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公开(公告)号：CN112786744B
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202110177271.4
申请日：2021-02-09
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种平面结构的二维全无机钙钛矿白光LED器件的制备方法，通过酸化学法、真空抽滤以及干法球磨工艺制备微米尺度的Cs3Sb2Cl9晶体粉末；使用真空沉积法，在石英衬底上制备得到大气环境稳定、结晶质量高、具有明显(110)取向生长的二维全无机钙钛矿Cs3Sb2Cl9薄膜；采用PMMA封装，制成含有TiO2/Cs3Sb2Cl9薄膜的石英基片和UVLED单元的平面结构的白光LED器件。本发明制备方法以步骤简单、成本低、过程可控为特点，可运用于大规模商业生产，具有显著的产业化推广价值。
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公开(公告)号：CN110565165B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN201810568142.6
申请日：2018-06-05
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种基于溶液的碘化铯单晶薄片的生长方法，将碘化铯在二甲基亚砜(DMSO)中，溶解度会随着温度的上升而呈现降低的趋势，对碘化铯溶液加热可以得到籽晶，然后把籽晶放进特殊的玻璃装置里面生长可以得到质量较好的碘化铯单晶薄片。本发明操作方便，所用原料成本低廉，能够从碘化铯溶液来析出高质量的碘化铯单晶薄片。本发明采用溶液析出法和模具约束调控法相结合，能够制备出尺寸可控、透光度和出光效率优异的碘化铯单晶薄片。本发明生长出来的碘化铯单晶薄片质量高，透明度高且具备独特的光致发光性能，该制备方法制备出来的单晶薄片可搭配硅基光电二极管可制作出优异性能的平板X射线探测器。
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公开(公告)号：CN112786744A
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN202110177271.4
申请日：2021-02-09
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种平面结构的二维全无机钙钛矿白光LED器件的制备方法，通过酸化学法、真空抽滤以及干法球磨工艺制备微米尺度的Cs3Sb2Cl9晶体粉末；使用真空沉积法，在石英衬底上制备得到大气环境稳定、结晶质量高、具有明显(110)取向生长的二维全无机钙钛矿Cs3Sb2Cl9薄膜；采用PMMA封装，制成含有TiO2/Cs3Sb2Cl9薄膜的石英基片和UVLED单元的平面结构的白光LED器件。本发明制备方法以步骤简单、成本低、过程可控为特点，可运用于大规模商业生产，具有显著的产业化推广价值。
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公开(公告)号：CN106283195A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610805277.0
申请日：2016-09-07
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种连续生长大尺寸钙钛矿单晶的装置及方法，基于环流和逆温结晶来连续生长具有高结晶质量的钙钛矿单晶，属于新型材料器件制造工艺领域。本发明装置利用钙钛矿晶体生长瓶和原料驱动瓶中的温度差使装置中的钙钛矿溶液环流，将原料驱动瓶中的过饱和的钙钛矿溶液源源不断的输运到钙钛矿晶体生长瓶中参与逆温结晶。并通过控制钙钛矿晶体生长瓶和原料驱动瓶的各自的温度T1、T2和相应的温度差T，整体钙钛矿单晶的生长时间t，以及通过原料驱动瓶加入装置的原料m来控制钙钛矿单晶的生长速度和生长大小。本发明可以连续并且快速的生长钙钛矿单晶，易于大规模生产。通过本发明晶体制备方法，可生长得到对角线长度为钙钛矿晶体生长瓶尺寸大小的钙钛矿单晶，最大生长速度为1厘米/天，具有显著的产业化推广价值。
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公开(公告)号：CN113001376A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202110212877.7
申请日：2021-02-25
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种CH3NH3PbI3(MAPbI3)晶体的抛光方法，涉及抛光领域，包括以下步骤：准备好待抛光的晶体，对待抛光的晶体表面进行细砂纸的打磨处理；配制抛光液，通过煤油与硅油以1:9的体积比进行混合，配制抛光液溶剂；将25mL溶剂与2g氧化镁抛光粉混合后超声均匀分散，形成所用的抛光液；将抛光液均匀倾倒至金相绒布抛光垫上，对待抛光的晶体进行抛光；通过煤油对晶体进行清洗，得到理想的晶体表面。MAPbI3晶体通过此方法抛光后，表面缺陷显著减少，电学性质明显提高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111312857A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN202010126593.1
申请日：2020-02-28
