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公开(公告)号：CN110578130B
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN201910440025.6
申请日：2019-05-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/34 , C23C16/455
Abstract: 本发明的课题是提供一种能够使用基于ALD的成膜方法在较低温度下成膜良好膜质的氮化膜的成膜方法及成膜装置。本发明的成膜方法是在腔室内于基板上成膜为氮化膜的成膜方法，重复进行原料气体吸附工序和氮化工序，且供给肼系化合物气体作为氮化气体的一部分或者全部，其中，所述原料气体吸附工序包括向基板上供给构成氮化膜的包含金属元素的原料气体的步骤、及对残留气体进行吹扫的步骤；所述氮化工序包括向基板上供给氮化气体的步骤、及对残留气体进行吹扫的步骤。
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公开(公告)号：CN114402092A
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN202080064398.9
申请日：2020-09-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/448 , H01L21/02
Abstract: 本发明的一种方式的原料供给装置具有：贮存使第一固体原料溶解于溶剂而成的溶液或使第一固体原料分散于分散介质而成的分散体系的容器；通过从贮存在上述容器内的上述溶液或上述分散体系中除去上述溶剂或上述分散介质而形成第二固体原料的除去部；检测上述溶剂或上述分散介质从上述溶液或上述分散体系的除去已完成的检测部；和对上述第二固体原料进行加热的加热部。
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公开(公告)号：CN1954095B
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200580015706.4
申请日：2005-07-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: C23C16/46 , C23C16/4586 , H01L21/67109 , H05B3/143
Abstract: 本发明提供一种处理装置，其具有可防止因埋设的加热器的加热而发生破裂的载置台。载置晶片(W)的载置台(32A)具有多个区域(32Aa、32Ab)，在多个区域的每一个内，独立地埋设有多个加热器中的一个。埋设在相邻区域中的一方(32Aa)中的加热器(35Aa)，具有延伸至另一方的区域(32Ab)内的部分(35Aa2)，埋设在相邻区域中的另一方的区域(32Ab)中的加热器(35Ab)，具有延伸至一方的区域(32Aa)内的部分(35Ab2)。
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公开(公告)号：CN101490307A
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200780026409.9
申请日：2007-07-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: C23C16/08 , C23C16/4405
Abstract: 将腔室(1)内的基座(2)的温度设定为规定温度，并供给处理气体，对规定块数的晶片(W)形成Ti系膜，然后，在腔室(1)内不存在晶片(W)的状态下，从喷淋头(10)向腔室(1)内喷出Cl2气体作为清洁气体，对腔室(1)内进行清洁，此时分别独立地控制基座(2)、喷淋头(10)和腔室(1)壁部的温度，使基座(2)的温度为Cl2气体的分解开始温度以上，并且使喷淋头(10)和腔室(1)壁部的温度为分解开始温度以下。
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公开(公告)号：CN101481798A
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200910001978.9
申请日：2004-07-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/50
CPC classification number: C23C16/5096 , H01L21/28556 , H01L21/76841
Abstract: 本发明的目的是提供一种在基座周边部分难以产生局部放电的等离子体化学蒸镀方法和实施该方法的装置。在成膜开始前，将气体导入真空排气的腔室内，将基板支撑在位于基座上同时处在上升位置的基板支撑销上，对基板进行预热。接着，在停止导入气体的同时，对该腔室进行真空排气，使基板支撑销下降，将基板放置在基座上。接着，在此状态下，将气体导入该腔室内，再预热基板。然后，在腔室内生成等离子体的同时，导入成膜气体，进行成膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101298667A
公开(公告)日：2008-11-05
申请号：CN200810109994.5
申请日：2003-12-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/458 , C23C16/46 , H01L21/00 , H01L21/285
