公开(公告)号：CN109962064B

公开(公告)日：2024-02-09

申请号：CN201811267757.1

申请日：2018-10-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 千镇豪 ,  孙成旻 ,  全炯俊 ,  文光辰 ,  安振镐 ,  李镐珍 ,  藤崎纯史

IPC: H01L25/18 ,  H10B80/00 ,  H01L23/48 ,  H01L23/485 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60

Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，所述半导体装置包括：延伸穿过衬底的通孔电极结构；通孔电极结构上的再分布层；以及导电焊盘，该导电焊盘包括延伸穿过再分布层的贯穿部分以及贯穿部分上的突出部分，所述突出部分从再分布层的上表面突出，其中突出部分的上表面的中间区平坦，并且不比突出部分的上表面的边缘区更靠近衬底。

公开(公告)号：CN107768305B

公开(公告)日：2023-11-21

申请号：CN201710709806.1

申请日：2017-08-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李镐珍 ,  文光辰 ,  金石镐 ,  方硕哲 ,  安振镐 ,  李来寅

IPC: H01L21/768

公开(公告)号：CN113540013A

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN202011412819.0

申请日：2020-12-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴点龙 ,  宋乺智 ,  安振镐 ,  秦正起 ,  千镇豪 ,  崔朱逸

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/768 ,  H01L25/18

Abstract: 公开了一种半导体装置。所述半导体装置包括：过孔钝化层，设置在基底的非活性表面上并且包括凹部；贯穿电极，竖直穿透基底和过孔钝化层；以及过孔保护层，与过孔钝化层和贯穿电极共面并且填充所述凹部。所述凹部形成在过孔钝化层的顶表面中并且设置为与贯穿电极相邻。在水平剖视图中，过孔保护层具有围绕贯穿电极的带状。

公开(公告)号：CN112310002A

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN202010644781.3

申请日：2020-07-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 秦正起 ,  朴点龙 ,  安振镐 ,  郑泰和 ,  千镇豪 ,  崔朱逸 ,  藤崎纯史

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/498 ,  H01L23/528 ,  H01L23/535

Abstract: 一种半导体封装包括：包括芯片焊盘的半导体芯片；在半导体芯片上的下再分布结构，该下再分布结构包括下再分布绝缘层和电连接到半导体芯片的芯片焊盘的下再分布图案；在半导体芯片的至少一部分上的模制层；以及在模制层中的导电柱，该导电柱具有底表面和顶表面，该导电柱的底表面与下再分布结构的下再分布图案接触，并且该导电柱的顶表面具有凹入的形状。

公开(公告)号：CN107768305A

公开(公告)日：2018-03-06

申请号：CN201710709806.1

申请日：2017-08-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李镐珍 ,  文光辰 ,  金石镐 ,  方硕哲 ,  安振镐 ,  李来寅

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L27/1463 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L24/13 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14683 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13101 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76804 ,  H01L21/76816

Abstract: 一种半导体器件包括：具有彼此面对的第一表面和第二表面的半导体衬底；在半导体衬底的第一表面中形成的沟槽中的蚀刻停止图案；在半导体衬底的第一表面上的第一绝缘层；以及穿过半导体衬底和第一绝缘层的通孔。蚀刻停止图案包围通孔的侧表面的一部分。