275A
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202211091655.5
申请日：2022-09-07
申请人： 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
摘要： 本发明提供了一种发光二极管及其制造方法，所述发光二极管包括自下向上的衬底、第一半导体层、量子阱层和第二半导体层，所述第一半导体层的掺杂类型为n型，所述第二半导体层包括堆叠的至少三层半导体层，最底层的所述半导体层与所述量子阱层之间以及相邻的所述半导体层之间均形成有非故意掺杂AlN层，且最底层和最顶层的所述半导体层的掺杂类型为p型，剩余的所述半导体层的掺杂类型为p型或者为非故意掺杂，所述非故意掺杂AlN层与所述量子阱层和所述半导体层的交界处均形成有二维空穴气。本发明的技术方案使得量子阱层中的电子和空穴浓度差异减小，进而使得发光二极管的光电转换效率得到明显提高。
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公开(公告)号：CN115360274A
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202210868217.9
申请日：2022-07-22
申请人： 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
IPC分类号： H01L33/06
摘要： 公开了一种发光二极管及其制备方法，发光二极管包括：衬底；位于所述衬底上的N型半导体层；位于所述N型半导体层上的多量子阱层；位于所述多量子阱层上的P型半导体层；与所述P型半导体层相连接的第一电极；以及与所述P型半导体层连接的第二电极；其中，所述N型半导体层和P型半导体层中的至少一层包括量子阱吸收层，所述量子阱吸收层为具有至少一个周期的量子阱结构，以吸收所述多量子阱层的辐射光中的部分份额。本发明实施例的发光二极管及其制备方法，通过在发光二极管的出光侧增设量子阱吸收层，在不需要使用额外滤波装置的情况下，通过发光二极管本身的外延结构对所述多量子阱层的辐射光进行过滤。
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公开(公告)号：CN113410348B
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202110661377.1
申请日：2021-06-15
申请人： 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司 , 杭州士兰明芯科技有限公司
摘要： 本发明提供了一种深紫外发光元件及其制备方法，其中所述深紫外发光元件从下至上依次包括：衬底、n型半导体层、量子阱层以及p型半导体层，其中所述量子阱层包括掺杂量子阱层和位于所述掺杂量子阱层上的非掺杂量子阱层。本发明通过设置双量子阱结构，提升发光效率和强度，且由于掺杂量子阱层和p型半导体层中间隔着非掺杂量子阱层，可以减少高温或长期使用条件下Mg和Si迁移导致的发光衰减现象，使得1000小时的发光衰减从30％降低到10％以内。
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公开(公告)号：CN114975724A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210626480.7
申请日：2022-06-02
申请人： 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司 , 杭州士兰明芯科技有限公司
摘要： 本发明提供了一种倒装发光二极管及其制备方法，利用ODR反射层的金属反射层和绝缘反射层与外延层构成MIS电容结构，令第二电极连接相对较高的电位，第三电极连接相对较低的电位，使得外延层中的发光层发光，同时，令第一电极连接相对较高的电位，令第三电极连接相对较低的电位，使得电子从外延层的第一半导体层向发光层聚集，空穴从外延层的第二半导体层向发光层中聚集，提高了空穴注入效率，增加发光层中的辐射复合效率，在不降低辐射复合发光的透射效率的同时提高了光电转化效率，且成本低；本发明仅对现有的倒装发光二极管稍加改进，不会显著增加结构和制备工艺的复杂程度。
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