Abstract: 本发明提供一种半导体处理用的成膜方法，其具有：准备成膜装置的工序，该成膜装置具有处理容器、气体供给部、排气部、载置台、和激励机构；向处理容器内提供第一处理气体，通过等离子体CVD进行第一处理的工序，第一处理气体是通过电离主要产生第一极性的离子的气体；在第一处理后，进行稳定化处理容器内的状态的稳定化处理的工序，稳定化处理设定为，将通过电离主要产生与第一极性相反的第二极性的离子的稳定化处理气体，提供给处理容器内部，进行等离子体化；在稳定化处理后，将基板搬入处理容器内，在载置台的上面上载置基板的工序；和向处理容器内提供主处理气体，通过等离子体CVD进行主成膜处理，由此在载置台上的基板上形成膜的工序。
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公开(公告)号：CN1533447A
公开(公告)日：2004-09-29
申请号：CN03800692.8
申请日：2003-02-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455
CPC classification number: C23C16/45574 , C23C16/45514 , C23C16/45565
Abstract: 本发明的气体喷头，它与基板的表面相对地设置，同时，在与上述基板相对的表面上设置多个孔，从气体供给通路送出的多种成膜气体可通过这些孔同时供给上述基板，该气体喷头具有喷头本体和多个气体流路，该喷头本体有多个金属构件，通过在将该多个金属构件上下重合的状态下，在给定的温度条件下加热，各个金属构件的接触面彼此可以在局部金属扩散接合，该多个气体流路横切贯通上述喷头本体内的上述接触面，而且可使每种成膜气体均不混合地独立地形成，上述温度条件是通过之后的再加热，局部地金属扩散接合的部分可分离的温度条件。
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公开(公告)号：CN109148326A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201810613271.2
申请日：2018-06-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/311
CPC classification number: H01J37/32522 , H01J37/20 , H01J2237/334 , H01L21/02057 , H01L21/02063 , H01L21/31116 , H01L21/67109 , H01L21/67069 , H01L21/67248
Abstract: 本公开涉及基板处理装置、基板载置机构和基板处理方法。能够在一个处理容器内对被处理基板以高生产率连续地进行温度不同的多个工序。基板处理装置具有：处理容器；处理气体供给机构，其向处理容器内供给处理气体；基板载置台，其载置被处理基板；制冷剂流路，其设置于基板载置台的主体；制冷剂抽取机构，其从制冷剂流路抽取制冷剂；加热器，其被印刷在静电卡盘的背面；温度控制部，其使制冷剂流通于制冷剂流路中，将被处理基板温度调整为第一温度，利用加热器进行加热并且利用制冷剂抽取机构抽取制冷剂流路的制冷剂，将被处理基板温度调整为比第一温度高的第二温度，连续地进行基于第一温度的处理和基于第二温度的处理。
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公开(公告)号：CN101481798B
公开(公告)日：2011-10-26
申请号：CN200910001978.9
申请日：2004-07-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/50
CPC classification number: C23C16/5096 , H01L21/28556 , H01L21/76841
Abstract: 本发明的目的是提供一种在基座周边部分难以产生局部放电的等离子体化学蒸镀方法和实施该方法的装置。在成膜开始前，将气体导入真空排气的腔室内，将基板支撑在位于基座上同时处在上升位置的基板支撑销上，对基板进行预热。接着，在停止导入气体的同时，对该腔室进行真空排气，使基板支撑销下降，将基板放置在基座上。接着，在此状态下，将气体导入该腔室内，再预热基板。然后，在腔室内生成等离子体的同时，导入成膜气体，进行成膜。
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公开(公告)号：CN101490307B
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN200780026409.9
申请日：2007-07-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: C23C16/08 , C23C16/4405
Abstract: 将腔室(1)内的基座(2)的温度设定为规定温度，并供给处理气体，对规定块数的晶片(W)形成Ti系膜，然后，在腔室(1)内不存在晶片(W)的状态下，从喷淋头(10)向腔室(1)内喷出Cl2气体作为清洁气体，对腔室(1)内进行清洁，此时分别独立地控制基座(2)、喷淋头(10)和腔室(1)壁部的温度，使基座(2)的温度为Cl2气体的分解开始温度以上，并且使喷淋头(10)和腔室(1)壁部的温度为分解开始温度以下。
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