公开(公告)号：CN102414803A

公开(公告)日：2012-04-11

申请号：CN201080018561.4

申请日：2010-09-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 门田太一 ,  中村秀雄 ,  北川淳一

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC classification number: C23C8/36 ,  C23C8/04 ,  H01J37/32082 ,  H01J2237/3387 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/3211 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76232 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/513 ,  H01L29/7881

Abstract: 提供一种对于露出有硅表面和硅化合物层的被处理体，以高氮化速率和高氮剂量对硅进行选择性等离子体氮化处理的方法。选择性等离子体氮化处理通过将处理压力设定在66.7Pa以上667Pa以下的范围内，从高频电源(44)向载置台(2)的电极(42)供给对于被处理体的每单位面积为0.1W/cm2以上1.2W/cm2以下的高频电力来进行。由该高频电力向晶片(W)施加偏压电压，得到高的Si/SiO2选择比。

公开(公告)号：CN102403182A

公开(公告)日：2012-04-04

申请号：CN201110276265.0

申请日：2011-09-15

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 门田太一 ,  北川淳一 ,  山下润 ,  中村秀雄

IPC: H01J37/32 ,  H05H1/24

CPC classification number: H01J37/32192

Abstract: 本发明提供等离子体处理装置及等离子体处理方法。该等离子体处理装置是向载置被处理体的载置台的电极供给偏压用高频电力的方式的等离子体处理装置，抑制等离子体电位的振动，生成稳定的等离子体，并防止由金属制的相对电极的溅蚀导致产生污染。在盖构件(27)的内周侧形成有扩张突出部(60)。扩张突出部(60)面向等离子体生成空间(S)地形成，是起到隔着等离子体生成空间(S)与载置台(5)的电极(7)成对的相对电极的功能的主要部分。相对电极表面积与偏压用电极面积之比(相对电极表面积/偏压用电极面积)优选在1～5的范围内。

公开(公告)号：CN101834133B

公开(公告)日：2012-01-25

申请号：CN201010163894.8

申请日：2005-12-22

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 盐泽俊彦 ,  古井真悟 ,  小林岳志 ,  北川淳一

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/00 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L29/513 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/3143 ,  H01L29/7881

Abstract: 本发明涉及一种隧道氧化膜的氮化处理方法，其对非易失性存储元件中的隧道氧化膜实施氮化处理时，用含有氮气的处理气体实施等离子体处理，由此在隧道氧化膜表面部分形成氮化区域。

公开(公告)号：CN101156233B

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200680010986.4

申请日：2006-03-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 北川淳一 ,  古井真悟

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/31 ,  H01L21/76

CPC classification number: C23C16/402 ,  C23C16/045 ,  C23C16/509 ,  H01J37/32935 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/76235

Abstract: 本发明公开了一种氧化硅膜的形成方法，其特征在于：在等离子体处理装置的处理室内，使用含有1％以上的氧的处理气体，在133.3Pa以下的处理压力下形成等离子体，由所述等离子体，使在形成于被处理体的硅层上的凹部中露出的硅表面氧化，形成氧化硅膜。

公开(公告)号：CN101156233A

公开(公告)日：2008-04-02

申请号：CN200680010986.4

申请日：2006-03-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 北川淳一 ,  古井真悟

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/31 ,  H01L21/76

CPC classification number: C23C16/402 ,  C23C16/045 ,  C23C16/509 ,  H01J37/32935 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/76235

Abstract: 本发明公开了一种氧化硅膜的形成方法，其特征在于：在等离子体处理装置的处理室内，使用含有1％以上的氧的处理气体，在133.3Pa以下的处理压力下形成等离子体，由所述等离子体，使在形成于被处理体的硅层上的凹部中露出的硅表面氧化，形成氧化硅膜。

公开(公告)号：CN101032020A

公开(公告)日：2007-09-05

申请号：CN200580033312.1

申请日：2005-09-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 北川淳一 ,  尾崎成则 ,  寺本章伸 ,  大见忠弘

IPC: H01L21/8247 ,  H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L21/318

