公开(公告)号：CN1996637B

公开(公告)日：2010-11-24

申请号：CN200710001861.1

申请日：2007-01-02

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 姜泰旻 ,  安泽 ,  徐旼彻

IPC: H01L51/05 ,  H01L27/32

Abstract: 本发明涉及一种在电极布线层的顶部具有形成图案的有机半导体层的有机薄膜晶体管(OTFT)。为了避免对下方电极布线层的损伤，对有机半导体层形成图案使得在电极布线层上的有机半导体层不被移除。形成图案的有机半导体层完全覆盖所有的下方的电极布线层。该OTFT包括栅电极、与栅电极绝缘的源和漏电极，以及与栅电极绝缘并连接到源和漏电极的有机半导体层，其中有机半导体层完全覆盖源和漏电极。此外，还涉及一种有机发光显示装置，包括不止一个OTFT，以及电连接到电导体的有机发光元件。

公开(公告)号：CN101714569A

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：CN200910224556.8

申请日：2006-09-22

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 安泽 ,  徐旼彻 ,  朴镇成

IPC: H01L27/28 ,  H01L27/32 ,  H01L51/05 ,  H01L51/56

CPC classification number: H01L27/283 ,  H01L27/3274 ,  H01L51/0017 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/0558

Abstract: 提供了一种当形成有机半导体层的图案时可以防止对源极和漏极造成损伤的有机薄膜晶体管、以及制造具有该有机薄膜晶体管的有机发光显示器件的方法。该有机薄膜晶体管包括：源极和漏极；有机半导体层，它接触源极和漏极并且除源极与漏极之间的沟道区以外具有灰化表面；与源极、漏极和有机半导体层绝缘的栅极；以及使栅极与源极、漏极和有机半导体层绝缘的栅极绝缘薄膜。

公开(公告)号：CN100573955C

公开(公告)日：2009-12-23

申请号：CN200510137344.8

申请日：2005-11-15

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 徐旼彻 ,  具在本 ,  安泽

IPC: H01L51/05

CPC classification number: H01L27/283 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0021 ,  H01L51/0096 ,  H01L51/0516 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种具有一致特性的有机TFT和具有该有机TFT的平板显示器，其中有机TFT包括采用旋涂工艺形成的有机半导体层。该有机TFT的一个实施例包括：衬底，设置在衬底上的栅电极，覆盖该栅电极的栅极绝缘膜，设置在栅极绝缘膜上的有机半导体层，以及与有机半导体层接触的源电极和漏电极，其中多个突起部件形成于栅极绝缘膜上，且突起部件从源电极延伸向漏电极。

公开(公告)号：CN100573954C

公开(公告)日：2009-12-23

申请号：CN200510103803.0

申请日：2005-08-05

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 具在本 ,  徐旼彻

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/40 ,  H01L51/30 ,  H01L27/28

CPC classification number: H01L21/02118 ,  H01L21/31691 ,  H01L51/0021 ,  H01L51/0034 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0037 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0053 ,  H01L51/0097 ,  H01L51/0516 ,  H01L51/0545

Abstract: 一种具有粘接层的有机薄膜晶体管(OTFT)和其制造方法。OTFT包括形成在衬底上的栅极、形成在栅极上和衬底的剩余暴露部分上的栅绝缘层、形成在栅绝缘层上的粘接层、形成在粘接层上的源/漏极、和形成在源/漏极和粘接层上的半导体层。栅绝缘层和半导体层是有机的，粘接层提供源/漏极和栅绝缘膜之间的粘接、防止栅漏电流、还提高接触电阻。

公开(公告)号：CN1725522B

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN200510092218.5

申请日：2005-05-24

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 具在本 ,  徐旼彻 ,  牟然坤

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/40

CPC classification number: H01L51/0545 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/1368 ,  H01L51/0004 ,  H01L51/0037 ,  H01L51/0038 ,  H01L51/0039 ,  H01L51/0062 ,  H01L51/0078 ,  H01L51/0081

Abstract: 一种薄膜晶体管和采用该薄膜晶体管的平板显示器，包括栅极，源极和漏极，有机半导体层和栅极绝缘层。第一电容是位于有机半导体层、电极和栅极绝缘层彼此接触的第一点的电容，第二电容是位于有机半导体层与栅极绝缘层相接触的第二点的电容，第三电容是位于电极与栅极绝缘层相接触的第三点的电容，第四电容是一位于有机半导体层与电极相接触的第四点的电容。第一电容比第二电容、第三电容和第四电容中的一个大。

公开(公告)号：CN102208433A

公开(公告)日：2011-10-05

申请号：CN201110082986.8

申请日：2011-03-31

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 朴镇佑 ,  郑明钟 ,  姜泰旻 ,  徐旼彻 ,  表相佑 ,  金范俊 ,  金孝妍

