-
公开(公告)号：CN104730559A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201510134207.2
申请日：2015-03-26
Applicant: 上海大学
IPC: G01T1/02
Abstract: 本发明公开了一种平面型核辐射探测器件的制备方法，具体为采用CdZnTe晶片制备方法或CdZnTe薄膜制备方法制备平面型核辐射探测器件。本发明还公开了一种可携带式核辐射探测装置，包括探测器感应装置1、前级放大电路2、后级主放大电路3、模拟数字转换电路4、单片机处理器5、显示模块6、报警模块7和USB接口模块8，采用CdZnTe材料作为感应核辐射粒子射线的核辐射吸收层，具有平面式叉指电极结构，在电源模块9中还设有输出的电压为5-50V的DC/DC电压转换模块，核辐射探测装置集成为能够安装在使用者随身携带的物品上的小型器件。本发明方便携带，能实时报警，可长期可持续供电，适合于野外作业，适用于国防军事和有核辐射的民用场合。
-
公开(公告)号：CN103531662A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201310507778.7
申请日：2013-10-24
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224
CPC classification number: H01L21/02008 , C30B11/00 , C30B29/46 , H01L31/022408 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种移动加热器法（THM）生长的CdZnTe晶体欧姆结构器件的制备方法，属于辐射探测器材料及其器件制造工艺技术领域，本发明是采用移动加热器法制备CdZnTe晶体，并将CdZnTe晶体进行切片、倒角、磨片、抛光和腐蚀等后期工艺，最后在CdZnTe晶体上表面采用蒸镀或溅射方法制备100~300nm厚的金电极，为制作CdZnTe晶体欧姆结构器件提供了一种新的方法，也为最后制作CdZnTe探测器奠定基础。本发明的特点在于：采用移动加热器法制备单晶率高、尺寸大、晶体缺陷少、电阻率高的CdZnTe晶体样品。晶体的尺寸一般为10mm×10mm×3mm，电阻率2×1010Ω·cm；金电极的厚度为100~300nm。
-
公开(公告)号：CN102220644B
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201110151562.2
申请日：2011-06-08
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种新的提高碲锌镉晶体性能的方法和装置，属特殊晶体热处理工艺技术领域。其特点包括：利用生长后的晶体内存在的Te沉淀/夹杂相来吸附晶体中的有害杂质，然后利用热迁移机制（处在液态下Te沉淀在温度梯度温场中会向着高温方向移动）将晶锭置于一定的温度梯度温场中进行长时间退火，使晶体内的Te沉淀/夹杂相携带着杂质移动到晶体的尾端，最后切除尾部，得到提纯的碲锌镉晶体。采用本发明对完成生长的碲锌镉晶锭进行退火改性，能够显著的减少碲锌镉晶体中的杂质和缺陷的含量。
-
公开(公告)号：CN101859704B
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201010185685.3
申请日：2010-05-26
Applicant: 上海大学
IPC: H01L21/335 , H01L21/365 , H01L21/28
Abstract: 本发明涉及一种基于p型掺杂单晶金刚石薄膜的高温、高功率金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)的制备方法，属于无机非金属材料器件制造工艺技术领域。本发明的主要特点是：在p型硼掺杂单晶金刚石薄膜上，制作源电极、漏电极和栅电极；源、漏电极采用金电极，而栅电极采用铅电极；在栅电极与p型金刚石薄膜之间采用SiOx作为绝缘层。采用微波等离子体化学气相沉积方法(MPCVD)沉积p型硼掺杂单晶金刚石薄膜，并以此为基础制备出半导体场效应晶体管器件，该器件稳定工作温度可达到690℃。
-
公开(公告)号：CN109143306B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN201810752866.6
申请日：2018-07-10
Applicant: 上海大学
IPC: G01T1/02
Abstract: 本发明公开了一种基于碲锌镉阵列的核辐射场成像装置，包括碲锌镉探测器、旋转伸缩系统、处理系统，其中：处理系统包括信号处理模块、核辐射剂量模块、机械控制模块、成像系统；机械控制模块对所述旋转伸缩系统进行控制，使得旋转伸缩系统进行一定角度旋转并能在一定距离内伸缩探测器；碲锌镉探测器安装于所述旋转伸缩系统上，用于探测核辐射射线并将其转换为电荷信号；处理系统安装于所述旋转系统上，对探测器的输出信号进行处理，并最终绘制出辐射场的核辐射强度分布图。本发明通过旋转伸缩碲锌镉探测器的方法，检测辐射场中不同方向和位置的辐射剂量值。根据核辐射剂量值与方向、位置的关系，可在所述成像系统显示辐射场辐射分布图。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109143306A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201810752866.6
