公开(公告)号：CN120076351A

公开(公告)日：2025-05-30

申请号：CN202510273781.X

申请日：2021-06-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵哲珍 ,  林载顺 ,  崔在亨 ,  朴正敏

IPC: H10D1/68 ,  H10B12/00

Abstract: 公开了一种电容器和DRAM装置，电容器包括：下电极；介电层结构，位于下电极上，介电层结构包括顺序地堆叠的第一氧化锆层、氧化铪层和第二氧化锆层；以及上电极，位于介电层结构上，其中，氧化铪层具有四方晶相或正交晶相。

公开(公告)号：CN102005456B

公开(公告)日：2014-10-22

申请号：CN201010264991.6

申请日：2010-08-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 孙炳根 ,  金汉洙 ,  安永洙 ,  金敏求 ,  金镇瑚 ,  崔在亨 ,  崔锡宪 ,  沈载株 ,  赵源锡 ,  沈善一 ,  林周永

IPC: H01L27/105 ,  H01L23/00 ,  H01L23/485

CPC classification number: H01L27/11575 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11582 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种半导体存储器件，包括：实质上平面状的衬底；相对于衬底垂直的存储串，该存储串包括多个存储单元；以及多条伸长的字线，每条字线包括实质上平行于衬底且连接至存储串的第一部分、以及相对于衬底实质上倾斜并且在衬底上延伸的第二部分；其中，多条字线中的第一组与放置在存储串的第一侧的第一导线电连接，多条字线中的第二组与放置在存储串的第二侧的第二导线电连接。

公开(公告)号：CN102082079A

公开(公告)日：2011-06-01

申请号：CN201010537446.X

申请日：2005-04-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔在亨 ,  郑正喜 ,  金晟泰 ,  柳次英 ,  金基哲 ,  吴世勋 ,  崔正植

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/31 ,  H01L29/92

CPC classification number: H01L21/31122

Abstract: 本发明公开了形成电容器及其介质层的方法及其形成的电容器。本发明的一种方法在金属-绝缘体-金属(MIM)型电容器的金属氮化物下电极上形成金属氮氧化物籽晶介质层。金属氮氧化物籽晶介质层充当阻挡层以减少在例如，用于在包括MIM型电容器的集成电路中形成金属化上层的后处理期间与金属氮化物下电极的反应。包含在金属氮氧化物籽晶介质层中的氮能够减少发生在常规型MIM电容器中的反应的类型。金属氧化物主介质层形成在金属氮氧化物籽晶介质层上并保持与MIM型电容器中的金属氮氧化物籽晶介质层独立。稳定(例如，使用热处理或等离子处理)金属氧化物主介质层以消除其中的缺陷(例如碳)并调整金属氧化物主介质层的化学计量。

公开(公告)号：CN102034928A

公开(公告)日：2011-04-27

申请号：CN201010505747.4

申请日：2010-09-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林炫锡 ,  姜信在 ,  林泰洙 ,  李钟喆 ,  崔在亨

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24

Abstract: 一种相变存储器器件，包括：下电极、电连接到所述下电极的相变材料图案以及电连接到所述相变材料图案的上电极。所述下电极可以包括：第一结构，所述第一结构包括金属半导体化合物；在所述第一结构上的第二结构，所述第二结构包括金属氮化物材料，并且包括具有比上部更大的宽度的下部；以及第三结构，所述第三结构包括含元素X的金属氮化物材料，所述第三结构位于所述第二结构上，所述元素X包括选自硅、硼、铝、氧和碳的组中的至少一个。

公开(公告)号：CN101800220A

公开(公告)日：2010-08-11

申请号：CN201010002113.7

申请日：2010-01-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金润洙 ,  崔在亨 ,  曹圭镐 ,  金完敦 ,  林载顺 ,  姜相列

IPC: H01L27/00 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L28/56 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/31683 ,  H01L21/318 ,  H01L27/1085 ,  H01L28/40 ,  H01L28/75

Abstract: 一种具有改进电性能的电介质层的半导体器件及其相关方法，该半导体器件包括：下金属层、电介质层和上金属层，依次设置在半导体基板上；以及插入层，设置在电介质层与下金属层和上金属层中至少之一之间，其中电介质层包括金属氧化物膜，插入层包括金属材料膜。

公开(公告)号：CN115955910A

公开(公告)日：2023-04-11

申请号：CN202211209632.X

申请日：2022-09-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全寅铎 ,  林汉镇 ,  丁炯硕 ,  崔在亨

IPC: H10N97/00 ,  H10B12/00

Abstract: 提供了一种集成电路装置。所述集成电路装置包括：下电极，设置在基底上；绝缘支撑图案，支撑下电极；介电膜，围绕下电极和绝缘支撑图案；高k界面层，布置在下电极与介电膜之间以及绝缘支撑图案与介电膜之间，其中，高k界面层接触绝缘支撑图案且包括氧化锆层；以及上电极，与下电极相邻地设置，其中，高k界面层和介电膜设置在上电极与下电极之间。

公开(公告)号：CN114725282A

公开(公告)日：2022-07-08

申请号：CN202111137923.8

申请日：2021-09-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 南甲镇 ,  李荣彬 ,  赵哲珍 ,  崔在亨

IPC: H01L49/02 ,  H01L21/8242

Abstract: 提供了制造电容器的方法和制造包括电容器的半导体器件的方法。所述制造电容器的方法可以包括：形成第一电极；在所述第一电极上形成介电层；在所述介电层上形成第二电极；以及在所述第一电极与所述第二电极之间施加在所述电容器的工作期间施加的工作电压范围之外的电压或者在所述电容器的工作期间施加的工作电流范围之外的电流。