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公开(公告)号：CN114107950A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202110949684.X
申请日：2021-08-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/52 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供能够以短间隔且均匀性高地对基片实施低损伤的ALD处理的等离子体处理装置和等离子体处理方法。该等离子体处理装置包括：腔室，其具有对基片实施等离子体处理的处理空间和合成电磁波的合成空间；分隔处理空间和合成空间的电介质窗；天线组件，其具有对合成空间辐射电磁波的多个天线，作为相控阵天线发挥功能；对天线组件输出电磁波的电磁波输出部；在处理空间中载置基片的工作台；气体供给部，其对处理空间供给用于进行ALD成膜的气体；以及控制部，控制部控制从气体供给部的气体的供给以实施ALD成膜，并且进行控制以使得天线组件作为相控阵天线发挥功能而在处理空间中局域化的等离子体高速地移动。
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公开(公告)号：CN109982500B
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN201811532348.X
申请日：2018-12-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H05H1/46
Abstract: 本发明提供一种微波等离子体处理装置，具有能够使等离子体密度增加的构造。该微波等离子体处理装置具有：微波供给部，其供给微波；微波辐射构件，其设置在处理容器的顶壁之上，辐射从所述微波供给部供给的微波；以及包括电介质的微波透过构件，其以封闭所述顶壁的开口的方式设置，并且使经由所述微波辐射构件而通过了缝隙天线的微波透过，其中，在将从所述顶壁的开口透过所述微波透过构件而在该顶壁的表面传输的微波的表面波的波长设为λsp时，在所述顶壁的比所述开口靠外侧的位置形成深度处于λsp/4±λsp/8的范围内的凹部。
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公开(公告)号：CN112447481A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN202010861892.X
申请日：2020-08-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供能够监视在实施等离子体处理的期间沉积于等离子体生成空间的膜的膜厚的技术。本发明的一方式的等离子体处理装置包括：处理容器；配置于上述处理容器的内部的与高频电源连接的第1电极；与上述第1电极相对地配置在上述处理容器的内部的接地的第2电极；以及与上述第1电极和上述第2电极的至少一个电极连接的膜厚计算部，其计算沉积于上述至少一个电极的膜的膜厚。
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公开(公告)号：CN112788826B
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202011154008.5
申请日：2020-10-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供与多个天线的配置无关地、能够自由地进行等离子体分布控制的等离子体处理装置和等离子体处理方法。等离子体处理装置包括：腔室，其具有对基片实施等离子体处理的处理空间和合成电磁波的合成空间；分隔处理空间和合成空间的电介质窗；天线单元，其具有对合成空间辐射电磁波的多个天线，并作为相控阵天线发挥作用；对天线单元输出电磁波的电磁波输出部；以及使天线单元作为相控阵天线发挥作用的控制部，天线是螺旋形天线。
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公开(公告)号：CN112309818B
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202010717271.4
申请日：2020-07-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本公开提供一种能够监视等离子体的状态的等离子体处理装置和控制方法。基于本公开的一个方式的等离子体处理装置具备：处理容器，其具有形成有开口部的顶板；具有导电性的圆环状构件，其以与所述顶板绝缘的状态设置于所述开口部；微波辐射机构，其以包括所述圆环状构件的中心的方式配置于所述顶板上，用于向所述处理容器的内部辐射微波；以及等离子体检测部，其与所述圆环状构件连接，用于检测生成的等离子体的状态。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116487239A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310030992.1
申请日：2023-01-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，能够在构成等离子体处理装置所具有的处理容器的顶壁的顶板内抑制电磁波的传播。所述等离子体处理装置具有：处理容器；顶板，其构成所述处理容器的顶壁，所述顶板由第一电介体形成，在所述第一电介体具有开口；透过窗，其配置于所述开口，所述透过窗由介电常数比所述第一电介体的介电常数大的第二电介体形成；以及电磁波供给部，其构成为朝向所述透过窗供给电磁波。
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公开(公告)号：CN109427523B
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN201811030301.3
申请日：2018-09-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/244 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种等离子体探测装置，其包括：天线部，其隔着将真空空间与大气空间之间密封的密封部件安装于开口部中，其中，上述开口部形成在处理容器的壁部或载置台；与上述天线部连接的电极；和由电介质形成的对上述天线部从周围进行支承的电介质支承部，上述天线部与上述壁部或上述载置台的相对面以规定的距离隔开间隔，上述天线部的从上述开口部露出的面，与形成有该开口部的上述壁部或上述载置台的等离子体生成空间侧的面相比凹入到内侧。由此，能够提供避免气体侵入的等离子体探测装置。
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公开(公告)号：CN113615322A
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202080024028.2
申请日：2020-03-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H05H1/46 , H01L21/205 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置中的等离子体处理方法，所述等离子体处理装置包括腔室、用于在所述腔室内载置基片的载置台、用于辐射多个电磁波的多个辐射部、和配置在多个所述辐射部与所述载置台之间的电介质窗，所述等离子体处理方法的特征在于，包括：在所述载置台上准备基片的工序；控制从多个所述辐射部辐射的多个所述电磁波中的至少任一个电磁波的相位的工序；从多个所述辐射部向所述腔室内辐射多个所述电磁波的工序；和利用从被供给到所述电介质窗与所述载置台之间的气体生成的局部等离子体对所述基片进行处理的工序。
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公开(公告)号：CN112652513A
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN202011046684.0
申请日：2020-09-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供处理方法和等离子体处理装置，能够维持等离子体电子密度并且降低等离子体电子温度。在处理基片的处理容器内使用等离子体进行的处理方法，其包括：将气体供给到上述处理容器内的步骤；和对上述处理容器内间歇地供给从多个微波导入组件输出的微波的功率的步骤，上述间歇地供给微波的功率的步骤，周期性地使多个上述微波导入组件的所有微波的功率的供给成为关断给定时间的状态。
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公开(公告)号：CN112309817A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202010716759.5
申请日：2020-07-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本公开提供一种能够监视使用金属窗的电感耦合型的等离子体处理装置中等离子体的状态的等离子体处理装置和控制方法。基于本公开的一个方式的等离子体处理装置具备：主体容器；一个或多个高频天线，所述一个或多个高频天线用于使所述主体容器的内部的等离子体生成区域产生电感耦合等离子体；多个金属窗，所述多个金属窗配置于所述等离子体生成区域与所述高频天线之间，所述多个金属窗与所述主体容器绝缘，并且所述多个金属窗彼此绝缘；以及等离子体检测部，其与所述多个金属窗的各个金属窗连接，用于检测生成的等离子体的状态。
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