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/18 , H01L21/02 , H01L31/0236 , H01L31/032 , H01L31/09
Abstract: 本发明公开了一种利用有机高分子材料降低钙钛矿探测器暗电流的方法，通过对关键材料，特别是有机材料的具体种类及用量的调控，并对相应辐射探测器制备的工艺流程及关键步骤所使用的参数条件进行了一定的改进，对热喷涂工艺所采用的温度及时间进行设置，达到能够满足商业需求的多晶卤化物钙钛矿光电探测器，其结构为ITO/多晶CsPbBr3/Au电极。本发明制作的无机钙钛矿CsPbBr3探测器具有较低的暗电流数量级，较高的信噪比以及优异的水氧稳定性。该半导体探测器的制备方法步骤简单，成本低廉，过程低温可控，且所制备的CsPbBr3材料抗水氧能力优异，可将本发明方法运用于大规模商业生产，具有显著的产业化推广价值。
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公开(公告)号：CN110565165A
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201810568142.6
申请日：2018-06-05
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种基于溶液的碘化铯单晶薄片的生长方法，将碘化铯在二甲基亚砜(DMSO)中，溶解度会随着温度的上升而呈现降低的趋势，对碘化铯溶液加热可以得到籽晶，然后把籽晶放进特殊的玻璃装置里面生长可以得到质量较好的碘化铯单晶薄片。本发明操作方便，所用原料成本低廉，能够从碘化铯溶液来析出高质量的碘化铯单晶薄片。本发明采用溶液析出法和模具约束调控法相结合，能够制备出尺寸可控、透光度和出光效率优异的碘化铯单晶薄片。本发明生长出来的碘化铯单晶薄片质量高，透明度高且具备独特的光致发光性能，该制备方法制备出来的单晶薄片可搭配硅基光电二极管可制作出优异性能的平板X射线探测器。
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公开(公告)号：CN107779953A
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：CN201710821497.7
申请日：2017-09-13
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种基于溶液的无机卤化物闪烁晶体的生长方法，属于晶体材料制造技术领域，其步骤：(a).将有机溶剂N,N-二甲基甲酰胺(DMF)加入到平底烧瓶中，再加入无机卤化物晶体粉末，放在磁力搅拌机上搅拌，使其完全溶解,直至饱和；溶解后，将其过滤，得到长晶的无机卤化物溶液；(b).将步骤(a)的长晶的溶液放置在加热台上进行油浴加热，生长出正方体的无机卤化物单晶晶体；取出上述无机卤化物单晶晶体，对其进行抛光，用乙醇擦洗干净，获得无机卤化物闪烁晶体。该方法操作方便，所用原料成本低廉，能够从无机卤化物的溶液来析出高质量的单晶晶体。
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公开(公告)号：CN103456804A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201310436128.8
申请日：2013-09-24
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0236 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种在多晶硅上形成倒金字塔型多孔表面纳米织构的方法及制备短波增强型太阳电池的方法，适用于太阳能光伏电池技术领域。本发明利用金属催化化学腐蚀法，通过HF、AgNO3、H2O2和HNO3等溶液在多晶硅片上形成纳米多孔表面结构；然后将部分样品放入0.1-1%的NaOH腐蚀液中进行纳米倒金字塔的表面修饰，形成纳米倒金字塔硅结构，它的微结构形貌更均匀和平整，使得有效少数载流子寿命极大地提高；最终在纳米织构表面结构上，通过改变太阳能电池制备工艺中氮化硅层的厚度，制备出低表面反射率、高短波光谱响应的纳米倒金字塔硅太阳能光伏电池。本发明方法工艺简单，操作方便，成本低廉，适于工业生产。
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公开(公告)号：CN111312857B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202010126593.1
申请日：2020-02-28
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/18 , H01L21/02 , H01L31/0236 , H01L31/032 , H01L31/09
Abstract: 本发明公开了一种利用有机高分子材料降低钙钛矿探测器暗电流的方法，通过对关键材料，特别是有机材料的具体种类及用量的调控，并对相应辐射探测器制备的工艺流程及关键步骤所使用的参数条件进行了一定的改进，对热喷涂工艺所采用的温度及时间进行设置，达到能够满足商业需求的多晶卤化物钙钛矿光电探测器，其结构为ITO/多晶CsPbBr3/Au电极。本发明制作的无机钙钛矿CsPbBr3探测器具有较低的暗电流数量级，较高的信噪比以及优异的水氧稳定性。该半导体探测器的制备方法步骤简单，成本低廉，过程低温可控，且所制备的CsPbBr3材料抗水氧能力优异，可将本发明方法运用于大规模商业生产，具有显著的产业化推广价值。
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