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公开(公告)号：CN101548365A
公开(公告)日：2009-09-30
申请号：CN200880000850.4
申请日：2008-01-30
申请人： 三菱重工业株式会社
IPC分类号： H01L21/205 , H01L31/04
CPC分类号： H01L31/182 , C23C16/24 , C23C16/4557 , C23C16/509 , H01J37/32091 , H01J37/32724 , H01J2237/2001 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L31/075 , H01L31/076 , H01L31/1824 , H01L31/202 , Y02E10/546 , Y02P70/521
摘要： 本发明提供一种真空处理方法以及真空处理装置，该真空处理方法即使在增加制膜速度的情况下，SiH2/SiH比也不会增高，并能够通过防止膜质的恶化来获得较高的生产率。在该真空处理方法中，使设置于负压环境下的制膜室(6)内的基板(8)处于由均热板(加热机构)(5)加热了的状态，向与上述基板(8)对置配置的放电电极(3)供电，由此，向基板(8)实施制膜，其中，以将基板(8)和放电电极(3)的温度差设为在30℃以下的状态而制膜。进而，也可以将基板(8)和放电电极(3)之间设为7.5mm以下而制膜。
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公开(公告)号：CN107533000A
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201680019938.5
申请日：2016-03-29
申请人： 日本电信电话株式会社 , 三菱重工业株式会社
IPC分类号： G01N21/3504 , G01N21/03 , G01N21/39 , G01N21/61
摘要： 本发明提供一种N2O分析装置，具备：光源(11)，对包含N2O、H2O和CO2的废气(5)照射激光；光接收器(13)，接收对废气(5)照射的上述激光；控制装置(14)的光源控制部(14a)，将光源(11)所照射的上述激光的波长控制为3.84μm～4.00μm；以及控制装置(14)的信号分析部(14b)，使用光接收器(13)所接收的上述激光和控制装置(14)的光源控制部(14a)所控制的上述激光，利用红外分光法演算N2O浓度。
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公开(公告)号：CN102105993B
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN200980129037.1
申请日：2009-10-02
申请人： 三菱重工业株式会社
IPC分类号： H01L31/04
CPC分类号： H01L31/1804 , H01L31/03921 , H01L31/077 , H01L31/182 , H01L31/1824 , H01L31/202 , Y02E10/545 , Y02E10/546 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 本发明提供一种尽可能防止电流经由中间接触层分离槽从中间接触层泄漏的光电转换装置的制造方法。该方法包括：制膜以非结晶硅为主成分的顶层(91)的工序；在顶层(91)上制膜对该顶层进行电连接及光学连接的中间接触层(93)的工序；照射脉冲激光，除去中间接触层(93)，并形成直至顶层(91)的中间接触层分离槽(14)而分离中间接触层(93)的工序；在中间接触层(93)上及中间接触层分离槽(14)内制膜对其进行电连接及光学连接且以微结晶硅为主成分的底层(92)的工序。作为分离中间接触层(93)的脉冲激光器，使用脉冲宽度为10ps以上750ps以下的脉冲激光器。
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公开(公告)号：CN102473757A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201080034145.3
申请日：2010-05-07
申请人： 三菱重工业株式会社
IPC分类号： H01L31/04 , C23C16/24 , H01L21/205
CPC分类号： C23C16/24 , C23C16/4402 , H01L31/022466 , H01L31/0236 , H01L31/02363 , H01L31/028 , H01L31/03685 , H01L31/03762 , H01L31/075 , H01L31/076 , H01L31/1804 , H01L31/1824 , H01L31/202 , Y02E10/545 , Y02E10/547 , Y02E10/548 , Y02P70/521
摘要： 得到一种在光电转换层具备结晶硅i层的高效率的光电转换装置。一种光电转换装置(100)的制造方法，包括形成光电转换层(3)的工序，该光电转换层(3)在基板(1)上具备以结晶硅为主的i层(42)，其中，根据所述i层(42)的拉曼比决定所述i层(42)中的杂质的浓度的上限值，制成该决定的杂质的浓度的上限值以下的所述i层(42)。或者，根据所述i层(42)的拉曼比来决定成膜气氛中的杂质气体的浓度的上限值，以成为该决定的上限值以下的方式控制所述杂质气体的浓度来制成所述i层(42)。
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公开(公告)号：CN107533000B
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：CN201680019938.5
申请日：2016-03-29
申请人： 日本电信电话株式会社 , 三菱重工业株式会社