IPC: H01L27/32 ,  H01L51/50 ,  H01L51/52

CPC classification number: H01L51/5096 ,  H01L27/3211 ,  H01L51/5036

Abstract: 本发明公开了一种有机发光显示设备。有机发光显示设备包括：第一子像素、第二子像素和第三子像素，显示不同的颜色；基底；第一电极，设置在基底上；第二电极，设置在第一电极上，面向第一电极；有机发射层，设置在第一电极和第二电极之间，包括第一有机发射层、第二有机发射层和第三有机发射层；电子受体层，设置在第一电极和第二电极之间，被构造为接触有机发射层，其中，第一有机发射层设置在第一子像素中，第二有机发射层设置在第二子像素中，第三有机发射层共同设置在第一子像素、第二子像素和第三子像素中；电子受体层在第一子像素中设置在第一有机发射层和第三有机发射层之间，并在第二子像素中设置在第二有机发射层和第三有机发射层之间。

公开(公告)号：CN1694280B

公开(公告)日：2011-08-10

申请号：CN200510054705.2

申请日：2005-03-14

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 徐旼彻 ,  杨南喆 ,  金慧东

IPC: H01L51/20 ,  H01L51/30

CPC classification number: H01L51/105 ,  H01L51/0051 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0529 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/0583

Abstract: 一种有机薄膜晶体管(TFT)，其包括：有机半导体膜；与该有机半导体膜电接通的源极和漏极；与源极和漏极以及有机半导体膜电绝缘的栅电极；和插入源极和漏极与有机半导体膜之间的有机受体膜。

公开(公告)号：CN101165938B

公开(公告)日：2010-12-01

申请号：CN200610160585.9

申请日：2006-10-19

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 朴镇成 ,  安泽 ,  徐旼彻

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H01L27/32

Abstract: 本发明涉及有机薄膜晶体管(TFT)、其制造方法以及包括该有机薄膜晶体管的平板显示器，更具体而言，涉及这样一种有机TFT，其包括：栅极；与栅极绝缘的源极和漏极；与栅极绝缘并与源极和漏极电连接的有机半导体层；使栅极与源极、漏极以及有机半导体层绝缘的绝缘层；以及设置于绝缘层和有机半导体层之间的自组装单层(SAM)。形成SAM的化合物具有至少一个选自未取代或取代的C6-C30芳基和未取代或取代的C2-C30杂芳基的端基。有机TFT是通过形成上面描述的各层并且在形成有机半导体层、源极和漏极之前在绝缘层上形成SAM来形成的。因此，有机半导体层与绝缘层之间的粘附力增加，并且因热所引起的有机半导体材料的相分离可被防止，从而获得可靠性改善的平板显示器件。

公开(公告)号：CN1855484B

公开(公告)日：2010-10-06

申请号：CN200610073779.5

申请日：2006-03-30

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 徐旼彻 ,  李宪贞 ,  牟然坤 ,  具在本

IPC: H01L27/00 ,  G02F1/133

CPC classification number: H01L27/3248 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/136295 ,  G02F2201/50 ,  H01L27/3246 ,  H01L27/3262 ,  H01L27/3276 ,  H01L51/0004 ,  H01L51/0037 ,  H01L51/0038 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0059 ,  H01L51/0062 ,  H01L51/0078 ,  H01L51/0081 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545

Abstract: 平板显示器及其制造方法公开了能够避免像素电路电短路的平板显示器，以及制造该平板显示器的方法。在一个实施例中，平板显示器包括具有孔的绝缘膜、具有通过绝缘膜的孔外露部分的像素电极、在绝缘膜上形成的导体以及覆盖导体的加盖层。根据本发明的实施例，导体由传导胶形成并且导体胶的粗糙表面通过在导体上形成的加盖层钝化，因此能避免在导体和相对像素电极之间的短路。

公开(公告)号：CN1728404B

公开(公告)日：2010-07-21

申请号：CN200510098062.1

申请日：2005-07-21

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 徐旼彻 ,  具在本 ,  金慧东

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/00

CPC classification number: H01L27/1222 ,  B82Y10/00 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/78681 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供一种改进的薄膜晶体管(TFT)，该薄膜晶体管能在室温下形成且有源层和源电极及漏电极之间的接触电阻得到改善，且还提供一种利用该TFT的平板显示器件。该TFT包括：有源层，该有源层包括至少两层纳米粒子层，所述纳米粒子层包括至少一种纳米粒子类型；插在纳米粒子层之间的绝缘层；与有源层绝缘的栅电极；以及在各自的沟道中形成的源电极及漏电极，源电极及漏电极接触有源层的纳米粒子层之一。该TFT的结构使多个不同类型的TFT的同时生产变得容易。