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公开(公告)号：CN108573969B
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN201810189472.4
申请日：2018-03-08
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种集成电路器件包括至少一个鳍型有源区、在至少一个鳍型有源区上的栅线以及在栅线的至少一侧的至少一个鳍型有源区上的源极/漏极区。第一导电插塞连接到源极/漏极区并且包括钴。第二导电插塞连接到栅线并与第一导电插塞间隔开。第三导电插塞连接到第一导电插塞和第二导电插塞的每个。第三导电插塞电连接第一导电插塞和第二导电插塞。
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公开(公告)号：CN106531719B
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201610825719.8
申请日：2016-09-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/538
Abstract: 提供一种半导体装置，所述半导体装置包括：有源鳍，在基底上从隔离图案部分地突出；栅极结构，在有源鳍上；源/漏层，在与栅极结构相邻的有源鳍的一部分上；金属硅化物图案，在源/漏层上；以及塞，在金属硅化物图案上。塞包括：第二金属图案；金属氮化物图案，接触金属硅化物图案的上表面，并覆盖第二金属图案的底部和侧壁；以及第一金属图案，在金属硅化物图案上，第一金属图案覆盖金属氮化物图案的外侧壁。第一金属图案的氮浓度根据距金属氮化物图案的外侧壁的距离而逐渐减小。
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公开(公告)号：CN106898545B
公开(公告)日：2020-02-18
申请号：CN201710130527.X
申请日：2013-05-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/265 , H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/768 , H01L23/485 , H01L27/092 , H01L29/08 , H01L29/16 , H01L29/161 , H01L29/165 , H01L29/66 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：第一层间绝缘膜，包括孔，位于基底上；栅极，形成在孔中；抬升源极/漏极区域，形成在栅极的两侧上；开口，位于第一层间绝缘膜中并暴露抬升源极/漏极区域的表面；金属硅化物，形成在开口中；其中，金属硅化物包括远离抬升源极/漏极区域的表面的硅化物下轮廓，硅化物下轮廓具有弯曲的剖面，其中，金属硅化物包括具有底部和侧壁的上凹进，其中，上凹进的底部与硅化物下轮廓的底部分开的距离大于上凹进的侧壁与硅化物下轮廓的侧壁分开的距离，其中，上凹进的侧壁与开口的侧壁共面，其中，半导体装置的集成密度是20nm或更小。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109427875A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201810962227.2
申请日：2018-08-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/423
Abstract: 栅极环绕场效应晶体管器件可包括多个纳米结构，所述纳米结构在衬底上方在场效应晶体管器件的沟道区中彼此间隔开。栅极电极可位于具有所述多个纳米结构的栅极环绕构造中且半导体图案可位于栅极电极的一侧上。半导体图案中的接触沟槽中的接触件与硅化物膜可在所述接触沟槽的侧壁上共形地延伸到沟道区中比所述多个纳米结构中最上纳米结构低的水平高度。
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公开(公告)号：CN109390337B
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN201810254456.9
申请日：2018-03-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088
Abstract: 一种集成电路装置包括衬底、栅极结构、间隔件结构、源极/漏极区及第一接触件结构。所述衬底包括鳍型有源区。所述栅极结构与衬底上的鳍型有源区交叉，且具有两侧及两个侧壁。所述间隔件结构设置在栅极结构的两个侧壁上，且包括第一间隔件层及第二间隔件层，第一间隔件层与栅极结构的两个侧壁的至少一部分接触，第二间隔件层设置在第一间隔件层上且具有比第一间隔件层的介电常数低的介电常数。所述源极/漏极区设置在栅极结构的两侧。所述第一接触件结构电连接到源极/漏极区且包括设置在源极/漏极区上的第一接触塞以及设置在第一接触塞上的第一金属顶盖层。
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公开(公告)号：CN109390337A
公开(公告)日：2019-02-26
申请号：CN201810254456.9
申请日：2018-03-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088
Abstract: 一种集成电路装置包括衬底、栅极结构、间隔件结构、源极/漏极区及第一接触件结构。所述衬底包括鳍型有源区。所述栅极结构与衬底上的鳍型有源区交叉，且具有两侧及两个侧壁。所述间隔件结构设置在栅极结构的两个侧壁上，且包括第一间隔件层及第二间隔件层，第一间隔件层与栅极结构的两个侧壁的至少一部分接触，第二间隔件层设置在第一间隔件层上且具有比第一间隔件层的介电常数低的介电常数。所述源极/漏极区设置在栅极结构的两侧。所述第一接触件结构电连接到源极/漏极区且包括设置在源极/漏极区上的第一接触塞以及设置在第一接触塞上的第一金属顶盖层。
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公开(公告)号：CN108573969A
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201810189472.4
申请日：2018-03-08
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种集成电路器件包括至少一个鳍型有源区、在至少一个鳍型有源区上的栅线以及在栅线的至少一侧的至少一个鳍型有源区上的源极/漏极区。第一导电插塞连接到源极/漏极区并且包括钴。第二导电插塞连接到栅线并与第一导电插塞间隔开。第三导电插塞连接到第一导电插塞和第二导电插塞的每个。第三导电插塞电连接第一导电插塞和第二导电插塞。
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公开(公告)号：CN106981487A
公开(公告)日：2017-07-25
申请号：CN201610884201.1
申请日：2016-10-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
CPC classification number: H01L23/535 , H01L21/28518 , H01L21/76843 , H01L21/76855 , H01L21/76856 , H01L21/76862 , H01L21/76864 , H01L21/76868 , H01L21/76876 , H01L23/485 , H01L23/53209 , H01L27/0886 , H01L29/0649 , H01L29/41791 , H01L29/785 , H01L27/0924 , H01L21/823821 , H01L21/823871
Abstract: 本发明可以提供一种集成电路器件，该集成电路器件包括：基板，具有至少一个鳍形有源区，该至少一个鳍形有源区在第一方向上延伸；栅线，在第二方向上在该至少一个鳍形有源区上延伸，第二方向与第一方向交叉；导电区域，在该至少一个鳍形有源区的在栅线的一侧的一部分上；以及接触插塞，在第三方向上从导电区域延伸，第三方向垂直于基板的主平面。接触插塞可以包括金属插塞、在导电区域上的导电的阻挡膜以及在导电区域和导电的阻挡膜之间的金属硅化物膜，该导电的阻挡膜围绕金属插塞的侧壁和底表面，该导电的阻挡膜包括富N的金属氮化物膜。
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