IPC分类号： G01N21/3504 , G01N21/03 , G01N21/39 , G01N21/61
摘要： 本发明提供一种N2O分析装置，具备：光源(11)，对包含N2O、H2O和CO2的废气(5)照射激光；光接收器(13)，接收对废气(5)照射的上述激光；控制装置(14)的光源控制部(14a)，将光源(11)所照射的上述激光的波长控制为3.84μm～4.00μm；以及控制装置(14)的信号分析部(14b)，使用光接收器(13)所接收的上述激光和控制装置(14)的光源控制部(14a)所控制的上述激光，利用红外分光法演算N2O浓度。
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公开(公告)号：CN107430068A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201680020110.1
申请日：2016-03-29
申请人： 日本电信电话株式会社 , 三菱重工业株式会社
IPC分类号： G01N21/3504
摘要： 本发明提供可以不进行前处理而准确且迅速地测量废气中的SO3浓度的SO3分析装置及分析方法。所述SO3分析装置具备：光源(11)，对包含SO3、CO2和H2O的废气(1)照射激光(2)；光接收器(13)，接收对废气(1)照射的上述激光(2)；控制装置(14)的光源控制部(14a)，将光源(11)所照射的上述激光(2)的波长控制为4.060μm～4.182μm；以及控制装置(14)的浓度演算部(14b)，基于来自光接收器(13)的输出和来自光源控制部(14a)的参照信号，利用红外分光法演算SO3浓度。
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公开(公告)号：CN102959719A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201180030522.0
申请日：2011-05-17
申请人： 三菱重工业株式会社
IPC分类号： H01L31/04
CPC分类号： H01L31/076 , H01L31/1804 , H01L31/186 , H01L31/208 , Y02E10/547 , Y02E10/548 , Y02P70/521
摘要： 本发明提供一种能够通过简单的处理工序提高光电转换装置的输出的制造方法。一种光电转换装置（100）的制造方法，包括：在基板（1）上形成第一发电元件层（91）的工序；在该第一发电元件层（91）上形成中间接触层（5）的工序；在该中间接触层（5）上形成第二发电元件层（92）的工序，其中，包括如下工序中的至少一个工序：在形成了所述第一发电元件层（91）之后，将所述基板（1）在大气中以室温保持5小时以上且25小时以下；在形成了所述中间接触层（5）之后，将所述基板（1）在大气中以室温保持20小时以上且50小时以下。
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公开(公告)号：CN102105993A
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN200980129037.1
申请日：2009-10-02
申请人： 三菱重工业株式会社
IPC分类号： H01L31/04
CPC分类号： H01L31/1804 , H01L31/03921 , H01L31/077 , H01L31/182 , H01L31/1824 , H01L31/202 , Y02E10/545 , Y02E10/546 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 本发明提供一种尽可能防止电流经由中间接触层分离槽从中间接触层泄漏的光电转换装置的制造方法。该方法包括：制膜以非结晶硅为主成分的顶层(91)的工序；在顶层(91)上制膜对该顶层进行电连接及光学连接的中间接触层(93)的工序；照射脉冲激光，除去中间接触层(93)，并形成直至顶层(91)的中间接触层分离槽(14)而分离中间接触层(93)的工序；在中间接触层(93)上及中间接触层分离槽(14)内制膜对其进行电连接及光学连接且以微结晶硅为主成分的底层(92)的工序。作为分离中间接触层(93)的脉冲激光器，使用脉冲宽度为10ps以上750ps以下的脉冲激光器。
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公开(公告)号：CN101548365B
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200880000850.4
申请日：2008-01-30
申请人： 三菱重工业株式会社
IPC分类号： H01L21/205 , H01L31/04
CPC分类号： H01L31/182 , C23C16/24 , C23C16/4557 , C23C16/509 , H01J37/32091 , H01J37/32724 , H01J2237/2001 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L31/075 , H01L31/076 , H01L31/1824 , H01L31/202 , Y02E10/546 , Y02P70/521
摘要： 本发明提供一种真空处理方法以及真空处理装置，该真空处理方法即使在增加制膜速度的情况下，SiH2/SiH比也不会增高，并能够通过防止膜质的恶化来获得较高的生产率。在该真空处理方法中，使设置于负压环境下的制膜室(6)内的基板(8)处于由均热板(加热机构)(5)加热了的状态，向与上述基板(8)对置配置的放电电极(3)供电，由此，向基板(8)实施制膜，其中，以将基板(8)和放电电极(3)的温度差设为在30℃以下的状态而制膜。进而，也可以将基板(8)和放电电极(3)之间设为7.5mm以下而制膜。
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