钨膜的成膜方法和半导体器件的制造方法

    公开(公告)号:CN104947064B

    公开(公告)日:2018-11-13

    申请号:CN201510133979.4

    申请日:2015-03-25

    IPC分类号: C23C16/14 H01L21/768

    摘要: 本发明提供一种能够不形成核生成用的初始钨膜而以一个阶段成膜钨膜的钨膜的成膜方法。对被处理基板在减压气氛气下同时或交替供给作为钨原料的氯化钨气体和还原气体,一边对被处理基板进行加热一边使氯化钨气体和还原气体反应,在被处理基板的表面不成膜核生成用的初始钨膜而直接成膜主钨膜。

    钨膜的成膜方法
    12.
    发明授权

    公开(公告)号:CN105839068B

    公开(公告)日:2018-09-21

    申请号:CN201610064286.9

    申请日:2016-01-29

    摘要: 本发明提供一种能够通过使用了WCl6气体作为原料气体的ALD法来以较高的生产率形成填埋性良好的钨膜的钨膜的成膜方法。在收容有被处理基板并被保持在减压气氛下的腔室内,利用ALD法在被处理基板的表面形成钨膜时,在供给氯化钨气体时,以ALD反应为主体的程度添加还原气体,在该ALD法中,以隔着腔室内的吹扫的方式交替地供给作为钨原料气体的氯化钨气体以及用于对氯化钨气体进行还原的还原气体。

    气体供给机构和气体供给方法以及使用其的成膜装置和成膜方法

    公开(公告)号:CN104947082B

    公开(公告)日:2018-03-30

    申请号:CN201510142689.6

    申请日:2015-03-27

    IPC分类号: C23C16/455

    摘要: 本发明以短时间且大流量供给由液体原料或固体原料生成的原料气体,并且避免原料的浪费。具备:收纳固体状或液体状的原料的原料容器(1);在原料容器(1)中加热原料的加热器(2);向原料容器(1)内供给载气的载气供给配管(3);控制载气的流量的流量控制器(4);向腔室(10)供给原料气体的原料气体供给配管(5);设置于原料气体供给配管(5)的腔室(10)附近的原料气体供给·切断阀(6);和气体供给控制器(8),进行控制使得:控制流量控制器(4),并且在关闭原料气体供给·切断阀(6)的状态下,通过流通载气,使原料容器(1)和原料气体供给配管(5)成为高压状态之后,打开原料气体供给·切断阀(6)。

    金属膜的成膜方法
    18.
    发明公开

    公开(公告)号:CN106191815A

    公开(公告)日:2016-12-07

    申请号:CN201610364429.8

    申请日:2016-05-27

    IPC分类号: C23C16/455 C23C16/14

    摘要: 本发明提供一种金属膜的成膜方法。在使用氯化物原料在具有复杂形状部分和平坦形状部分的被处理基板上形成金属膜的情况下,能够在任何部分都形成膜。在该金属膜的成膜方法中,隔着被保持在减压气氛下的腔室内的吹扫,在按顺序向腔室内供给作为原料气体的金属氯化物气体以及对金属氯化物进行还原的还原气体而在配置于所述腔室内的具有复杂形状部分和平坦形状部分的被处理基板形成金属膜时,交替地实施相对地减少金属氯化物原料的供给量而形成第一金属膜的工序和相对地增多金属氯化物原料的供给量而形成第二金属膜的工序。