公开(公告)号：CN108335709A

公开(公告)日：2018-07-27

申请号：CN201810046976.0

申请日：2018-01-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金斗铉

IPC: G11C7/12

CPC classification number: G11C16/14 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/08 ,  G11C16/10 ,  G11C16/24 ,  G11C16/32 ,  G11C16/3459 ,  G11C7/12

Abstract: 提供一种操作包括连接至多条线的存储器单元阵列的非易失性存储器装置的方法。所述方法可以包括：通过将第一电压施加一段时间来对所述多条线中的第一线执行第一循环，第一循环包括具有第一操作时间段的第一恢复区段，其中，按照第一斜率对第一电压放电；在第一循环之后，通过将第二电压施加一段时间来对第一线执行第二循环，第二循环包括具有第二操作时间段的第二恢复区段，第二操作时间段不同于第一操作时间段，其中，按照比第一斜率小的第二斜率对第二电压放电。

公开(公告)号：CN106328199A

公开(公告)日：2017-01-11

申请号：CN201610518434.X

申请日：2016-07-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 南尚完 ,  金斗铉 ,  边大锡 ,  尹治元

IPC: G11C16/02 ,  G11C16/10

Abstract: 存储设备提供如下。存储单元区包括多个块，每个块包括多个NAND串。控制逻辑基于相对于存储单元区的第一边缘的第一距离和相对于存储单元区的第二边缘的第二距离中较小的距离将所述多个块划分成多个块区，并且使用用于操作的操作参数的多个偏置集来控制对存储单元区执行的操作。每个偏置集与块区之一相关联。

公开(公告)号：CN117641915A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202311087691.9

申请日：2023-08-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金承允 ,  金斗铉 ,  金贤珠 ,  金希锡 ,  朴芮珍 ,  沈载煌 ,  安钟善

IPC: H10B41/27 ,  H10B41/35 ,  H10B43/27 ,  H10B43/35

Abstract: 一种半导体装置，包括：衬底上的下电路图案；下电路图案上的共源极板(CSP)；栅电极结构，其包括在CSP上沿基本上垂直于衬底的上表面的第一方向彼此间隔开的栅电极，栅电极中的每一个在基本上平行于衬底的上表面的第二方向上延伸；第一绝缘图案结构，其位于CSP的在第二方向上与栅电极结构相邻的部分上；第一划分图案，其在CSP上沿第三方向延伸，第三方向基本上平行于衬底的上表面并且与第二方向交叉，第一划分图案延伸穿过栅电极结构的与第一绝缘图案结构相邻的部分并且在第二方向上分离栅电极结构。

公开(公告)号：CN108335709B

公开(公告)日：2023-07-18

申请号：CN201810046976.0

申请日：2018-01-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金斗铉

IPC: G11C7/12

Abstract: 提供一种操作包括连接至多条线的存储器单元阵列的非易失性存储器装置的方法。所述方法可以包括：通过将第一电压施加一段时间来对所述多条线中的第一线执行第一循环，第一循环包括具有第一操作时间段的第一恢复区段，其中，按照第一斜率对第一电压放电；在第一循环之后，通过将第二电压施加一段时间来对第一线执行第二循环，第二循环包括具有第二操作时间段的第二恢复区段，第二操作时间段不同于第一操作时间段，其中，按照比第一斜率小的第二斜率对第二电压放电。

公开(公告)号：CN115775584A

公开(公告)日：2023-03-10

申请号：CN202210885650.3

申请日：2022-07-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金珉奭 ,  朴准镛 ,  金斗铉 ,  朴一汉

IPC: G11C16/34

Abstract: 提供了降低非易失性存储装置的可靠性劣化的方法、非易失性存储装置以及测试非易失性存储装置的方法。在降低非易失性存储装置的可靠性劣化的方法中，提供具有初始阈值电压分布的初始数据被存储在与所述多条字线连接的所述多个存储单元中的所述非易失性存储装置。在执行导致可靠性劣化的第一工艺之前，执行第一写入操作使得具有第一阈值电压分布的第一数据存储到与第一字线连接的存储单元中。所述第一字线具有小于参考值的可靠性劣化程度。在执行所述第一工艺之前，执行第二写入操作使得具有第二阈值电压分布的第二数据存储到与第二字线连接的存储单元中。所述第二字线具有大于或等于所述参考值的可靠性劣化程度。

公开(公告)号：CN202353619U

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN201120401019.9

申请日：2011-10-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金斗铉 ,  李秉俊

IPC: H04M1/02

CPC classification number: H04M1/0262 ,  H01M2/1016 ,  H01M2/1022 ,  H01M2/1066

Abstract: 本实用新型公开一种盖结合装置及具备利用该装置的盖结合结构的便携式终端。便携式终端包括：电池安装部，形成于所述便携式终端的外壳后面；结合槽，分别形成于所述电池安装部的两侧边缘；结合肋，形成于所述电池盖的一面，以用于在所述电池盖结合到所述电池安装部时咬合于所述结合槽，所述结合肋分别从所述电池盖的两侧延伸而形成，且形成于所述电池盖的一侧的所述结合肋与形成于所述电池盖的另一侧的所述结合肋相互面对，从所述结合肋的内侧面突出的第一卡扣和从所述结合肋的外侧面突出的第二卡扣卡接于所述外壳。据此，分别形成于结合肋的内外侧面的多个卡扣使电池盖稳定地维持结合于终端的状态，且结合到终端或从终端分离的操作变得容易。