申请日：2018-07-10
Applicant: 上海大学
IPC: G01T1/02
CPC classification number: G01T1/026
Abstract: 本发明公开了一种基于碲锌镉阵列的核辐射场成像装置，包括碲锌镉探测器、旋转伸缩系统、处理系统，其中：处理系统包括信号处理模块、核辐射剂量模块、机械控制模块、成像系统；机械控制模块对所述旋转伸缩系统进行控制，使得旋转伸缩系统进行一定角度旋转并能在一定距离内伸缩探测器；碲锌镉探测器安装于所述旋转伸缩系统上，用于探测核辐射射线并将其转换为电荷信号；处理系统安装于所述旋转系统上，对探测器的输出信号进行处理，并最终绘制出辐射场的核辐射强度分布图。本发明通过旋转伸缩碲锌镉探测器的方法，检测辐射场中不同方向和位置的辐射剂量值。根据核辐射剂量值与方向、位置的关系，可在所述成像系统显示辐射场辐射分布图。
-
公开(公告)号：CN107230735A
公开(公告)日：2017-10-03
申请号：CN201610175610.4
申请日：2016-03-26
Applicant: 上海大学
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/1832 , C23C14/0629 , C23C14/24 , C23C14/35 , C23C14/5806 , H01L31/02966 , H01L31/1836
Abstract: 本发明涉及一种具有缓冲层的CdZnTe薄膜光电探测器的制备方法，属于薄膜光电探测器部件制造工艺技术领域。本发明的目的是通过在采用近空间升华法制备CdZnTe薄膜之前先引入缓冲层（ZnTe/CdTe），从而达到提高CdZnTe薄膜质量的目的，给CdZnTe薄膜在光电探测器设备中的实际应用提供了新的方案。本发明是一种具有缓冲层的CdZnTe薄膜光电探测器的制备方法,其特点在于基于高真空近空间升华与磁控溅射镀膜一体化工艺设备，以预处理过的单晶Si为衬底，先溅射ZnTe/CdTe作为缓冲层，再传输到升华腔内用CdZnTe单晶的粉末源沉积一层CdZnTe薄膜，之后对CdZnTe薄膜进行退火及腐蚀等后处理，并通过电子束沉积叉指型的金电极获得理想欧姆接触，最终制得薄膜光电探测器部件。
-
公开(公告)号：CN103746036B
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201410001040.8
申请日：2014-01-02
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种金刚石辐射探测器的欧姆接触电极制备方法。该制备方法主要包括非晶碳石墨层的制备、金属Pt和Au的制备以及退火处理，此外利用磁控溅射和离子溅射方法在金刚石薄膜上沉积制备C-Pt-Au三层体系，并在氮气气氛下退火，形成欧姆接触电极。本发明采用的非晶碳石墨作为金属与金刚石的中间层，起到增强附着力的作用，以及三层C-Pt-Au欧姆电极具有较高的IV性能、较低的薄膜漏电流，其电阻率得到明显改善、使器件的性能得到提高。
-
公开(公告)号：CN103746036A
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN201410001040.8
申请日：2014-01-02
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: H01L31/022408 , H01L31/1804
Abstract: 本发明涉及一种金刚石辐射探测器的欧姆接触电极制备方法。属于金刚石辐射探测器制造工艺技术领域。本发明的要点是利用磁控溅射和离子溅射方法在金刚石薄膜上沉积制备C-Pt-Au三层体系，并在氮气气氛下退火，形成欧姆接触电极。本发明的三层C-Pt-Au欧姆电极是有较高的IV性能、较低的薄膜漏电流，其电阻率得到明显改善、使器件的性能得到提高。
-
公开(公告)号：CN102709395A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201210191009.6
申请日：2012-06-12
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种CdZnTe薄膜肖特基结构紫外光探测器的制备方法，属于无机非金属材料器件制造工艺技术领域。本发明是采用近空间升华方法制备CdZnTe薄膜，并制作CdZnTe薄膜肖特基结构紫外光探测器，为制作高性能的紫外光探测器提供了新的方法。本发明是一种CdZnTe薄膜肖特基结构紫外光探测器，其特点在于，采用近空间升华方法制备高平整、颗粒尺寸小、电阻率高的CdZnTe薄膜样品。薄膜的面积>1cm2，薄膜的厚度为>10μm，电阻率达109Ω·cm；金属电极的厚度为50~300nm。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
63
records
(took 0.019 seconds)