CPC classification number: H01L29/792 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28273 ,  H01L29/513

Abstract: 提供利用栅绝缘膜中良好的氮浓度分布，得到优异电气特性(写入、消去特性)的半导体存储装置及其制造方法。本发明中第一实施方式的半导体装置的制造方法，是通过经由半导体基板与栅电极之间形成的绝缘膜进行电荷交接而动作的半导体存储装置的制造方法，包括将预先使用等离子体激励用气体稀释的氧氮化种导入等离子体处理装置内，由等离子体生成氧氮化种，在所述半导体基板上形成作为栅绝缘膜的氧氮化膜的工序，所述氧氮化种含有相对于导入所述等离子体处理装置内的全部气体量为0.00001～0.01％的NO气体。

公开(公告)号：CN101010787A

公开(公告)日：2007-08-01

申请号：CN200580029122.2

申请日：2005-08-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小林岳志 ,  北川淳一

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01L21/31612 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32935 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/32105

Abstract: 在由具有多个缝隙的平面天线将微波导入处理室内而产生等离子体的RLSA方式的等离子体处理装置(100)中，使得腔室内压力为67～667Pa、温度为300～600℃以下、微波功率为1000～3500W、作为处理气体而使用100～2000mL/min的Ar气体、1～500mL/min的O2气体、并且将处理气体中的O2气体相对Ar气体的比例控制为0.5～5％，同时进行多晶硅的氧化。

公开(公告)号：CN102737947B

公开(公告)日：2015-07-08

申请号：CN201210093675.6

申请日：2012-03-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 藤野丰 ,  植田笃 ,  尾崎成则 ,  北川淳一

IPC: H01J37/32 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32201 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32211 ,  H01J37/32238 ,  H01J37/32431 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/463

Abstract: 本发明的目的在于提供等离子处理装置以及微波导入装置，用简单的构成使等离子的分布均匀化。等离子处理装置(1)具备向处理容器(2)内导入微波的微波导入装置(5)。微波导入装置(5)包括嵌合于顶部(11)的多个开口部的多个微波透过板(73)。多个微波透过板(73)在嵌合于顶部(11)的多个开口部的状态下，配置于与载置台(21)的载置面(21a)平行的一个假想的平面上。多个微波透过板(73)包括微波透过板(73A～73G)。设定为微波透过板(73G、73A)的中心点(PG，PA)间距离与微波透过板(73G、73B)的中心点(PG、PB)间距离相互相等或者几乎相等。

公开(公告)号：CN101681832B

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN200880019566.1

申请日：2008-08-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 壁义郎 ,  太田欣也 ,  北川淳一

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318

CPC classification number: H01L21/02252 ,  H01J37/32963 ,  H01L21/02238

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置(100)，其具备：在容器(1)内生成等离子体的等离子体生成机构、对向待处理体(晶片(W))移动的等离子体中的活性种的粒子数的累计值进行测量的测量部(60)、和当测量的累计值已达到设定值时进行控制以使等离子体处理结束的控制部(50)。测量部(60)从光源部(61)向等离子体照射规定的激光，由具备VUV单色光仪的检测部(63)接收，由此来测定活性种的粒子数。

公开(公告)号：CN101908484B

公开(公告)日：2012-06-13

申请号：CN201010133457.1

申请日：2006-04-14

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 北川淳一 ,  小林岳志

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L21/3185 ,  H01J37/3222 ,  H01L21/28247 ,  H01L21/28273

Abstract: 通过利用具有多个缝隙的平面天线将微波导入处理室内、以产生处理气体的等离子体的氮化处理工序，在多晶硅层(111)的表面上形成氮化区域(112)。接着，在氮化区域(112)上形成CVD氧化膜(113)等，将多晶硅层(111)等图案化为规定形状后，将氮化区域(112)作为氧化阻挡层，通过热氧化，在露出的多晶硅层(111)的侧壁部等上形成热氧化膜(114)。由此，能够利用温度比以往更低的工序抑制鸟嘴的产生。